Produkte > IXT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTH1N450HV | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTH1N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 1 A, 80 ohm, TO-247HV, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH1N450HV | Littelfuse | Power MOSFET | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH1N450HV | IXYS | Description: MOSFET N-CH 4500V 1A TO247HV Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247HV Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH1N450HV | IXYS | MOSFETs High Voltage Power MOSFET | auf Bestellung 518 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH1R4N250P3 | Littelfuse | MOSFETs Discrete MOSFET 1.4A 2500V P3 TO247 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH200N075T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 200A TO-247 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH200N085T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 200A TO247 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH200N10T | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTH200N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 550W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 550W Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe TrenchMV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH200N10T | IXYS | MOSFETs 200 Amps 100V 5.4 Rds | auf Bestellung 2828 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH200N10T | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH200N10T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 550W (Tc) | auf Bestellung 4289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH200N10T | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO247-3; 76ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Power dissipation: 550W Case: TO247-3 On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 76ns | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH20N50D | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH20N50D | IXYS | MOSFETs 20 Amps 500V 0.33 Rds | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH20N60 | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH20N60 | IXYS | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IXTH20N60 | IXYS | MOSFETs 20 Amps 600V 0.35 Rds | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH20N60 | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH20N60 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH20N60 | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH20N65X | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 320W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH20N65X | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Power dissipation: 320W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 0.35µs Gate charge: 35nC | auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH20N65X | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH20N65X | IXYS | MOSFETs 650V/9A Power MOSFET | auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH20N65X2 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Power dissipation: 290W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.185Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 0.35µs Gate charge: 27nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH20N65X2 | Littelfuse | Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH20N65X2 | IXYS | MOSFETs TO247 650V 20A N-CH X3CLASS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH20N65X2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V | auf Bestellung 891 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH20P50P | IXYS | MOSFETs -20.0 Amps -500V 0.450 Rds | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH20P50P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH20P50P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 500V 20A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V | auf Bestellung 1326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH20P50P | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTH20P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 20 A, 0.45 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 460W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH20P50P | TO-247 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IXTH20P50P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH20P50P. | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTH20P50P. - MOSFET, P-CH, 500V, 20A, TO-247 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 460W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm directShipCharge: 25 | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH21N50 | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH Si 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH21N50 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH21N50 | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH Si 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH21N50 | IXYS | MOSFETs 21 Amps 500V 0.25 Rds | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH21N50Q | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH220N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 220A TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 430W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH220N055T | IXYS | MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH220N075T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 220A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH220N20X4 | Littelfuse | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH220N20X4 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 800W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: ISO TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V | auf Bestellung 1085 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH220N20X4 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTH220N20X4 - Leistungs-MOSFET, Klasse X4, n-Kanal, 200 V, 220 A, 4100 µohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 800W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH220N20X4 | IXYS | MOSFETs TO247 200V 220A N-CH X4CLASS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH22N50P | IXYS | MOSFETs 22 Amps 500V 0.27 Ohm Rds | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH22N50P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH22N50P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH230N085T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 230A TO247 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH240N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 240A TO247 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH240N15X4 | IXYS | MOSFETs TO247 150V 240A N-CH HIPER | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH240N15X4 | Littelfuse | X4-Class Power MOSFET | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH240N15X4 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTH240N15X4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 240 A, 4400 µohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 940W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH240N15X4 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 150V 240A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 120A, 10V Power Dissipation (Max): 940W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH24N50 | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH24N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MegaMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH24N50 | IXYS | MODULE | auf Bestellung 271 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH24N50 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH24N50 | IXYS | MOSFETs 24 Amps 500V 0.23 Rds | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH24N50 | MOSFET N-CH 500V 24A TO247 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IXTH24N50 | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH24N50A | IXYS | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IXTH24N50L | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH24N50L | IXYS | MOSFETs 24 Amps 500V 0.30 Ohms Rds | auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH24N50L | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH24N50L | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 400W; TO247-3; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 24A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 0.5µs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH24N50L | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 20V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V | auf Bestellung 376 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH24N65X2 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 390ns Gate charge: 36nC Technology: X2-Class Power dissipation: 390W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH24N65X2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V | auf Bestellung 324 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH24N65X2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH24N65X2 | IXYS | MOSFETs TO247 650V 24A N-CH X2CLASS | auf Bestellung 586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH24P20 | MOSFET TO-247 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IXTH24P20 | IXYS | Description: MOSFET P-CH 200V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V | auf Bestellung 379 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH24P20 | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH24P20 | IXYS | MOSFETs -24 Amps -200V 0.15 Rds | auf Bestellung 1121 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH24P20 | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH24P20 | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH24P20. | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTH24P20. - MOSFET, P-CH, 200V, 24A, TO-247 tariffCode: 0 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm directShipCharge: 25 | auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH250N075T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 250A TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 550W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH260N055T2 | IXYS | MOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A | auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH260N055T2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 55V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH260N055T2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V | auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH260N055T2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 55V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH260N055T2 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns Case: TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Polarisation: unipolar Gate charge: 0.14µC Reverse recovery time: 60ns On-state resistance: 3.3mΩ Drain current: 260A Power dissipation: 480W Drain-source voltage: 55V Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH26N60P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH26N60P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH26N60P | IXYS | MOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH26N60P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH26N60P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH26P20P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH26P20P | IXYS | MOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH26P20P | IXYS | Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V | auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH26P20P | IXYS | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: -200V Drain current: -26A Gate charge: 56nC Reverse recovery time: 240ns On-state resistance: 0.17Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH26P20P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH270N04T4 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 270A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9140 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH270N04T4 | IXYS | MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH280N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 280A TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Power Dissipation (Max): 550W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc) FET Type: N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTH2N150 | IXYS | MOSFETs TO247 1.5KV 2A N-CH HIVOLT | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IXTH2N150L | IXYS | MOSFET MSFT N-CH LINEAR STD | auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|