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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SQJQ141EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ141EL-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 390A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK EP T/R
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.7 EUR
42+4 EUR
44+3.71 EUR
50+3.53 EUR
100+3.02 EUR
250+2.83 EUR
500+2.53 EUR
1000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ141EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ141EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 390 A, 2000 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 2442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.29 EUR
37+6.31 EUR
100+4.12 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ141EL-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 390A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK EP T/R
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.7 EUR
42+4.08 EUR
44+3.86 EUR
50+3.72 EUR
100+3.28 EUR
250+3.15 EUR
500+2.88 EUR
1000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ141EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.79 EUR
10+5.81 EUR
100+4.11 EUR
500+3.38 EUR
1000+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ142E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6975 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ142E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ142E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 1240 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1240µohm
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
500+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ142E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6975 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.15 EUR
10+3.78 EUR
100+2.63 EUR
500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ142E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 6286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.24 EUR
10+4.06 EUR
100+2.83 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.26 EUR
2000+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ142E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ142E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 1240 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1240µohm
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.45 EUR
52+4.5 EUR
100+2.95 EUR
500+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ144AE-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.15 EUR
10+5.53 EUR
100+4.45 EUR
500+3.65 EUR
1000+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ144AE-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET Auto N-Channel 40V 175C
auf Bestellung 5889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.18 EUR
10+4.32 EUR
100+3.45 EUR
250+3.19 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.48 EUR
2000+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ144AE-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.47 EUR
500+3 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ144AE-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ144AE-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.84 EUR
44+5.38 EUR
100+3.47 EUR
500+3 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ144AE-T1_JE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+4.32 EUR
100+3.39 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.7 EUR
2000+2.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ144AER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ144AER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.93 EUR
55+4.22 EUR
100+2.74 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ144AER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 575A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.87 EUR
10+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ144AER-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.31 EUR
10+4.8 EUR
100+3.37 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.84 EUR
2000+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ144AER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ144AER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ144AER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 575A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ146E-T1/GE3VishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ146E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ146E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 487 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 487A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.67 EUR
500+3.08 EUR
1000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ146E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.72 EUR
10+5.09 EUR
100+3.58 EUR
500+3.01 EUR
2000+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ146E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ146E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 487 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 487A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.22 EUR
42+5.64 EUR
100+3.67 EUR
500+3.08 EUR
1000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ148E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 375A PPAK 8 X 8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ148E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ148E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 375A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.78 EUR
10+3.84 EUR
100+2.71 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ148E-T1_JE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ148E-T1_JE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1600 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 325W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ148E-T1_JE3Vishay / SiliconixMOSFETs
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+3.8 EUR
100+3 EUR
250+2.78 EUR
500+2.53 EUR
1000+2.28 EUR
2000+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ148E-T2_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ148E-T2_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1600 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 325W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.04 EUR
55+4.25 EUR
100+2.73 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ148E-T2_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ148E-T2_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1600 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 325W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ148ERVishayTrans MOSFET N-CH 40V 375A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ148ERVishayTrans MOSFET N-CH 40V 375A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ148ER-T1-GE3VishayVishay N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ148ER-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 4883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.59 EUR
10+4.32 EUR
100+3.01 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.43 EUR
2000+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ148ER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ148ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ148ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 1500 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 372A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.3 EUR
61+3.83 EUR
100+2.46 EUR
500+2.13 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ148ER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.18 EUR
10+4.05 EUR
100+2.81 EUR
500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ148ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ148ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 1500 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 372A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 394W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
500+2.13 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ150E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ150E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.0015 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.52 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ150E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4643 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 233A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ150E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ150E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.0015 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.75 EUR
125+1.86 EUR
133+1.62 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ150E-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C AEC-Q101
auf Bestellung 3208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.7 EUR
10+3.69 EUR
100+2.56 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.98 EUR
2000+1.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ150E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4643 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 233A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+3.84 EUR
100+2.65 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ160EVishay / SiliconixMOSFET Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ160E-T1 GE3VishayMOSFETs POWRPK N CHAN 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ160E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 602A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16070 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.03 EUR
