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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFK110N07LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 70V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK110N65X3LittelfuseMOSFETs TO264 650V 110A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK110N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 110A 650V X3 TO2
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N20Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N20IXYSMOSFETs 200V 120A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N20
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N20PIXYSMOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 120A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N20PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+21.31 EUR
150+19.58 EUR
300+18.09 EUR
450+16.89 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns
Power dissipation: 714W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 22mΩ
Reverse recovery time: 100ns
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N25Power MOSFET, 250V, 120A, 22mOhm, TO-264AA Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N25IXYSMOSFET 120 Amps 250V 0.022 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.52 EUR
300+18.66 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.52 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N25PIXYSMOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Power dissipation: 700W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+30.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+21.55 EUR
10+19.68 EUR
25+18.49 EUR
50+17.29 EUR
100+16.85 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Power dissipation: 1.13kW
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8630 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30P3MOSFET N-CH 300V 120A TO-264 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30P3IXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 300, Id = 120 А, Ptot, Вт = 1 130, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 8630 @ 25, Qg, нКл = 150 @ 10 В, Rds = 27 мОм @ 60A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 4 мА,... Транзистори Корпус: TO-264-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30TMOSFET N-CH 300V 120A TO-264 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30T
Produktcode: 124250
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30TIXYSMOSFETs 120A 300V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Power dissipation: 960W
Gate charge: 265nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N60X3LittelfuseMOSFETs TO264 600V 120A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N60X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 TO2
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15500 pF @ 25 V
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.64 EUR
25+36.76 EUR
50+34.32 EUR
100+32.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 240nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Reverse recovery time: 220ns
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK130N65X3LittelfuseLittelfuse MOSFET 130A 650V X3 TO264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK130N65X3LittelfuseMOSFETs TO264 650V 130A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N20PIXYSMOSFETs 140 Amps 200V 0.018 Rds
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.99 EUR
10+23.65 EUR
100+22.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 140A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.62 EUR
25+24.05 EUR
50+22.29 EUR
100+20.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 830W
Gate charge: 240nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 140A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.44 EUR
25+22.54 EUR
50+20.87 EUR
100+19.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 960W
Gate charge: 255nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 17mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N25TIXYSMOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 250V 140A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N25T
Produktcode: 45121
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+30.55 EUR
5+28.14 EUR
10+26.05 EUR
25+22.82 EUR
50+22.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+36.66 EUR
10+34.77 EUR
20+33.09 EUR
50+31.82 EUR
100+30.67 EUR
250+29.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK140N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK140N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+47.58 EUR
10+40.44 EUR
50+37 EUR
100+33.52 EUR
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IXFK140N30PIXYSMOSFETs 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds
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1+49.85 EUR
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IXFK140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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20+33.09 EUR
50+31.82 EUR
100+30.67 EUR
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IXFK140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXFK140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXFK140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXFK140N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 140A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.72 EUR
25+35.2 EUR
50+32.81 EUR
100+30.81 EUR
500+28.69 EUR
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IXFK140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXFK140N60X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 140A 600V X3 TO2
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFK140N60X3LittelfuseMOSFETs Discrete MOSFET 140A 600V X3 TO264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK14N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N10IXYSMOSFETs 150 Amps 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 150A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N15IXYSMOSFETs 150 Amps 150V 0.0125 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N15PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 150A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.16 EUR
25+32.19 EUR
100+28.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.35 EUR
10+33.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 300V
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3kW
Kind of package: tube
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+25.39 EUR
10+23.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK150N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 150 A, 0.019 ohm, TO-264AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.3
Bauform - Transistor: TO-264AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30X3IXYSMOSFETs TO264 300V 150A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.68 EUR
10+31.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 890W
Gate charge: 254nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 8.3mΩ
Reverse recovery time: 167ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO264
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30X3.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFK150N30X3. - MOSFET, N-CH, 300V, 150A, TO-264P
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-264P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+53.32 EUR
6+43.67 EUR
10+34.89 EUR
25+29.51 EUR
100+26.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK15N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK160N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 160A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
auf Bestellung 6815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.77 EUR
25+30.29 EUR
50+28.17 EUR
100+26.38 EUR
500+24.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK160N30TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK160N30TN-CH 300V 130A TO-264 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK160N30TIXYSMOSFETs 160A 300V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK160N30TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK160N30T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFK160N30T. - MOSFET, N-CH, 300V, 160A, TO-264
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.39kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GigaMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+40.31 EUR
10+32.15 EUR
25+27.63 EUR
100+26.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK16N90QIXYSMOSFETs 16 Amps 900V 0.65 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK16N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 16A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N10IXYSMOSFETs 170 Amps 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 515 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N10Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+15.58 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+15.71 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N10PIXYSMOSFETs PolarHT HiperFET 100v, 170A
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.01 EUR
10+22.21 EUR
100+19.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK170N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 170A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
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IXFK170N20PIXYSMOSFETs 170 Amps 200V 0.014 Rds
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IXFK170N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXFK170N20PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
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IXFK170N20PТранзистори
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IXFK170N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19600 pF @ 25 V
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