Produkte > StP

Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 12 24 36 48 60 72 84 96 108 113 114 115 116 117 118 119 120  Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.4 EUR
124+1.34 EUR
125+1.29 EUR
126+1.23 EUR
250+1.17 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.7 EUR
10+3.69 EUR
100+2.93 EUR
500+2.51 EUR
1000+1.86 EUR
2000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 6A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.72 EUR
10+5.07 EUR
100+3.56 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H12B-TR1STMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200V 6A Schottky 1.55V Vf 30pF 29nC
auf Bestellung 2066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.87 EUR
10+4.76 EUR
100+3.47 EUR
500+2.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H12B-TR1STMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAKHV; SiC; SMD; 1.2kV; 6A; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: D2PAKHV
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6TH13TISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diod
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.1 EUR
10+3.58 EUR
100+3.28 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6TH13TISTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC6TH13TI - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, zweifach, in Reihe, 650V, 6A, 18nC, TO-220AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6TH13TISTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AB Insulated
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.7 EUR
50+5.31 EUR
100+4.55 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 1004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.65 EUR
50+2.82 EUR
100+2.55 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+1.89 EUR
100+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.62 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8065DYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC8065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 28 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.62 EUR
76+3.06 EUR
100+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8065DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 8 A SiC Power schottky Diode
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.72 EUR
10+5.07 EUR
100+3.8 EUR
500+3.17 EUR
1000+2.93 EUR
2000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC806DSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2 EUR
89+1.87 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC806DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC806DSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC806DSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 600 V Power Schottky Silicon Diode
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 332-336 Tag (e)
1+6.03 EUR
10+5.51 EUR
100+4.94 EUR
500+4.33 EUR
1000+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC806G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 600V Power Schottky 8A 10 nC No Reverse
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC806G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 8A D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC806G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 8A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 8A Schottky silicon carbide DPAK
auf Bestellung 7431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.58 EUR
10+3.31 EUR
100+3 EUR
500+2.43 EUR
10000+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
auf Bestellung 13528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+3.37 EUR
100+2.74 EUR
500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065BY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065BY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 8 A Silicon Carbide Diode
auf Bestellung 2472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.37 EUR
10+4.16 EUR
100+3.25 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.7 EUR
2500+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065BY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.6 EUR
10+4.99 EUR
100+3.5 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065CTSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065CTSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065CTSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
10+4.74 EUR
50+3.65 EUR
100+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ufmax: 2.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 33A
Max. forward impulse current: 420A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 8A Schottky silicn carbid TO-220
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.78 EUR
10+3.61 EUR
100+3.12 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.24 EUR
2000+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.25 EUR
10+4.32 EUR
100+3.92 EUR
500+3.2 EUR
1000+3.06 EUR
2000+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DISTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 8A TO220AC INS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Packaging: Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.57 EUR
10+5.63 EUR
50+4.37 EUR
100+3.96 EUR
500+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DISTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DI - SiC-Schottky-Diode, ECOPACK2 Series, Einfach, 650 V, 8 A, 23.5 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 23.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ECOPACK2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.75 EUR
38+6.13 EUR
100+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DISTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ufmax: 2.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 33A
Leakage current: 335µA
Max. forward impulse current: 420A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 460pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 4-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DLFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 26nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DLFSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerFLAT; SiC; SMD; 650V; 8A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerFLAT
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.95V
Max. load current: 32A
Leakage current: 335µA
Max. forward impulse current: 0.8kA
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 460pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 4-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DLFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 26nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.5 EUR
41+5.74 EUR
100+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DLFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 8 A 650 V SiC Power Schottky Diode
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.85 EUR
10+4.02 EUR
100+3.64 EUR
500+3.01 EUR
3000+2.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G-TRSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 650 V 8A Schottky silicon carbid T2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G2Y-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 23.5 nC, D2PAK HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK HV
Kapazitive Gesamtladung: 23.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.51 EUR
500+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G2Y-TRSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G2Y-TRSTMDiode SiC Schottky 650V 8A 3-Pin D2PAK HV Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.93 EUR
48+3.47 EUR
49+3.28 EUR
50+3.11 EUR
100+2.69 EUR
250+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G2Y-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 23.5 nC, D2PAK HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK HV
Kapazitive Gesamtladung: 23.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.32 EUR
45+5.18 EUR
100+3.51 EUR
500+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065G2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8TH13TISTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diode
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.47 EUR
10+9.57 EUR
100+8.48 EUR
500+7.6 EUR
1000+7.02 EUR
2000+6.58 EUR
5000+6.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8TH13TISTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AB Insulated
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.34 EUR
50+8.2 EUR
100+7.03 EUR
500+6.25 EUR
1000+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8TH13TISTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSL2045TV
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSL8010TVST
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPST10H100SB-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 715 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 26 µA @ 100 V
auf Bestellung 1417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
13+1.67 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPST10H100SB-TRSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 100 V, 10 A, Power Schottky Trench Rectifier
auf Bestellung 1271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.63 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.68 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPST10H100SB-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 715 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 26 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPST10H100SBYTRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 715 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 26 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.89 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPST10H100SBYTRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPST10H100SBYTR - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 210A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 715mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ECOPACK2 Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
133+1.75 EUR
198+1.08 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPST10H100SBYTRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 715 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 26 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPST10H100SBYTRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPST10H100SBYTR - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 210A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 715mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ECOPACK2 Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.9 EUR
133+1.75 EUR
198+1.08 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPST10H100SBYTRSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 100 V, 10 A, Power Schottky Trench Rectifier
auf Bestellung 1336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.93 EUR
10+1.86 EUR
100+1.24 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.9 EUR
2500+0.73 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPST10H100SFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 26 µA @ 100 V
auf Bestellung 4013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
14+1.61 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPST10H100SFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPST10H100SF - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Einfach, TO-277A, 3 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 235A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.3 EUR
121+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPST10H100SFSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 100 V, 10 A Power Schottky Trench Rectifier
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.57 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.68 EUR
6000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPST10H100SFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 26 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPST10H100SFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPST10H100SF - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Einfach, TO-277A, 3 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 235A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.3 EUR
121+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPST10H100SFYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 26 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPST10H100SFYSTMicroelectronicsDiode Schottky Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) PSMC T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.93 EUR
209+0.81 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.55 EUR
6000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPST10H100SFYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPST10H100SFY - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Einfach, TO-277A, 3 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 235A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.68 EUR
137+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPST10H100SFYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 100 V, 10 A Power Schottky Trench Rectifier
auf Bestellung 4414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.38 EUR
100+1.02 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.67 EUR
6000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPST10H100SFYSTMicroelectronicsDiode Schottky Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) PSMC T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.19 EUR
185+0.9 EUR
209+0.76 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.49 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPST10H100SFYSTMicroelectronicsDiode Schottky Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) PSMC T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPST10H100SFYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 26 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
16+1.38 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 12 24 36 48 60 72 84 96 108 113 114 115 116 117 118 119 120  Nächste Seite >> ]