10+4.87 EUR
100+3.57 EUR
500+3 EUR
1000+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ160E-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.8 EUR
36+4.68 EUR
38+4.32 EUR
50+4.12 EUR
100+3.27 EUR
250+3.11 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ160E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ160E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 602 A, 0.00055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 602A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
auf Bestellung 2451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.5 EUR
500+4.24 EUR
1000+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ160E-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.8 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ160E-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 8940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.19 EUR
10+5.55 EUR
25+5.46 EUR
100+4.08 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ160E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 602A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16070 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ160E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ160E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 602 A, 0.00055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 602A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.29 EUR
50+6.43 EUR
100+4.39 EUR
500+3.62 EUR
1000+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ160E-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ160E-T1_GE3Vishay SiliconixN-Channel 60 V 602A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ160EL-T1_GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 1141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.83 EUR
10+5.13 EUR
100+3.86 EUR
500+3.42 EUR
1000+3.33 EUR
2000+2.81 EUR
4000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ160EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ160EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 461 A, 800 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 461A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.4 EUR
37+6.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ160ER-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.85 EUR
10+5.15 EUR
100+3.86 EUR
500+3.42 EUR
1000+2.93 EUR
2000+2.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184E-T1/GE3VishayMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 1400 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.16 EUR
10+5.39 EUR
100+3.82 EUR
500+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 1400 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+10.95 EUR
50+6.74 EUR
100+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184E-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 430A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184E-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 430A; Idm: 1200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 430A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 600W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 272nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184E-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184E-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 430A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.02 EUR
35+6.66 EUR
100+4.45 EUR
500+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184ER-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET
auf Bestellung 3267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.87 EUR
10+5.78 EUR
25+5.45 EUR
100+4.8 EUR
2000+4.46 EUR
4000+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184ER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16009 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 10115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.23 EUR
10+6.1 EUR
100+4.33 EUR
500+3.57 EUR
1000+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.45 EUR
500+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184ER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16009 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ186E-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.41 EUR
10+4.63 EUR
100+3.37 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.62 EUR
2000+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ186E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ186E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ186ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.34 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ186ER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 329A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10552 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ186ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.57 EUR
46+5.15 EUR
100+3.34 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ186ER-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET
auf Bestellung 3111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+4.57 EUR
25+4.32 EUR
100+3.69 EUR
250+3.47 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ186ER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10552 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 329A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ402E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 38043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.76 EUR
10+4.16 EUR
100+2.92 EUR
500+2.53 EUR
1000+2.4 EUR
2000+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ402E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ402E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
auf Bestellung 38754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.41 EUR
10+4.18 EUR
100+2.92 EUR
500+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ404E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.72mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.87 EUR
10+4.5 EUR
100+3.15 EUR
500+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ404E-T1_GE3VishaySQJQ404E-T1_GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 200A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ404E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ404E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.00133 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00133ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00133ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.8 EUR
50+4.71 EUR
60+3.59 EUR
100+3.21 EUR
500+2.98 EUR
2000+2.78 EUR
4000+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ404E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.72mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ404E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ404E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.00133 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00133ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.21 EUR
500+2.98 EUR
2000+2.78 EUR
4000+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ404E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 8 x 8L
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.31 EUR
10+4.82 EUR
100+3.37 EUR
500+2.78 EUR
2000+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ410EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
10+4.74 EUR
100+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ410EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ410EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 1952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.25 EUR
42+5.64 EUR
100+3.64 EUR
500+3.06 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ410EL-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 11066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.75 EUR
10+5.09 EUR
100+3.58 EUR
500+3.01 EUR
2000+2.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ410EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ410EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ410EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 1952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.64 EUR
500+3.06 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ466E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 11661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.87 EUR
10+4.32 EUR
100+3.17 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.51 EUR
2000+2.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ466E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ466E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 A, 1900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.67 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ466E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.87 EUR
10+4.5 EUR
100+3.15 EUR
500+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ466E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ466E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 A, 1900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.12 EUR
42+5.57 EUR
100+3.67 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ466E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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