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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FCPF11N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+3.42 EUR
500+3.19 EUR
1000+2.94 EUR
10000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60/FSCFSC08+;
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Gate charge: 52nC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.63 EUR
24+3.57 EUR
50+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60FonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
auf Bestellung 1948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.23 EUR
50+4.8 EUR
100+4.37 EUR
500+3.62 EUR
1000+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60FonsemiMOSFETs 600V NCH MOSFET
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.7 EUR
10+7.02 EUR
100+5.21 EUR
500+4.38 EUR
1000+4.06 EUR
2500+3.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60NTON Semiconductor
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60NTFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 2232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+4 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60NTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60NTFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+4 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60NTonsemiMOSFETs SupreMOS 11A
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.64 EUR
10+7 EUR
100+5.21 EUR
500+4.21 EUR
1000+3.92 EUR
2000+3.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60NTFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
auf Bestellung 14107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
124+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60NTFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 7875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+4 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60TonsemiMOSFETs SUPERFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60TONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Gate charge: 52nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60TonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.85 EUR
50+4.59 EUR
100+4.18 EUR
500+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60_GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60_Gonsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N65Fairchild SemiconductorDescription: TRANS MOSFET N-CH 600V 11A 3PIN(
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
167+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N65ON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 600V 11A 3-PIN(3+TAB) TO-220F RAIL
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N65onsemi / FairchildMOSFETs FG SUPERFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N65ON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 600V 11A 3-PIN(3+TAB) TO-220F RAIL
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+2.98 EUR
500+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N65ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF11N65 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 415 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N65
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N65_GonsemiDescription: INTEGRATED CIRCUIT
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF125N65S3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF125N65S3ON Semiconductor
auf Bestellung 8880 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF125N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 400 V
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.5 EUR
50+6.09 EUR
100+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF125N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF125N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF125N65S3onsemiMOSFETs SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.86 EUR
10+5.76 EUR
100+5.24 EUR
1000+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF1300N80Zonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.88 EUR
10+3.62 EUR
100+2.49 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF1300N80ZonsemiMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.53 EUR
10+4.25 EUR
100+3.2 EUR
500+2.51 EUR
2000+2.39 EUR
10000+2.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF1300N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF1300N80ZFairchildN-MOSFET 800V 4A 1.3Ω 24W FCPF1300N80Z Fairchild TFCPF1300N80Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF1300N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.05 EUR
10+4.19 EUR
100+3.34 EUR
500+2.82 EUR
1000+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF1300N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF1300N80ZYDonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
281+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF1300N80ZYDON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF1300N80ZYDFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO220F-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Packaging: Bulk
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
281+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF1300N80ZYDON Semiconductor / FairchildMOSFET SF2 800V 1.3OHM E TO220F
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF1300N80ZYDonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF1300N80ZYDON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF13N60CFairchild
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF13N60NTonsemiMOSFETs SupreMOS 13A
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.09 EUR
10+6.62 EUR
100+4.94 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.81 EUR
2000+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF13N60NTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 258mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FCPF13N60NTON Semiconductor
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FCPF150N65FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCPF150N65Fonsemi / FairchildMOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7 EUR
10+4.69 EUR
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FCPF150N65FonsemiMOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.46 EUR
10+6.28 EUR
100+5.74 EUR
500+4.93 EUR
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FCPF150N65FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.02 EUR
50+6.4 EUR
100+5.85 EUR
500+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FCPF150N65FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCPF150N65FL1onsemi / FairchildMOSFET SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
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FCPF165N65S3L1onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FCPF165N65S3L1ON Semiconductor / FairchildMOSFET SuperFET3 650V 165 mOhm, TO220F PKG
auf Bestellung 1626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FCPF165N65S3L1onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
auf Bestellung 30060 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
161+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
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FCPF165N65S3L1-F154onsemiDescription: SF3 650V 165MOHM E TO220F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.12 EUR
10+6.72 EUR
100+4.8 EUR
500+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FCPF165N65S3L1-F154onsemiMOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.34 EUR
10+6.76 EUR
100+4.99 EUR
500+4.44 EUR
1000+3.92 EUR
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FCPF165N65S3L1-F154onsemiDescription: SF3 650V 165MOHM E TO220F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCPF165N65S3R0LONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF165N65S3R0L - MOSFET, N-CH, 650V, 19A, TO-220FP
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 11630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCPF165N65S3R0LonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
auf Bestellung 2655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
150+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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FCPF165N65S3R0LON Semiconductor
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FCPF165N65S3R0LFairchild SemiconductorDescription: FCPF165N65S3R0L - POWER MOSFET,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
auf Bestellung 11630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
157+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
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FCPF165N65S3R0LON SemiconductorMOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF165N65S3R0LonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF16N60onsemiMOSFETs 600V N-CH SuperFET
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.72 EUR
10+5.09 EUR
100+4.63 EUR
500+4.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF16N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCPF16N60
Produktcode: 216637
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF16N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.9 EUR
50+5.18 EUR
100+4.72 EUR
500+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF16N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 37.9W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Gate charge: 70nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF16N60NTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF16N60NTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF16N60NTonsemiMOSFETs SupreMOS 16A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N60
Produktcode: 73379
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N60onsemi / FairchildMOSFETs SuperFET2, 190mohm
auf Bestellung 717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.06 EUR
10+3.67 EUR
100+3.44 EUR
500+3.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N60onsemiMOSFETs SuperFET2, 190mohm
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.46 EUR
10+4.4 EUR
100+3.97 EUR
500+3.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.6 EUR
50+4.46 EUR
100+4.06 EUR
500+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N60-F152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N60-F152onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N60-F152ON Semiconductor / FairchildMOSFET 600V, 20.2A, 199mOhm SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N60-F154onsemiMOSFETs SF2 600V 190MOHM F TO220F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N60-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N60EON Semiconductor
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N60Eonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-CHAN MOSFET
auf Bestellung 6024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.53 EUR
10+3.92 EUR
100+3.77 EUR
500+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N60EONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.19 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1472 Stücke:
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28+9.15 EUR
31+7.66 EUR
100+4.18 EUR
500+3.92 EUR
1000+3.8 EUR
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FCPF190N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FCPF190N60EonsemiMOSFETs 600V N-CHAN MOSFET
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FCPF190N60E-F152onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
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FCPF190N60E-F152ON Semiconductor / FairchildMOSFET 650V, 190mOhm SuperFET II MOSFET
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FCPF190N60E-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.23 EUR
10+6.14 EUR
100+4.38 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FCPF190N60E-F154onsemiMOSFETs SF2 600V 190MOHM E TO220F
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1+9.34 EUR
10+6.22 EUR
100+4.44 EUR
500+3.96 EUR
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FCPF190N60E_F152Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V TO-220-3
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FCPF190N65FL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
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FCPF190N65FL1ON Semiconductor / FairchildMOSFET SF2 650V 190MOHM F TO220F
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FCPF190N65FL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
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FCPF190N65FL1onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FCPF190N65FL1-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 100 V
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.53 EUR
50+5.53 EUR
100+5.06 EUR
500+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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