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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFK130N65X3LittelfuseLittelfuse MOSFET 130A 650V X3 TO264
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK130N65X3LittelfuseMOSFETs TO264 650V 130A N-CH X3CLASS
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFK140N20PIXYSMOSFETs 140 Amps 200V 0.018 Rds
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.99 EUR
10+23.65 EUR
100+22.41 EUR
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IXFK140N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 830W
Gate charge: 240nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 140A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.8 EUR
25+20.77 EUR
100+17.92 EUR
500+16.6 EUR
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IXFK140N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFK140N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 960W
Gate charge: 255nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 17mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 140A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.89 EUR
25+19.47 EUR
100+16.76 EUR
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IXFK140N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N25T
Produktcode: 45121
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N25TIXYSMOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 250V 140A
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFK140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+37.52 EUR
10+35.58 EUR
20+33.86 EUR
50+32.56 EUR
100+31.38 EUR
250+30.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N30PIXYSMOSFETs 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.85 EUR
10+34.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+37.52 EUR
10+35.58 EUR
20+33.86 EUR
50+32.56 EUR
100+31.38 EUR
250+30.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK140N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+47.58 EUR
10+40.44 EUR
50+37 EUR
100+33.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+30.55 EUR
5+28.14 EUR
10+26.05 EUR
25+22.82 EUR
50+22.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 140A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.79 EUR
25+33.28 EUR
100+29.13 EUR
500+28.76 EUR
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IXFK140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+37.52 EUR
10+35.58 EUR
20+33.86 EUR
50+32.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IXFK140N60X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 140A 600V X3 TO2
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFK140N60X3LittelfuseMOSFETs Discrete MOSFET 140A 600V X3 TO264
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK14N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 150A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N10IXYSMOSFETs 150 Amps 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N15IXYSMOSFETs 150 Amps 150V 0.0125 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N15PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK150N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 150 A, 0.019 ohm, TO-264AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.3
Bauform - Transistor: TO-264AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 150A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.16 EUR
25+32.19 EUR
100+28.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 300V
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3kW
Kind of package: tube
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+25.39 EUR
10+23.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.35 EUR
10+33.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30X3IXYSMOSFETs TO264 300V 150A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.68 EUR
10+31.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO264
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 890W
Gate charge: 254nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 8.3mΩ
Reverse recovery time: 167ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK15N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK160N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 160A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
auf Bestellung 6275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.88 EUR
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IXFK160N30TN-CH 300V 130A TO-264 Транзистори
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IXFK160N30TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXFK160N30TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFK160N30T - MOSFET, N-CH, 300V, 160A, TO-264
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1.39
Bauform - Transistor: TO-264
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: GigaMOS Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: To Be Advised
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IXFK160N30TIXYSMOSFETs 160A 300V
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IXFK160N30TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFK16N90QIXYSMOSFETs 16 Amps 900V 0.65 Rds
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXFK16N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 16A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXFK170N10IXYSMOSFETs 170 Amps 100V
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXFK170N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 515 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXFK170N10Транзистори
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IXFK170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+15.93 EUR
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IXFK170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+16.08 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXFK170N10PIXYSMOSFETs PolarHT HiperFET 100v, 170A
auf Bestellung 1312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.01 EUR
10+23.09 EUR
100+19.15 EUR
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IXFK170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 170A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
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IXFK170N20PIXYSMOSFETs 170 Amps 200V 0.014 Rds
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFK170N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N20PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N20PТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.93 EUR
25+24.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IXFK170N20TIXYSMOSFETs 170A 200V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19600 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N25X3IXYSMOSFETs 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 170A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.84 EUR
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IXFK1801IXYSDescription: MOSFET N-CH 18A TO264
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N07IXYSMOSFETs 180 Amps 70V 0.006 Rds
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N07TO-264AA Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N07LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 70V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 180A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N085IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N085IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N10IXYS08+ SOP
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N10LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N10IXYSMOSFETs 100V 180A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N10TO-264 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N15PIXYSMOSFETs 180 Amps 150V 0.011 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 180A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+24.07 EUR
10+21.77 EUR
25+20.24 EUR
50+19.27 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 180A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+24.07 EUR
10+22.25 EUR
25+21.02 EUR
50+20.35 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 180A
Power dissipation: 1390W
Case: TO264
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 364nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.92 EUR
5+21.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.65 EUR
25+13.11 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.21 EUR
25+28.64 EUR
100+24.95 EUR
500+24.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N25TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFK180N25T - MOSFET, N-CH, 250V, 180A, TO-264
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1.39
Bauform - Transistor: TO-264
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: GigaMOS Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+19.27 EUR
13+13.16 EUR
25+12.35 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N25TIXYSMOSFETs 180A 250V
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.76 EUR
10+28.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N25T
Produktcode: 45120
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IXFK200N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK200N10PIXYSMOSFETs 200 Amps 100V 0.0075 Rds
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36 EUR
10+27.14 EUR
100+23.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK200N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
auf Bestellung 146 Stücke:
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1+42.46 EUR
25+27.48 EUR
100+23.92 EUR
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IXFK20N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 20A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
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IXFK20N120IXYSMOSFETs 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXFK20N120PIXYSMOSFETs 20 Amps 1200V 1 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFK20N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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