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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFD9010PBFVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.87 EUR
10+1.93 EUR
100+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9010PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9010PBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFD9010PBF. - P CHANNEL MOSFET, -50V, 1.1A, HD-1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.52 EUR
95+2.46 EUR
104+2.06 EUR
115+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9012
auf Bestellung 37000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9014VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9014Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9014 (Feldeffekttransistor)
Produktcode: 43571
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VishayTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 270/12
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9014PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 60V 1.1A P-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9014PBFVishay SiliconixTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9014PBF
Produktcode: 43657
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VishayTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HVMDIP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Id, A: 1,1 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,50 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 270/12
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.43 EUR
10+0.42 EUR
100+0.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9014PBFVishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 12, Rds = 0,5 Ом, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+185, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.25 EUR
159+1.06 EUR
178+0.9 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9020Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFD9020PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9020IR
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9020Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9020PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 60V 1.6A P-CH MOSFET
auf Bestellung 3720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+2.59 EUR
100+1.95 EUR
250+1.92 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.44 EUR
2500+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9020PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9020PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.28 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.55 EUR
87+2.67 EUR
115+1.87 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9020PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.4 EUR
10+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9020PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9024
Produktcode: 31844
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SiliconixTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HD-1
Drain-Source-Spannung Uds, V: 80 V
Drain-Strom Id, A: 1,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 570/19
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.09 EUR
10+0.99 EUR
100+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9024Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.28 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.34 EUR
83+2.81 EUR
100+2.57 EUR
500+2 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9024PBFMOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9024PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 60V 1.6A P-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9024PBF
Produktcode: 48522
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110Harris CorporationDescription: 0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 6914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
550+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 550 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110SiliconixP-MOSFET 0.7A 100V 1.3W 1.2Ω IRFD9110 TIRFD9110
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110HARRISIRFD9110
auf Bestellung 1914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
765+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 765 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.95 EUR
104+1.65 EUR
200+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF
Produktcode: 59118
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VishayTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HVMDIP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 0,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 200/8,7
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.3 EUR
10+1.08 EUR
100+0.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF(MOSFET,P-CH,100V,0.7A,DIP-4) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 100V .7A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.33 EUR
10+2.24 EUR
100+1.9 EUR
500+1.68 EUR
2500+1.43 EUR
25000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4 EUR
82+2.86 EUR
106+2.02 EUR
500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9113(MOSFET,P-CH,80V,0.6A,DIP-4) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9113Harris CorporationDescription: -0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
485+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 485 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9113Vishay / SiliconixMOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9113HARRISIRFD9113
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
413+1.58 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9113Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9113HARRISIRFD9113
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
413+1.58 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9120International RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; IRFD9120 TIRFD9120
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9120Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 11222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
222+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9120SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; IRFD9120 TIRFD9120
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9120Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9120HARRISIRFD9120
auf Bestellung 4076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.34 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9120PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9120PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.72 EUR
87+2.69 EUR
115+1.87 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9120PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 100V 1A P-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9120PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9120PBF
Produktcode: 31845
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HD-1
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 390/18
auf Bestellung: 8 St.
  • 8 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9120PBFVishay SiliconixP-CH. 100V 1.0A HVMDIP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9123Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
auf Bestellung 15501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
386+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 386 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9123HARRISIRFD9123
auf Bestellung 4144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+1.99 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9123HARRISIRFD9123
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+1.99 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9123Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9123HARRISIRFD9123
auf Bestellung 11072 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+1.99 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.58 EUR
10000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9123HARRISIRFD9123
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+1.99 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9123PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9123PBFVishayMOSFET P-CHANNEL 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210
Produktcode: 155079
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VishayTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HVMDIP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Id, A: 0,4 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/8,9
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210VishayP-MOSFET 0.4A 200V 1W 3Ω IRFD9210 TIRFD9210
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.25A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.63 EUR
63+1.37 EUR
72+1.19 EUR
94+0.92 EUR
139+0.61 EUR
200+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 1695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.5 EUR
174+0.99 EUR
200+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.81 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 200V .4A P-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 400 mA, 3 ohm, DIP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Schwellenspannung Vgs: 4
Wandlerpolarität: p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 400
Betriebstemperatur, max.: 150
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220IRFD9220 Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 560mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 340mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD9220PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220VishayTrans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP IRFD9220 IRFD9220 TIRFD9220
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBFVishay SiliconixP-Channel 200 V 0.56 A DIP-4 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD9220PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 560 mA, 1.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
149+1.56 EUR
188+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 560mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 340mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 200V .56A P-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBF (DIP-4, Siliconix)
Produktcode: 31846
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SiliconixTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HD-1
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 0,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 340/15
Montage: THT
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IRFD9220PBF..VISHAYDescription: VISHAY - IRFD9220PBF.. - P CHANNEL MOSFET, -200V, 560mA HD-1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRFDC03IORTO220/
auf Bestellung 25 Stücke:
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IRFDC20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRFDC20Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
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IRFDC20IRFDC20 Транзистори
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IRFDC20
Produktcode: 130199
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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IRFDC20PBF600V, 4.4Ohm, 0.32A, Pbf Транзистори
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IRFDC20PBFVishayIRFDC20PBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP - Arrow.com
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IRFDC20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFDC20PBF - N CHANNEL MOSFET, 600V, 320mA, HD-1
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 320
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRFDC20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 190mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
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IRFDC20PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 600V .32A N-CH MOSFET
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