Produkte > STP

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 20A D2PAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.59 EUR
10+13.46 EUR
100+10.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20 A Silicon Carbide Diode
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.42 EUR
10+13.51 EUR
100+11.29 EUR
500+11.27 EUR
1000+9.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+11.85 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+9.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+11.85 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20H12GY-TRSTMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A D2PAK Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.16 EUR
10+13.26 EUR
100+10.52 EUR
500+9.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20H12WLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin DO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20H12WLSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.68 EUR
30+14.91 EUR
120+13.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20H12WLSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.62 EUR
10+15.96 EUR
100+13.3 EUR
250+12.76 EUR
600+11.73 EUR
1200+10.56 EUR
3000+10.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 2 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 6993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.87 EUR
10+2.23 EUR
100+1.56 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.18 EUR
2500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
10+2.61 EUR
100+2.03 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12B-TR1STMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
auf Bestellung 14977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
auf Bestellung 879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1200 V
auf Bestellung 13838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.46 EUR
10+3.51 EUR
100+2.43 EUR
500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12B2Y-TRSTMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DPAK Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 2 A High surge Silicon Carbide Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1200 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Leakage current: 80µA
Max. load current: 10A
Max. forward voltage: 2.25V
Load current: 5A
Max. forward impulse current: 15A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Case: DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.69 EUR
108+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 2A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 2005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
50+2 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.69 EUR
108+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC2H12D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 15.6 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 15.6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.25 EUR
88+2.64 EUR
100+2.33 EUR
500+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V power Schottky silicon carbide diode
auf Bestellung 6810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.87 EUR
10+2.15 EUR
100+2.03 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G065L2YSTMicroelectronicsDescription: 650V 30A HIGH SURGE SILICON CARB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1890pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: HU3PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G065L2YSTMicroelectronicsDescription: 650V 30A HIGH SURGE SILICON CARB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1890pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: HU3PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.47 EUR
10+14.79 EUR
50+11.94 EUR
100+11.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G065WLSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 30A Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+8.39 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G065WLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC30G065WL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 63 A, 86 nC, DO-247LL
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 86nC
rohsCompliant: TBA
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 63A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.9 EUR
20+11.6 EUR
100+8.68 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G065WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 30A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.74 EUR
10+7.91 EUR
100+6.62 EUR
600+5.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G065WLYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 30A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.49 EUR
10+8.38 EUR
100+7.02 EUR
600+6.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G065WLYSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 30A Automotive Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G065WLYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC30G065WLY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 63 A, 86 nC, DO-247LL
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 86nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 63A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+17.95 EUR
16+14.55 EUR
19+11.48 EUR
50+10.39 EUR
100+9.27 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G12WLSTMicroelectronicsDescription: 1200 V, 20 A HIGH SURGE SILICON
Packaging: Tube
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.17 EUR
10+24.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G12WLSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.42 EUR
10+25.22 EUR
25+24.17 EUR
50+23.4 EUR
100+21.3 EUR
250+20.25 EUR
600+18.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G12WLYSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE 1200 V, 30 A SILICON
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2272pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: DO-247 LL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 225 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.81 EUR
10+29.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G12WLYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 1200 V, 30 A Silicon Carbide Diode
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.93 EUR
10+30.26 EUR
25+29.02 EUR
50+28.06 EUR
100+25.55 EUR
250+24.31 EUR
600+22.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30H12CWLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC30H12CWL - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 30 A, 94 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+21.91 EUR
50+21.16 EUR
100+20.43 EUR
250+19.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30H12CWLSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 38A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.47 EUR
10+17.28 EUR
100+15.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30H12CWLSTMDIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30H12CWLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V power Schottky silicon carbide diode
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.5 EUR
10+14.39 EUR
100+14.14 EUR
600+14.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC31H12CWYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC31H12CWY - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 30 A, 94 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.28 EUR
9+26.62 EUR
11+20.73 EUR
50+19.34 EUR
100+18.44 EUR
250+17.52 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC31H12CWYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC31H12CWYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 2x15A 1200V Power Schottky Silicon Carbide Diode Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40065CWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40065CWSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon-carbide diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40065CWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40065CWSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.56 EUR
30+14.18 EUR
120+12.13 EUR
510+11.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40065CWYSTMicroelectronics
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40065CWYSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247; Ir: 2mA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 0.4kA
Leakage current: 2mA
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Max. load current: 40A
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40065CWYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.42 EUR
10+17.03 EUR
100+12.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40065CWYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 40A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40065CWYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 40 A dual SiC Power Schottky Diode
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.3 EUR
10+11.9 EUR
100+10.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40065CWYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC40065CWY - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 62 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 62
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+29.92 EUR
10+26.45 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC406B
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC406B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
auf Bestellung 3342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.55 EUR
10+2.92 EUR
100+2 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC406B-TRSTMSchottky Diodes & Rectifiers 600 V Power Schottky Diode, D2PAK-2 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC406B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.52 EUR
10+2.78 EUR
100+2 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.52 EUR
2500+1.39 EUR
5000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC406B-TR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC406B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC406DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC406DSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC406DSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC406D
Produktcode: 57913
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC406DSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC406DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40G12WLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC40G12WL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 202 nC, DO-247LL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 202nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.74 EUR
9+28.89 EUR
10+24.42 EUR
50+24.16 EUR
100+23.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40G12WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.56 EUR
10+20.97 EUR
100+17.42 EUR
600+15.54 EUR
1200+13.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40G12WLSTMicroelectronicsDescription: 1200 V, 20 A HIGH SURGE SILICON
Packaging: Tube
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.99 EUR
30+22.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40G12WLYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 1200 V, 40A power Schottky High Surge silicon carbide diode
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.78 EUR
10+38.53 EUR
25+36.82 EUR
50+34.64 EUR
100+32.93 EUR
250+31.39 EUR
600+29.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40G12WLYSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE 1200 V, 40A POWER SCH
Packaging: Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.53 EUR
30+27.86 EUR
120+27.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40H12CWLSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 38A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.33 EUR
10+22.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40H12CWLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 40 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.36 EUR
10+23.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40H12CWYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 2x20A 1200V Power Schottky Silicon Carbide Diode Automotive
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.41 EUR
10+25.97 EUR
25+25.91 EUR
100+21.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40H12CWYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 1200V 20A TO-247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40H12CWYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC40H12CWY - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 129 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.69 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4G065DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC4G065D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 14.5 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.05 EUR
78+3 EUR
113+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4G065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
auf Bestellung 1966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.89 EUR
100+2.32 EUR
500+2.26 EUR
1000+1.93 EUR
2000+1.27 EUR
5000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4G065UFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
auf Bestellung 2939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.11 EUR
10+2.64 EUR
100+1.82 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.31 EUR
5000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 4A Schottky silicon carbide DPAK
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+3 EUR
100+2.06 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.54 EUR
2500+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.32 EUR
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.32 EUR
73+3.18 EUR
107+2.01 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.31 EUR
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.18 EUR
107+2.01 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.76 EUR
100+2.2 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V pwr Schottky 4A 650V VRRM
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+1.75 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.17 EUR
5000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118  [ Nächste Seite >> ]