Produkte > StP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| STPSC6H065DLF | STMicroelectronics | Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC6H065DLF | STMicroelectronics | Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC6H065G-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: D2PAK Current - Average Rectified (Io): 6A Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC6H065G-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: D2PAK Current - Average Rectified (Io): 6A Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC6H065G-TR | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c | auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC6H12B-TR1 | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 6A DPAK Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 6 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: DPAK Current - Average Rectified (Io): 6A Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC6H12B-TR1 | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V | auf Bestellung 1733 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC6H12B-TR1 | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 1200V 6A Schottky 1.55V Vf 30pF 29nC | auf Bestellung 2066 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC6H12B-TR1 | STMicroelectronics | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAKHV; SiC; SMD; 1.2kV; 6A; reel,tape Semiconductor structure: single diode Technology: SiC Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Max. forward voltage: 2.6V Load current: 6A Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 1.2kV Case: D2PAKHV | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC6TH13TI | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diod | auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC6TH13TI | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC6TH13TI - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, zweifach, in Reihe, 650V, 6A, 18nC, TO-220AB tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Kapazitive Gesamtladung: 18nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: 650V productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC6TH13TI | STMicroelectronics | Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220 Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AB Insulated Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 1997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC8065D | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC8065D | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 8A Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | auf Bestellung 1004 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC8065D | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC8065D | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC8065D | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC8065D | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode | auf Bestellung 814 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC8065D | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC8065D | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8065D | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8065DY | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 28 nC, TO-220AC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC8065DY | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 8 A SiC Power schottky Diode | auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC8065DY | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC806D | STMicroelectronics | Rectifier Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | auf Bestellung 951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC806D | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 8A Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC806D | STMicroelectronics | Rectifier Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC806D | STMicroelectronics | Schottky Diodes & Rectifiers 600 V Power Schottky Silicon Diode | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 332-336 Tag (e) |
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| STPSC806G-TR | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 600V Power Schottky 8A 10 nC No Reverse | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC806G-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 600V 8A D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: D²PAK Current - Average Rectified (Io): 8A Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC806G-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 600V 8A D2PAK Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: D²PAK Current - Average Rectified (Io): 8A Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065B-TR | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 650 V 8A Schottky silicon carbide DPAK | auf Bestellung 7431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC8H065B-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC8H065B-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky 650V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065B-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V | auf Bestellung 13528 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC8H065BY-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065BY-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC8H065BY-TR | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 8 A Silicon Carbide Diode | auf Bestellung 2472 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC8H065BY-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065BY-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4051 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC8H065CT | STMicroelectronics | Schottky Diodes & Rectifiers 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode | auf Bestellung 1048 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065CT | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065CT | STMicroelectronics | Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065D | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC | auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC8H065D | STMicroelectronics | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ufmax: 2.5V Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220AC Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2.5V Max. load current: 33A Max. forward impulse current: 420A Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.23...1.32mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065D | STMicroelectronics | Diode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065D | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 650 V 8A Schottky silicn carbid TO-220 | auf Bestellung 781 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC8H065D | STMicroelectronics | Diode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065DI | STMicroelectronics | Diode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065DI | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode | auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC8H065DI | STMicroelectronics | Description: DIODE SIC 650V 8A TO220AC INS Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC ins Current - Average Rectified (Io): 8A Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC Packaging: Tube | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC8H065DI | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DI - SiC-Schottky-Diode, ECOPACK2 Series, Einfach, 650 V, 8 A, 23.5 nC, TO-220AC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 23.5nC euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ECOPACK2 Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC8H065DI | STMicroelectronics | Diode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065DI | STMicroelectronics | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ufmax: 2.5V Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220AC Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2.5V Max. load current: 33A Leakage current: 335µA Max. forward impulse current: 420A Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.23...1.32mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065DLF | STMicroelectronics | Description: DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Current - Average Rectified (Io): 8A Capacitance @ Vr, F: 460pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065DLF | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 8A 4-Pin Power Flat EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065DLF | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: PowerFLAT Kapazitive Gesamtladung: 26nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC8H065DLF | STMicroelectronics | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PowerFLAT; SiC; SMD; 650V; 8A Type of diode: Schottky rectifying Case: PowerFLAT Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.95V Max. load current: 32A Leakage current: 335µA Max. forward impulse current: 0.8kA Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065DLF | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 8A 4-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065DLF | STMicroelectronics | Description: DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 460pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC8H065DLF | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 8A 4-Pin Power Flat EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065DLF | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: PowerFLAT Kapazitive Gesamtladung: 26nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC8H065DLF | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 8 A 650 V SiC Power Schottky Diode | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC8H065G-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065G-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky 650V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065G-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065G-TR | STMicroelectronics | Schottky Diodes & Rectifiers 650 V 8A Schottky silicon carbid T2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065G2Y-TR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 23.5 nC, D2PAK HV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: D2PAK HV Kapazitive Gesamtladung: 23.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 931 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC8H065G2Y-TR | STMicroelectronics | Schottky Diodes & Rectifiers DFD THYR TRIAC & RECTIFIER | auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065G2Y-TR | STM | Diode SiC Schottky 650V 8A 3-Pin D2PAK HV Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065G2Y-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: D2PAK HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065G2Y-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC8H065G2Y-TR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 23.5 nC, D2PAK HV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: D2PAK HV Kapazitive Gesamtladung: 23.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 931 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC8H065G2Y-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: D2PAK HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8H065G2Y-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC8TH13TI | STMicroelectronics | Schottky Diodes & Rectifiers Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diode | auf Bestellung 894 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC8TH13TI | STMicroelectronics | Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AB Insulated Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 | auf Bestellung 1738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC8TH13TI | STMicroelectronics | Rectifier Diode Schottky 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSL2045TV | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STPSL8010TV | ST | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| STPST10H100SB-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 715 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 26 µA @ 100 V | auf Bestellung 1417 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPST10H100SB-TR | STMicroelectronics | Schottky Diodes & Rectifiers 100 V, 10 A, Power Schottky Trench Rectifier | auf Bestellung 1271 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPST10H100SB-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 715 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 26 µA @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPST10H100SBYTR | STMicroelectronics | Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 715 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 26 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 663 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPST10H100SBYTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPST10H100SBYTR - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 210A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 715mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ECOPACK2 Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPST10H100SBYTR | STMicroelectronics | Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 715 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 26 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPST10H100SBYTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPST10H100SBYTR - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 210A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 715mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ECOPACK2 Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPST10H100SBYTR | STMicroelectronics | Schottky Diodes & Rectifiers Automotive 100 V, 10 A, Power Schottky Trench Rectifier | auf Bestellung 1336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPST10H100SF | STMicroelectronics | Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 26 µA @ 100 V | auf Bestellung 4013 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPST10H100SF | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPST10H100SF - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Einfach, TO-277A, 3 Pin(s), 700 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277A Durchlassstoßstrom: 235A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 700mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPST10H100SF | STMicroelectronics | Schottky Diodes & Rectifiers 100 V, 10 A Power Schottky Trench Rectifier | auf Bestellung 833 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPST10H100SF | STMicroelectronics | Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 26 µA @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPST10H100SF | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPST10H100SF - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Einfach, TO-277A, 3 Pin(s), 700 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277A Durchlassstoßstrom: 235A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 700mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPST10H100SFY | STMicroelectronics | Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 26 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPST10H100SFY | STMicroelectronics | Diode Schottky Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) PSMC T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPST10H100SFY | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPST10H100SFY - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Einfach, TO-277A, 3 Pin(s), 700 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277A Durchlassstoßstrom: 235A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 700mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPST10H100SFY | STMicroelectronics | Schottky Diodes & Rectifiers Automotive 100 V, 10 A Power Schottky Trench Rectifier | auf Bestellung 4414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPST10H100SFY | STMicroelectronics | Diode Schottky Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) PSMC T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPST10H100SFY | STMicroelectronics | Diode Schottky Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) PSMC T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPST10H100SFY | STMicroelectronics | Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 26 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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