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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
PMPB10XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
687+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 687 Stücke
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PMPB10XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
687+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 687 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB10XNEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB10XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.01 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB10XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB10XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2689+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2689 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB10XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
726+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 726 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB10XNEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB10XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.01 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB10XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB10XNEAXNexperiaMOSFETs 20 V, N-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB10XNEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB10XNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 10 V
auf Bestellung 4846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.2 EUR
24+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB10XNEZNexperiaMOSFETs PMPB10XNE/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 3438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.62 EUR
100+0.42 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB10XNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB10XNXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB10XNXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 30V 9.5A
auf Bestellung 3142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+0.8 EUR
50+0.59 EUR
100+0.52 EUR
250+0.51 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB10XNXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB10XNXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1761 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 10622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.81 EUR
33+0.55 EUR
100+0.41 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB10XNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB10XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.5 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB10XNXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB10XNXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1761 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB10XNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB10XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.5 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB11EN,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB11EN,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.012 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB11EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB11EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 864000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2916+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2916 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB11EN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 9A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
auf Bestellung 1765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.06 EUR
28+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB11EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB11EN,115NexperiaMOSFETs PMPB11EN/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.83 EUR
50+0.61 EUR
100+0.53 EUR
250+0.51 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB11EN,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB11EN,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.012 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB11EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB11EN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 9A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB11EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB11ENXNexperia USA Inc.Description: PMPB11EN/SOT1220/SOT1220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB11R2VPXNexperiaMOSFETs PMPB11R2VP/SOT1220-2/DFN2020M-
auf Bestellung 3945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+0.57 EUR
100+0.53 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB11R2VPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB11R2VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9.7 A, 0.0112 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB11R2VPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 9.7A DFN2020M-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB11R2VPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB11R2VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9.7 A, 0.0112 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12EPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12EPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 7.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12EPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 7.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12EPXNexperiaMOSFET PMPB12EPX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12R5EPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB12R5EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0125 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12R5EPXNexperiaMOSFET PMPB12R5EP/SOT1220-2/DFN2020M-
auf Bestellung 8893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.94 EUR
10+0.82 EUR
100+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.34 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12R5EPXNexperia USA Inc.Description: PMPB12R5EP - 30 V, P-CHANNEL TRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1392 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12R5EPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB12R5EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0125 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12R5EPXNexperia USA Inc.Description: PMPB12R5EP - 30 V, P-CHANNEL TRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1392 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12R5UPEXNexperiaMOSFET MOS DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12R5UPEXNexperia USA Inc.Description: PMPB12R5UPE/SOT1220-2/DFN2020M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12R5UPEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB12R5UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13 A, 0.0118 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12R5UPEXNexperia USA Inc.Description: PMPB12R5UPE/SOT1220-2/DFN2020M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
auf Bestellung 3405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
38+0.47 EUR
100+0.32 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12R5UPEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB12R5UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13 A, 0.0118 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12R7EPXNexperia USA Inc.Description: PMPB12R7EP - 30 V, P-CHANNEL TRE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1638 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12R7EPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB12R7EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.0127 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12R7EPXNexperiaMOSFETs SOT1220 P-CH 30V 8.7A
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.09 EUR
10+0.66 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12R7EPXNexperia USA Inc.Description: PMPB12R7EP - 30 V, P-CHANNEL TRE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1638 pF @ 15 V
auf Bestellung 3778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.23 EUR
24+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12R7EPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB12R7EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.0127 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12UN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN2020MD (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12UN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-DFN2020MD (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
auf Bestellung 65963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1268+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12UNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 5265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
701+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 701 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12UNEAXNexperiaMOSFETs 20 V, N-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12UNEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.39 EUR
21+0.86 EUR
50+0.63 EUR
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12UNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12UNEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12UNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 5265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
701+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 701 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12UNEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.23 EUR
24+0.76 EUR
50+0.55 EUR
100+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12UNEXNexperiaMOSFETs PMPB12UNE/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 5448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.07 EUR
10+0.66 EUR
100+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.23 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB12UNEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13UPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 9.1A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13UPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB13UPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 13 A, 0.013 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13UPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 12V 9.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13UPXNexperiaMOSFETs 12 V, P-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 5090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13UPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 9.1A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13UPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB13UPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 13 A, 0.013 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13UPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 12V 9.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3364+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13UPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 12V 9.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13XNENexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13XNE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2965+0.18 EUR
10000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2965 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13XNE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2195 pF @ 15 V
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.22 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
15000+0.18 EUR
21000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13XNE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13XNE,115NexperiaMOSFETs SOT1220 N CHAN 30V
auf Bestellung 4870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.79 EUR
10+0.59 EUR
100+0.34 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13XNE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13XNE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2195 pF @ 15 V
auf Bestellung 51641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.97 EUR
30+0.6 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13XNE/S500,XNexperiaPMPB13XNE/S500,X
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2335+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13XNE/S500,XNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB13XNE/S500,X - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2736 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13XNE/S500XNexperia USA Inc.Description: PMPB13XNE - N-Channel Power MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2195 pF @ 15 V
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2900+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13XNEAXNexperiaMOSFETs SOT1220 N CHAN 30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13XNEZNexperia USA Inc.Description: PMPB13XNE/SOT1220/SOT1220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2195 pF @ 15 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
auf Bestellung 2195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.27 EUR
23+0.78 EUR
50+0.57 EUR
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13XNEZNexperiaMOSFETs SOT1220 N CHAN 30V
auf Bestellung 4407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.05 EUR
10+0.64 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.22 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB13XNEZNexperia USA Inc.Description: PMPB13XNE/SOT1220/SOT1220
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2195 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14R0EPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 9A DFN2020M-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 15 V
auf Bestellung 2173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.25 EUR
23+0.78 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14R0EPXNexperiaMOSFET PMPB14R0EP/SOT1220-2/DFN2020M-
auf Bestellung 3891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+0.74 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.28 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14R0EPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 9A DFN2020M-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14R7EPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB14R7EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0145 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14R7EPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB14R7EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0145 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14R7EPXNexperiaMOSFETs PMPB14R7EP/SOT1220-2/DFN2020M-
auf Bestellung 1642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.85 EUR
10+0.71 EUR
100+0.64 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14R8XNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB14R8XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0148 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB14R8XNXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 7.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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