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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1200 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.69 EUR
108+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V power Schottky silicon carbide diode
auf Bestellung 6810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.87 EUR
10+2.15 EUR
100+2.03 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.69 EUR
108+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC2H12D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 15.6 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 15.6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.25 EUR
88+2.64 EUR
100+2.33 EUR
500+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2H12DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 2A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 2005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
50+2 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G065L2YSTMicroelectronicsDescription: 650V 30A HIGH SURGE SILICON CARB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1890pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: HU3PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.02 EUR
10+12.44 EUR
25+11.54 EUR
100+10.57 EUR
250+10.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G065L2YSTMicroelectronicsDescription: 650V 30A HIGH SURGE SILICON CARB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1890pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: HU3PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G065WLSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 30A Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+8.39 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G065WLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC30G065WL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 63 A, 86 nC, DO-247LL
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 86nC
rohsCompliant: TBA
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 63A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.9 EUR
20+11.6 EUR
100+8.68 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G065WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 30A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.74 EUR
10+7.91 EUR
100+6.62 EUR
600+5.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G065WLYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 30A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.49 EUR
10+8.38 EUR
100+7.02 EUR
600+6.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G065WLYSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 30A Automotive Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G065WLYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC30G065WLY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 63 A, 86 nC, DO-247LL
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 86nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 63A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+17.95 EUR
16+14.55 EUR
19+11.48 EUR
50+10.39 EUR
100+9.27 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G12WLSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.42 EUR
10+25.22 EUR
25+24.17 EUR
50+23.4 EUR
100+21.3 EUR
250+20.25 EUR
600+18.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G12WLSTMicroelectronicsDescription: 1200 V, 20 A HIGH SURGE SILICON
Packaging: Tube
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.17 EUR
10+24.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G12WLYSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE 1200 V, 30 A SILICON
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2272pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: DO-247 LL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 225 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.81 EUR
10+29.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30G12WLYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 1200 V, 30 A Silicon Carbide Diode
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.93 EUR
10+30.26 EUR
25+29.02 EUR
50+28.06 EUR
100+25.55 EUR
250+24.31 EUR
600+22.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30H12CWLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V power Schottky silicon carbide diode
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.5 EUR
10+14.39 EUR
100+14.14 EUR
600+14.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30H12CWLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC30H12CWL - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 30 A, 94 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+21.91 EUR
50+21.16 EUR
100+20.43 EUR
250+19.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30H12CWLSTMDIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC30H12CWLSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 38A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.47 EUR
10+17.28 EUR
100+15.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC31H12CWYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC31H12CWY - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 30 A, 94 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.28 EUR
9+26.62 EUR
11+20.73 EUR
50+19.34 EUR
100+18.44 EUR
250+17.52 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC31H12CWYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC31H12CWYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 2x15A 1200V Power Schottky Silicon Carbide Diode Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40065CWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40065CWSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.56 EUR
30+14.18 EUR
120+12.13 EUR
510+11.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40065CWSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon-carbide diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40065CWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40065CWYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 40 A dual SiC Power Schottky Diode
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.3 EUR
10+11.9 EUR
100+10.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40065CWYSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247; Ir: 2mA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 0.4kA
Leakage current: 2mA
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Max. load current: 40A
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40065CWYSTMicroelectronics
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40065CWYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 40A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40065CWYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC40065CWY - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 62 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 62
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+29.92 EUR
10+26.45 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40065CWYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.42 EUR
10+17.03 EUR
100+12.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC406B
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC406B-TRSTMSchottky Diodes & Rectifiers 600 V Power Schottky Diode, D2PAK-2 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC406B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
auf Bestellung 3342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.55 EUR
10+2.92 EUR
100+2 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC406B-TR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC406B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode
auf Bestellung 900 Stücke:
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1+4.52 EUR
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100+2 EUR
500+1.63 EUR
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2500+1.39 EUR
5000+1.38 EUR
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STPSC406B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+1.33 EUR
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STPSC406DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode
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STPSC406DSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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STPSC406DSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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STPSC406DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
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STPSC406DSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 7 Stücke:
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STPSC406D
Produktcode: 57913
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STPSC40G12WLSTMicroelectronicsDescription: 1200 V, 20 A HIGH SURGE SILICON
Packaging: Tube
auf Bestellung 90 Stücke:
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1+28.99 EUR
30+22.98 EUR
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STPSC40G12WLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC40G12WL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 202 nC, DO-247LL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 202nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.74 EUR
9+28.89 EUR
10+24.42 EUR
50+24.16 EUR
100+23.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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STPSC40G12WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 533 Stücke:
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1+27.56 EUR
10+20.97 EUR
100+17.42 EUR
600+15.54 EUR
1200+13.23 EUR
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STPSC40G12WLYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 1200 V, 40A power Schottky High Surge silicon carbide diode
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.78 EUR
10+38.53 EUR
25+36.82 EUR
50+34.64 EUR
100+32.93 EUR
250+31.39 EUR
600+29.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40G12WLYSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE 1200 V, 40A POWER SCH
Packaging: Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.53 EUR
30+27.86 EUR
120+27.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40H12CWLSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 38A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.33 EUR
10+22.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40H12CWLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 40 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 478 Stücke:
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1+24.36 EUR
10+23.17 EUR
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STPSC40H12CWYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 2x20A 1200V Power Schottky Silicon Carbide Diode Automotive
auf Bestellung 596 Stücke:
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1+34.41 EUR
10+25.97 EUR
25+25.91 EUR
100+21.07 EUR
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STPSC40H12CWYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 1200V 20A TO-247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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STPSC40H12CWYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC40H12CWY - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 129 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.69 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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STPSC4G065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
auf Bestellung 1966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.89 EUR
100+2.32 EUR
500+2.26 EUR
1000+1.93 EUR
2000+1.27 EUR
5000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4G065DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC4G065D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 14.5 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.05 EUR
78+3 EUR
113+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4G065UFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
auf Bestellung 2939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.11 EUR
10+2.64 EUR
100+1.82 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.31 EUR
5000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.32 EUR
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.76 EUR
100+2.2 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.32 EUR
73+3.18 EUR
107+2.01 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 4A Schottky silicon carbide DPAK
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+3 EUR
100+2.06 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.54 EUR
2500+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.31 EUR
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.18 EUR
107+2.01 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V pwr Schottky 4A 650V VRRM
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+1.75 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.17 EUR
5000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DISTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 4A TO220AC INS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.58 EUR
10+3.2 EUR
100+2.26 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.62 EUR
2000+1.54 EUR
5000+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 4 A, 650 V SiC Power Schottky Diode
auf Bestellung 1301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+2.07 EUR
3000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.24 EUR
71+2.42 EUR
100+2.07 EUR
500+1.83 EUR
3000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.24 EUR
71+2.46 EUR
100+2.15 EUR
500+1.94 EUR
3000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
auf Bestellung 12301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
199+3.32 EUR
500+3.09 EUR
1000+2.87 EUR
10000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC5H12B-TR1
Produktcode: 175681
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
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STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
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STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
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STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
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STPSC5H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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550+3.4 EUR
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STPSC5H12DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 2772 Stücke:
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3+7.94 EUR
10+5.27 EUR
100+3.76 EUR
500+3.44 EUR
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STPSC5H12DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC5H12D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 36 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2148 Stücke:
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27+9.32 EUR
40+5.89 EUR
100+4.31 EUR
500+3.3 EUR
1000+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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STPSC5H12DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 5 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 774 Stücke:
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1+8.19 EUR
10+4.65 EUR
100+4.14 EUR
500+3.88 EUR
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STPSC5H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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STPSC5H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
550+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 550 Stücke
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STPSC5H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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STPSC5H12DSTMDiode 1200 V 5A Through Hole TO-220AC Діоди та діодні збірки
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STPSC5H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
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53+3.33 EUR
58+2.83 EUR
59+2.7 EUR
100+2.46 EUR
250+2.33 EUR
500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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STPSC5H12DSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220AC; Ir: 200uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 210A
Leakage current: 0.2mA
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
auf Bestellung 38 Stücke:
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21+4.16 EUR
26+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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