Produkte > DMP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| DMP2100UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K | auf Bestellung 3437 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2100UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 396000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2100UQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; 0.8W; SOT23; ESD Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.8W Version: ESD Drain current: -3.4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Application: automotive industry Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±10V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD | auf Bestellung 2251 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2100UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2100UQ-7 | DIODES/ZETEX | P-MOSFET -20V -4A DMP2100UQ-7 Diodes TDMP2100uq Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DMP2100UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2100UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2101UCB9-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 2045 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2101UCB9-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 9UWLB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2101UCP9-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 9DSN1515 Packaging: Bulk Package / Case: 9-XFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 970mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DSN1515-9 (Type B) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2101UCP9-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DSN1515-9 T and R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2104LP-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Channel | auf Bestellung 65383 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2104LP-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A 3DFN1411 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1411-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 16 V | auf Bestellung 1284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2104LP-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 0.5W; DFN1411-3 Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: -1.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: DFN1411-3 On-state resistance: 0.24Ω | auf Bestellung 1428 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2104LP-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2104LP-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2104LP-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A 3DFN1411 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1411-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 16 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2104LP-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2104LP-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2104LP-7-52 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2104V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 384000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2104V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2104V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2104V-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 850mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10756 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2104V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2104V-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs -20V -860mA | auf Bestellung 3677 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2104V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2104V-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 850mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2108UCB6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 8V~24V U-WLB1510-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2108UCB6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1510-6 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2109UCB6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1510-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 840mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.25A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 269pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-WLB1510-6 (Type C) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2109UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2109UVT-13 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2109UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) FET Type: P-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2109UVT-13 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2109UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2109UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2109UVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2109UVTQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2109UVTQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2109UVTQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2109UVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP210DUDJ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.2A 6-Pin SOT-963 T/R | auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP210DUDJ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP210DUDJ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.2A 6-Pin SOT-963 T/R | auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP210DUDJ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP210DUDJ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 5.5 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 330mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 330mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 9765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP210DUDJ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS | auf Bestellung 5764 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP210DUDJ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.2A 6-Pin SOT-963 T/R | auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP210DUDJ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP210DUDJ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP210DUDJ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 5.5 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 330mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 330mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 9765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP210DUFB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-Channel -20V FET 8Vgss 0.35W | auf Bestellung 4792 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP210DUFB4-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP210DUFB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 15 V | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP210DUFB4-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP210DUFB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 15 V | auf Bestellung 42558 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP210DUFB4-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R | auf Bestellung 130000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP210DUFB4-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 9350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP210DUFB4-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R | auf Bestellung 130000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP210DUFB4-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP210DUFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFET P-Channel -20V FET 8Vgss 0.35W | auf Bestellung 5865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP210DUFB4-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R | auf Bestellung 130000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP210DUFB4-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 9350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP210DUFB4-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2110U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 T&R 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V | auf Bestellung 110000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2110U-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K | auf Bestellung 9798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2110U-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2110U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 T&R 1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V | auf Bestellung 119970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2110U-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2110U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) FET Type: P-Channel | auf Bestellung 363000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2110U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2110U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2110U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2110U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K | auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2110U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | auf Bestellung 364370 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2110U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2110U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2110U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2110U-7-ML | MOSLEADER | Description: P 20V 3.5A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2110UFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2110UFDB-13 | Diodes Zetex | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2110UFDB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2110UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2110UFDB-7 | Diodes Zetex | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2110UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2110UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 35 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2110UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2110UFDBQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 220000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2110UFDBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2110UFDBQ-13 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 380000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2110UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2110UFDBQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2110UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2110UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2110UQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2110UQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2110UQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2110UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3292410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2110UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2110UQ-7 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3291000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2110UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3291000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2110UVT-13 | Diodes Zetex | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2110UVT-13 | Diodes Zetex | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |