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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SCT3105KLHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
auf Bestellung 1619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.03 EUR
10+27.61 EUR
100+27.48 EUR
450+27.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KRC14Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.75 EUR
30+24.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KRC14ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.28 EUR
10+26.12 EUR
480+26.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.54 EUR
10+15.62 EUR
50+12.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105mohm 3rd Gen TO-247-4L
auf Bestellung 1047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.97 EUR
10+16.89 EUR
100+13.67 EUR
450+12.17 EUR
900+11.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3105KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.19 EUR
11+21.11 EUR
13+17.37 EUR
50+15.98 EUR
100+12.94 EUR
250+12.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KRHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3105KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.14 EUR
11+22.55 EUR
12+19.22 EUR
50+16.87 EUR
100+14.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.4 EUR
10+16.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105mohm 3rd Gen TO-247-4L
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.71 EUR
10+16.9 EUR
100+12.78 EUR
450+12.54 EUR
900+11.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Power Dissipation (Max): 125W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105m 3rd Gen TO-263-7L
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.11 EUR
10+22.1 EUR
100+19.65 EUR
500+18.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT3105KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+31.71 EUR
9+26.48 EUR
10+21.68 EUR
50+20.78 EUR
100+19.86 EUR
250+19.44 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.77 EUR
25+10.75 EUR
30+10.23 EUR
50+9.83 EUR
100+9.29 EUR
250+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 21A; Idm: 52A; 103W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 103W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3120ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 21A, 650V, 0.12 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 103W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.87 EUR
13+19.28 EUR
16+13.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.7 EUR
30+8.16 EUR
120+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.02 EUR
30+8.88 EUR
120+8.75 EUR
510+8.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.21 EUR
25+10.58 EUR
50+9.96 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.7 EUR
30+7.98 EUR
120+7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.77 EUR
25+10.75 EUR
30+10.23 EUR
50+9.83 EUR
100+9.29 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.29 EUR
10+12.34 EUR
100+10.58 EUR
450+9.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.21 EUR
25+10.58 EUR
50+9.96 EUR
100+9.4 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Power Dissipation (Max): 103W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.72 EUR
30+9.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.72 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.22 EUR
25+16.18 EUR
50+15.2 EUR
100+14.34 EUR
250+13.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.07 EUR
10+12.57 EUR
100+10.7 EUR
450+10.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.97 EUR
30+8.56 EUR
120+8.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.97 EUR
30+8.75 EUR
120+8.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120AW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 120m 3rd Gen TO-263-7L
auf Bestellung 2763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.8 EUR
10+14.85 EUR
100+12.86 EUR
500+12.19 EUR
1000+11.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 21A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Power Dissipation (Max): 100W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 21A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Power Dissipation (Max): 100W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.84 EUR
10+17.31 EUR
100+13.08 EUR
500+11.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120AW7TLROHMDescription: ROHM - SCT3120AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21 A, 650 V, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.65 EUR
15+16.05 EUR
17+12.8 EUR
50+12.55 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.61 EUR
25+11.9 EUR
50+11.2 EUR
100+10.58 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
auf Bestellung 3304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.5 EUR
10+9.84 EUR
450+9.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3160KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 17A, 1.2kV, 0.16 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 103W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.92 EUR
11+21.49 EUR
13+16.58 EUR
50+14.97 EUR
100+13.34 EUR
250+13.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLGC11ROHM - JapanSiC-N-Ch 1200V 17A 103W 0,208R TO247 SCT3160KLGC11 : Rohm SCT3160KLGC11 TSCT3160klgc11
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+42.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800
auf Bestellung 3719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.72 EUR
30+12.96 EUR
120+11.04 EUR
510+9.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; 103W; TO247
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Power dissipation: 103W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.16Ω
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+15.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.73 EUR
19+9.07 EUR
50+8.18 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3160KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 17
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 103
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 103
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.29 EUR
10+19.66 EUR
50+16.45 EUR
100+13.65 EUR
200+12.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 103W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.46 EUR
30+18.27 EUR
120+18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.91 EUR
100+17.17 EUR
450+16.78 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.44 EUR
25+18.28 EUR
50+17.16 EUR
100+16.2 EUR
250+15.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.17 EUR
10+18.46 EUR
100+17.22 EUR
450+17.2 EUR
900+16.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+7.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT3160KW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+17.95 EUR
15+15.48 EUR
17+13.17 EUR
50+12.13 EUR
100+9.58 EUR
250+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7HRTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.85 EUR
25+11.19 EUR
50+10.52 EUR
100+9.94 EUR
250+9.5 EUR
500+9.09 EUR
1000+8.66 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7HRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7L
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.27 EUR
10+10.14 EUR
100+9.53 EUR
500+9.51 EUR
1000+8.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.66 EUR
10+12.82 EUR
50+10.31 EUR
100+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT3160KW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+17.95 EUR
15+15.48 EUR
17+13.17 EUR
50+12.13 EUR
100+9.58 EUR
250+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7HRTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+14.23 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7TLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.56 EUR
13+13.47 EUR
50+12.09 EUR
100+11.58 EUR
200+10.32 EUR
500+9.4 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7L
auf Bestellung 1718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.03 EUR
10+14.47 EUR
100+12.92 EUR
500+12.44 EUR
1000+11.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+14.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; Idm: 42A; 100W
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 100W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...22V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 208mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7TLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.31 EUR
25+14.91 EUR
50+13.68 EUR
100+12.42 EUR
250+12.17 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7TLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
auf Bestellung 3837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.24 EUR
10+17.62 EUR
100+13.32 EUR
500+11.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT3160KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.31 EUR
12+19.66 EUR
14+15.42 EUR
50+14.18 EUR
100+13.39 EUR
250+13.13 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KWAHRTLROHMDescription: ROHM - SCT3160KWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208ohm
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.06 EUR
17+14.16 EUR
21+10.63 EUR
50+9.29 EUR
100+7.95 EUR
250+7.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KWAHRTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+15.78 EUR
50+10.7 EUR
100+10.07 EUR
200+8.4 EUR
500+8.12 EUR
1000+6.77 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KWAHRTLROHMDescription: ROHM - SCT3160KWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.06 EUR
17+14.16 EUR
21+10.63 EUR
50+9.29 EUR
100+7.95 EUR
250+7.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KWAHRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7LA
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.83 EUR
10+12.21 EUR
100+9.15 EUR
1000+8.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KWAHRTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.45 EUR
25+10.73 EUR
50+9.88 EUR
250+8.69 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.11 EUR
10+12.41 EUR
50+9.97 EUR
100+9.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KWATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.19 EUR
25+10.25 EUR
50+9.28 EUR
100+8.33 EUR
250+7.96 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KWATLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.72 EUR
10+12.11 EUR
50+9.72 EUR
100+9.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KWATLROHMDescription: ROHM - SCT3160KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.81 EUR
14+17.49 EUR
16+13.6 EUR
50+12.47 EUR
100+11.33 EUR
250+11.09 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KWATLROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.42 EUR
10+11.91 EUR
100+8.88 EUR
1000+8.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KWATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.41 EUR
50+11.22 EUR
100+10.56 EUR
200+8.15 EUR
500+7.85 EUR
1000+6.57 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KWATLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KWATLROHMDescription: ROHM - SCT3160KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.81 EUR
14+17.49 EUR
16+13.6 EUR
50+12.47 EUR
100+11.33 EUR
250+11.09 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-055-1R1A045JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 14.87mH 5.5A DCR=65.26Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.83 EUR
10+15.05 EUR
25+13.97 EUR
50+13.53 EUR
