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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFD123HARRISIRFD123
auf Bestellung 19804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+2.21 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.77 EUR
10000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.49 EUR
10+1.67 EUR
100+1.17 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123PBF
Produktcode: 26821
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HD-1
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 1,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/11
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.86 EUR
10+0.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD123PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD123PBF - N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.3A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD1Z0
auf Bestellung 13800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD1Z3HARRISIRFD1Z3
auf Bestellung 11664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+1.32 EUR
549+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD1Z3Harris CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 12328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
579+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 579 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD1Z3HARRIS1997
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210Harris CorporationDescription: 0.6A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+26.7 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210onsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210IRFD210 Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210HARRISIRFD210
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+2.32 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210PBF
Produktcode: 118708
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 200V 1.5A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210PBFMOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD210PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 1.5 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.47 EUR
88+2.64 EUR
100+2.4 EUR
500+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD213HARRISIRFD213
auf Bestellung 4122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.64 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD213
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD213Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
auf Bestellung 5563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
384+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 384 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD213HARRISIRFD213
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.64 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD214IR09+
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD214Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD214Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD214PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD214PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 0.45A 4-Pin HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD214PBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 250V 0.45 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220Harris CorporationDescription: 0.8A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 480mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
579+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 579 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220VishayTrans MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFD220PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=200V, Id=0.8A@T=25C, Id=0.5A@T=100C, Rds=0.8 R, P=1.0W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220(94-2188)
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 200V .8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.08 EUR
10+2.56 EUR
100+2.4 EUR
500+1.48 EUR
2500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220PBFMOSFET N-CH 200V 0.8A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.3 A, 0.8 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.92 EUR
171+1.37 EUR
199+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 480mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.96 EUR
10+2.52 EUR
100+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD220PBF
Produktcode: 22410
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HD-1
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 0,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 260/14
Montage: THT
auf Bestellung: 28 St.
  • 28 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.93 EUR
10+0.73 EUR
100+0.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD223
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD224
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD224Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD224PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD224PBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 250V 0.63 Amp
auf Bestellung 1735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.76 EUR
100+1.43 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
5000+1.09 EUR
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IRFD224PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP
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IRFD224PBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFD224PBF. - MOSFET N, HEXDIP
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IRFD3055
auf Bestellung 12500 Stücke:
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IRFD310Harris CorporationDescription: 0.4A 400V 3.600 OHM N-CHANNEL
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 210mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 3189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
243+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
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IRFD310
auf Bestellung 1000 Stücke:
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IRFD310HARRISIRFD310
auf Bestellung 3059 Stücke:
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207+3.15 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
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IRFD310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.35A 4-Pin HVMDIP
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRFD310PBFVishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
auf Bestellung 2375 Stücke:
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1+4.4 EUR
10+2.78 EUR
100+1.43 EUR
500+1.33 EUR
2500+1.23 EUR
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IRFD310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.35A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 201 Stücke
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IRFD310PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 350 mA, 3.6 ohm, DIP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 350
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.6
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: To Be Advised
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IRFD310PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 350MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 210mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFD310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.35A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFD311Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
auf Bestellung 1332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
203+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
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IRFD311HARRISIRFD311
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.57 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
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IRFD313HARRISIRFD313
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.34 EUR
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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IRFD313Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
325+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
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IRFD3202002 DIP-4
auf Bestellung 15621 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFD320HARRISIRFD320
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+3.65 EUR
500+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
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IRFD320Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 490MA 4HVMDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
155+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
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IRFD320Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFD320PBF
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IRFD320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 3814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.44 EUR
138+1.25 EUR
250+1.21 EUR
500+1.11 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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IRFD320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.23 EUR
93+1.81 EUR
115+1.42 EUR
250+1.34 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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IRFD320PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 400V .49A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.2 EUR
100+2.2 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.75 EUR
2500+1.56 EUR
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IRFD320PBFТранзистори
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IRFD320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 3814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.57 EUR
122+1.38 EUR
138+1.18 EUR
250+1.12 EUR
500+1 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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IRFD320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.9 EUR
113+1.52 EUR
250+1.48 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.14 EUR
2000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
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IRFD320PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD320PBF - N CHANNEL MOSFET, 400V, 490mA, HD-1
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 490
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD320PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 210mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
auf Bestellung 2713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.05 EUR
10+3.25 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.65 EUR
2000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFD320PBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFD320PBF. - MOSFET N, HEXDIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD321Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD322Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
auf Bestellung 1111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
177+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD322HARRISIRFD322
auf Bestellung 1111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+3.18 EUR
500+2.98 EUR
1000+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD323HARRISIRFD323
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+2.84 EUR
500+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD323Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
198+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD420Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFD420
Produktcode: 86636
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD420Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD420Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD420PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD420PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 370 mA, 3 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 370
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD420PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 0.37A 4-Pin HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD420PBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.95 EUR
100+2.37 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.9 EUR
2500+1.57 EUR
5000+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD420PBFMOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD420PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9010Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9010IR09+
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9010Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9010PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 580mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFD9010PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFD9010PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9010PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 1.1 A, 0.35 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.59 EUR
98+2.39 EUR
149+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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