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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTH60N10IXYSMOSFETs 60 Amps 100 V 0.033 W Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N15IXYSMOSFETs 60 Amps 150V 0.033 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N20L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N20L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.44 EUR
10+27.61 EUR
120+27.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N20L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.88 EUR
30+22.57 EUR
120+20.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N20L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 330ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N20X4IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X4-Class; N; 200V; 60A; 250W; TO247-3; 110ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X4-Class
Polarisation: N
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 110ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N20X4IXYSMOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.02 EUR
10+17.14 EUR
120+15.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N20X4IXYSDescription: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.5 EUR
30+17.41 EUR
60+16.09 EUR
120+14.98 EUR
510+13.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N25IXYSMOSFET 60 Amps 250V 0.046 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 60A TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N30TIXYSMOSFET 60 Amps 300V 60 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N25TIXYSMOSFETs 62 Amps 250V 50 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 62A TO247
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N65X2IXYSMOSFETs TO247 650V 62A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.14 EUR
10+16.53 EUR
120+15.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 62A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 25 V
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.04 EUR
30+16.47 EUR
120+14.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 62A; 780W; TO247-3; 445ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 445ns
Gate charge: 0.1µC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH62N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 780W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+31.49 EUR
10+23.86 EUR
50+18.64 EUR
100+17.7 EUR
250+16.26 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N10L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 357W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 180ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N10L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH64N10L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 64 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.56 EUR
15+16.34 EUR
16+13.39 EUR
50+12.69 EUR
100+11.97 EUR
250+11.73 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N10L2IXYSMOSFETs TO247 100V 64A N-CH LINEAR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N10L2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.66 EUR
30+11.04 EUR
120+10.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N65XIXYSMOSFETs 650V/64A Power MOSFET
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.09 EUR
10+25.19 EUR
120+20.99 EUR
510+18.71 EUR
1020+17.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N65XIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 64A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N65XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 64A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 450ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH67N10IXYSTO252
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH67N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 33.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH67N10IXYSMOSFETs 67 Amps 100V 0.025 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH68P20TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH68P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 68 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+41.73 EUR
7+35.06 EUR
10+28.96 EUR
50+28.11 EUR
100+27.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH68P20TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.87 EUR
30+28.69 EUR
60+28.52 EUR
120+26.85 EUR
270+24.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH68P20TIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 68A TO247
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 34A, 10V
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.58 EUR
30+21.65 EUR
120+19.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH68P20T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH68P20T. - MOSFET, P-CH, 200V, 68A, TO-247
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N100D2IXYSMOSFETs 6Amps 1000V
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.61 EUR
10+14.45 EUR
120+14.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
auf Bestellung 1023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.24 EUR
30+15.91 EUR
60+14.68 EUR
120+13.65 EUR
510+12.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N100D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH6N100D2. - MOSFET, N-CH, 1KV, 6A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.17 EUR
11+21.88 EUR
12+17.99 EUR
25+15.77 EUR
100+13.54 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.53 EUR
25+21.18 EUR
50+19.88 EUR
100+18.75 EUR
250+17.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N120IXYSMOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.92 EUR
10+20.17 EUR
30+16.42 EUR
60+16.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N120
Produktcode: 151533
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N120Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N120.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH6N120. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 6A, TO-247 AD
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.98 EUR
7+36.71 EUR
10+30.98 EUR
25+28.01 EUR
100+25.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.82 EUR
120+8.34 EUR
510+8.08 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150IXYSMOSFETs HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150IXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 6A TO247
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.69 EUR
30+17.58 EUR
120+15.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+13.59 EUR
120+12.99 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 6A; 540W; TO247-3; 1.5us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.5µs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.82 EUR
120+8.16 EUR
510+7.78 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+13.58 EUR
120+13.27 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.44 EUR
30+15.39 EUR
60+14.2 EUR
120+13.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N50D2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.76 EUR
10+10.57 EUR
30+9.89 EUR
120+9.03 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N50D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 0.55 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.81 EUR
12+19.59 EUR
15+14.91 EUR
50+11.72 EUR
100+10.86 EUR
250+10.01 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.06 EUR
10+14.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N80AIXYSMOSFETs 6 Amps 800 V 1.4 W Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N80AIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO247
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N90AIXYSMOSFET 6 Amps 900V 1.4 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N90AIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH72N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 72A TO247
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH72N20IXYSMOSFET 72 Amps 200V 0.033 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH72N20TIXYSMOSFETs 72 Amps 200V 33 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH72N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 72A TO247
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH72N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 72A TO247
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH72N30TIXYSMOSFETs 72 Amps 300V 52 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH74N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 74A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10IXYSTO-263
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10IXYSMOSFETs STD N-CHNL PWR MOSFE 100V, 75A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10L2IXYSMOSFETs LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA
auf Bestellung 1899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.81 EUR
10+23.73 EUR
120+22.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH75N10L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+40.31 EUR
8+30.84 EUR
10+22.36 EUR
50+20.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.25 EUR
30+19.41 EUR
120+17.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Linear L2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH75N10L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+44.55 EUR
7+36.25 EUR
10+28.7 EUR
50+23.97 EUR
100+22.41 EUR
250+20.84 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IXTH75N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXTH75N15IXYSMOSFETs 75 Amps 150V
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IXTH75N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 75A TO247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
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IXTH76N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXTH76N25TIXYSMOSFET 76 Amps 250V 39 Rds
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IXTH76N25T
Produktcode: 188251
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IXTH76N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO247
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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IXTH76P10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
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IXTH76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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18+9.58 EUR
20+8.53 EUR
25+7.68 EUR
50+7.31 EUR
100+6.52 EUR
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IXTH76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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18+9.58 EUR
20+8.71 EUR
25+7.97 EUR
50+7.71 EUR
100+7.07 EUR
500+6.03 EUR
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IXTH76P10TIXYSMOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
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120+8.95 EUR
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IXTH7N50Транзистори
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IXTH7P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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30+22.38 EUR
120+21.43 EUR
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IXTH7P50TO-247 Транзистори
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IXTH7P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH7P50Littelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 7A TO247
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 204 Stücke:
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