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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTH68P20TIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 68A TO247
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 34A, 10V
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.58 EUR
30+21.65 EUR
120+19.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH68P20TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.87 EUR
30+28.69 EUR
60+28.52 EUR
120+26.85 EUR
270+24.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH68P20T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH68P20T. - MOSFET, P-CH, 200V, 68A, TO-247
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N100D2IXYSMOSFETs 6Amps 1000V
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.79 EUR
10+15.66 EUR
120+14.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.74 EUR
30+14.96 EUR
120+12.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N100D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH6N100D2. - MOSFET, N-CH, 1KV, 6A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.11 EUR
25+19.44 EUR
100+13.52 EUR
250+12.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N120IXYSMOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.92 EUR
10+20.17 EUR
30+16.42 EUR
60+16.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.79 EUR
25+21.43 EUR
50+20.12 EUR
100+18.98 EUR
250+18.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N120Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N120
Produktcode: 151533
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+13.73 EUR
120+13.42 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150IXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 6A TO247
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.69 EUR
30+17.58 EUR
120+15.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 6A; 540W; TO247-3; 1.5us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.5µs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.92 EUR
120+8.44 EUR
510+8.18 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+13.76 EUR
120+13.14 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150IXYSMOSFETs HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.92 EUR
120+8.26 EUR
510+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.31 EUR
10+12.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N50D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.34 EUR
30+12.84 EUR
120+11.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N50D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 0.55 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.81 EUR
12+19.59 EUR
15+14.91 EUR
50+11.72 EUR
100+10.86 EUR
250+10.01 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N80AIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO247
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N80AIXYSMOSFETs 6 Amps 800 V 1.4 W Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N90AIXYSMOSFET 6 Amps 900V 1.4 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N90AIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH72N20IXYSMOSFET 72 Amps 200V 0.033 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH72N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 72A TO247
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH72N20TIXYSMOSFETs 72 Amps 200V 33 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH72N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 72A TO247
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH72N30TIXYSMOSFETs 72 Amps 300V 52 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH72N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 72A TO247
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH74N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 74A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10IXYSTO-263
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10IXYSMOSFETs STD N-CHNL PWR MOSFE 100V, 75A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.25 EUR
30+19.41 EUR
120+17.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH75N10L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+44.55 EUR
7+36.25 EUR
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50+23.97 EUR
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250+20.84 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10L2IXYSMOSFETs LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA
auf Bestellung 2759 Stücke:
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120+23.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH75N10L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+40.31 EUR
8+30.84 EUR
10+22.36 EUR
50+20.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Linear L2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 75A TO247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N15IXYSMOSFETs 75 Amps 150V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH76N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO247
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH76N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH76N25T
Produktcode: 188251
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IXTH76N25TIXYSMOSFET 76 Amps 250V 39 Rds
auf Bestellung 302 Stücke:
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1+12.21 EUR
10+10.45 EUR
30+8.6 EUR
120+8.16 EUR
270+7.96 EUR
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IXTH76P10TIXYSMOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.64 EUR
30+9.37 EUR
120+8.95 EUR
510+8.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 1297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.69 EUR
20+8.63 EUR
25+7.76 EUR
50+7.39 EUR
100+6.59 EUR
500+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH76P10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
auf Bestellung 3054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.94 EUR
30+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 1297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.69 EUR
20+8.82 EUR
25+8.06 EUR
50+7.81 EUR
100+7.15 EUR
500+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH7N50Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH7P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+31.2 EUR
30+23.41 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH7P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.43 EUR
30+22.65 EUR
120+21.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH7P50Littelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 7A TO247
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.7 EUR
30+27.07 EUR
120+26.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH7P50TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH7P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+31.34 EUR
30+24.04 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N075L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH80N075L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.67 EUR
14+16.85 EUR
17+13.36 EUR
50+12.77 EUR
100+12.15 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N075L2IXYSMOSFETs TO247 N-CH 75V 80A
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.59 EUR
10+15.4 EUR
120+13.11 EUR
510+11.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N075L2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.46 EUR
11+16.42 EUR
30+14.84 EUR
120+13.22 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N075L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.72 EUR
30+10.48 EUR
120+8.9 EUR
510+8.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N20LIXYSMOSFETs Standard Linear Power MOSFETs
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.13 EUR
10+18.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N20LIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N65X2IXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 650, Id = 80 А, Rds = 40 мОм @ 40 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 4000 мкА, Р, Вт = 890, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7753 pF @ 25 V
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.59 EUR
30+20.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH80N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 890
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 137nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 465ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N65X2MOSFET N-CH 650V 80A TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N65X2IXYSMOSFETs TO247 650V 80A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.96 EUR
10+20.44 EUR
120+20.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH86N20TIXYSMOSFET 86 Amps 200V 29 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH86N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 86A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH86N25TIXYSMOSFETs TO247 250V 86A N-CH TRENCH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH86N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 86A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 540W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH88N15IXYSMOSFETs 88 Amps 150V 0.022 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH88N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 88A TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH88N30PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH88N30PIXYSMOSFETs 88 Amps 100 V 0.04 Ohms Rds
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.77 EUR
10+18.39 EUR
120+17.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH88N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH8P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH8P50IXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 8A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH8P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+8.73 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH8P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+9.98 EUR
100+9.09 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH8P50TO-247 Транзистори
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IXTH8P50IXYSMOSFETs -8 Amps -500V 1.2 Rds
auf Bestellung 2156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.3 EUR
10+15.71 EUR
120+13.07 EUR
510+12.7 EUR
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IXTH8P50LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH8P50 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 8 A, 1.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.84 EUR
16+15.29 EUR
19+11.7 EUR
50+11.44 EUR
100+11.19 EUR
250+10.92 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IXTH90N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 90A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXTH90P10PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
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8+22.25 EUR
10+19.99 EUR
30+17.06 EUR
120+16.41 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IXTH90P10PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Power dissipation: 462W
Gate charge: 0.12µC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 25mΩ
Reverse recovery time: 144ns
Mounting: THT
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.68 EUR
6+15.08 EUR
10+13.63 EUR
30+11.67 EUR
60+10.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH90P10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.11 EUR
30+16.02 EUR
120+13.73 EUR
510+13.24 EUR
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