80+12.88 EUR
240+12.65 EUR
560+12.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-055-1R1A045JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 14.87mH 5.5A DCR=65.26Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.85 EUR
10+14.2 EUR
25+13.39 EUR
60+12.63 EUR
120+12.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-060-S1R1A028JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 530V 5.92mH 6A DCR=38.97mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.71 EUR
10+16.21 EUR
25+15.14 EUR
300+14.83 EUR
540+14.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-060-S1R1A028JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 530V 5.92mH 6A DCR=38.97mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.57 EUR
10+17.41 EUR
60+15.14 EUR
120+14.88 EUR
300+14.16 EUR
540+13.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-065-1R2A038JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 10.61mH 6.5A DCR=44.89Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.2 EUR
10+15.08 EUR
25+13.97 EUR
50+13.55 EUR
80+12.07 EUR
240+11.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-065-1R2A038JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 10.61mH 6.5A DCR=44.89Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.2 EUR
10+15.08 EUR
25+13.97 EUR
60+13.55 EUR
120+12.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-070-S1R2A023JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 530V 3.99mH 7A DCR=27.19mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.71 EUR
10+16.21 EUR
25+15.14 EUR
300+14.83 EUR
540+14.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-070-S1R2A023JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 530V 3.99mH 7A DCR=27.19mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.57 EUR
10+17.41 EUR
60+15.14 EUR
120+14.88 EUR
300+14.16 EUR
540+13.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-075-1R3A032JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 7.51mH 7.5A DCR=31.93Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.2 EUR
10+15.08 EUR
25+13.97 EUR
50+13.55 EUR
80+12.07 EUR
240+11.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-075-1R3A032JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 7.51mH 7.5A DCR=31.93Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.85 EUR
10+14.2 EUR
25+13.39 EUR
60+12.63 EUR
120+12.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-080-S1R3A020JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 530V 3.02mH 8A DCR=19.97mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.71 EUR
10+16.21 EUR
25+15.05 EUR
60+14.85 EUR
120+14.83 EUR
540+14.27 EUR
1020+14.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-080-S1R3A020JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 530V 3.02mH 8A DCR=19.97mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.57 EUR
10+17.41 EUR
60+15.14 EUR
120+14.88 EUR
300+14.16 EUR
540+13.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-085-1R4A027JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 5.35mH 8.5A DCR=24.49Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.2 EUR
10+15.08 EUR
25+13.97 EUR
50+13.55 EUR
80+12.07 EUR
240+11.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-085-1R4A027JHKEMETDescription: IND COMMON MODE 5.35MH 8.5A
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.74 EUR
10+15.41 EUR
25+14.26 EUR
80+12.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-085-1R4A027JVKEMETDescription: IND COMMON MODE 5.35MH 8.5A
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.74 EUR
10+15.41 EUR
25+14.26 EUR
60+13.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-085-1R4A027JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 5.35mH 8.5A DCR=24.49Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.1 EUR
10+15.1 EUR
25+13.97 EUR
60+13.01 EUR
120+12.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-100-S1R4A017JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 530V 2.18mH 10A DCR=15mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.71 EUR
10+16.21 EUR
25+15.14 EUR
300+14.83 EUR
540+14.43 EUR
1020+14.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-100-S1R4A017JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 530V 2.18mH 10A DCR=15mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.57 EUR
10+17.41 EUR
60+15.14 EUR
120+14.88 EUR
300+14.16 EUR
540+13.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-105-1R5A024JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 4.22mH 10.5A DCR=18.25Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.2 EUR
10+15.08 EUR
25+13.97 EUR
50+13.55 EUR
80+12.07 EUR
240+11.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-105-1R5A024JHKEMETDescription: IND COMMON MODE 4.22MH 10.5A
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.74 EUR
10+15.41 EUR
25+14.26 EUR
80+12.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-105-1R5A024JVKEMETDescription: IND COMMON MODE 4.22MH 10.5A
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.74 EUR
10+15.41 EUR
25+14.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-105-1R5A024JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 4.22mH 10.5A DCR=18.25Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.85 EUR
10+14.68 EUR
25+13.7 EUR
60+13.14 EUR
120+12.51 EUR
300+11.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT31X-110-S1R5A015JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 530V 1.69mH 11A DCR=11.53mOhms Heat Resistant Thru Hole
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.71 EUR
10+16.21 EUR
25+15.14 EUR
300+14.83 EUR
540+14.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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