Produkte > IPC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IPC045N10L3X1SA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 31190 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC045N10L3X1SA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 3-Pin Chip Wafer | auf Bestellung 36749 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC045N10L3X1SA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 3-Pin Chip Wafer | auf Bestellung 36749 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC045N10L3X1SA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA Supplier Device Package: Sawn on foil Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 31190 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC045N10N3X1SA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: Sawn on foil Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 31190 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC055N03L3X1SA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: Sawn on foil Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC100N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TDSON-8-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC100N04S5-1R9 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 100W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC100N04S5-2R8 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 75W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 24890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 24890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 19895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 176515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP IPC100N04S51R2ATMA1 TIPC100n04s51r2 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 823578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6577 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 19970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 8311 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S51R7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 327825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S51R7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 21615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 186780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 390000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R9ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S51R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 30/40V | auf Bestellung 1692 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 20750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R9ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S51R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm | auf Bestellung 211 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 130521 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 390000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S52R8ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S52R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 14493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 87275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 16962 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V,40V) | auf Bestellung 3626 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC100N04S52R8ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S52R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 14493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5376 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L-1R1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC100N04S5L-1R5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 115W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC100N04S5L-1R9 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 100W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 81nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC100N04S5L-2R6 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 75W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm | auf Bestellung 10999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12595 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 15720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 30/40V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 30/40V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 38019 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5023 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 34132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 12125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm | auf Bestellung 30101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3844 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 55000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm | auf Bestellung 30101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6724 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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