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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
STB32NM50NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB32NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB32NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB32NM50NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; Idm: 88A; 190W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB32NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 500V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1973 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.41 EUR
10+5.6 EUR
100+4.01 EUR
500+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.52 EUR
10+5.68 EUR
100+4.05 EUR
500+3.63 EUR
1000+3.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 115 mOhm typ 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.19 EUR
10+6.85 EUR
100+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
auf Bestellung 1387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.74 EUR
10+5.14 EUR
100+3.64 EUR
500+3.2 EUR
1000+3.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.66 EUR
10+5.07 EUR
100+3.6 EUR
500+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB33N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.6 EUR
10+5.05 EUR
100+3.6 EUR
500+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 3971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.17 EUR
10+5.44 EUR
100+3.87 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.41 EUR
2000+3.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB34N50DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 26A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB34N50DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 26A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB34N50DM2AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.10 Ohm typ 26 A MDmesh DM2 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB34N50DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 26A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB34N50DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 26A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB34N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.56 EUR
10+7.11 EUR
100+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB34N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB34N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB34N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB34N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB34N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB34N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STB34NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.27 EUR
10+11.93 EUR
100+9.28 EUR
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STB34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+6.77 EUR
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STB34NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
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STB34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+13.59 EUR
2000+13.27 EUR
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STB34NM60NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 250W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 84nC
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STB34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB34NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.07 EUR
10+11.78 EUR
100+9.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STB34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+6.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB34NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+8.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB34NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch Power Mosfet 600V 0.097 Ohm 29A
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.76 EUR
10+11.95 EUR
100+10.54 EUR
1000+8.94 EUR
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STB34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB34NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.86 EUR
10+12.4 EUR
100+10.57 EUR
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STB34NM60NDSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 29A; 190W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 25V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80.4nC
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB35N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB35N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in D2PAK package
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.05 EUR
10+6.2 EUR
100+4.8 EUR
500+4.36 EUR
1000+4.12 EUR
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STB35N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB35N60DM2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 28A; Idm: 28A; 210W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 210W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 25V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
Pulsed drain current: 28A
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB35N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB35N65DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STB35N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB35N65DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.093ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STB35N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 93 mOhm typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
Produkt ist nicht verfügbar
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STB35N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB35N65DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB35N65DM2 (STMicroelectronics)
Produktcode: 221194
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Transistoren > MOSFET N-CH
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    STB35N65M5STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V
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    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB35N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
    Vgs (Max): ±25V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Supplier Device Package: D2PAK
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 13.5A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB35N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB35N65M5
    Produktcode: 166158
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    		Transistoren > MOSFET N-CH
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    STB35N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
    Vgs (Max): ±25V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Supplier Device Package: D2PAK
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 13.5A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB35NF10ST07+ TO-263/D2-PAK
    auf Bestellung 30000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB35NF10STMicroelectronicsMOSFETs N-Channel 100V - 0.030 Ohm - 40A - D2PAK LOW GATE , POWER MOSFET
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB35NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
    Supplier Device Package: D2PAK
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17.5A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB35NF10T4STMMOSFET N-CH 100V 40A D2PAK Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB35NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp
    auf Bestellung 1000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB35NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Supplier Device Package: D2PAK
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17.5A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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    STB35NG10T4
    auf Bestellung 1000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
    auf Bestellung 888 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+10.23 EUR
    10+6.86 EUR
    100+4.96 EUR
    500+4.63 EUR
    1000+4.38 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
    Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±25V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
    auf Bestellung 611 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+10.1 EUR
    10+6.78 EUR
    100+4.9 EUR
    500+4.58 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
    Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±25V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36NF02LST07+ TO-263/D2-PAK
    auf Bestellung 30000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36NF02L-TR
    auf Bestellung 200 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36NF03LST07+ TO-263/D2-PAK
    auf Bestellung 30000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36NF03L-TR
    auf Bestellung 200 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36NF03LT4ST
    auf Bestellung 310200 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36NF06L
    auf Bestellung 4800 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36NF06L-TR
    auf Bestellung 200 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
    Vgs (Max): ±18V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
    Part Status: Active
    Supplier Device Package: D2PAK
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Packaging: Cut Tape (CT)
    auf Bestellung 736 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    5+3.61 EUR
    10+2.32 EUR
    100+1.58 EUR
    500+1.26 EUR
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36NF06LT4STMicroelectronicsMOSFETs 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
    auf Bestellung 1210 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+3.43 EUR
    10+2.2 EUR
    100+1.49 EUR
    500+1.24 EUR
    1000+1.11 EUR
    2000+0.98 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36NF06LT4
    auf Bestellung 4800 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
    Vgs (Max): ±18V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
    Part Status: Active
    Supplier Device Package: D2PAK
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
    Qualification: AEC-Q101
    Grade: Automotive
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83.6 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Vgs (Max): ±25V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Active
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    auf Bestellung 1000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1000+6.17 EUR
    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
    auf Bestellung 23 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+11.4 EUR
    10+10.3 EUR
    100+8.52 EUR
    500+7.41 EUR
    1000+6.46 EUR
    2000+6.21 EUR
    5000+5.93 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
    Qualification: AEC-Q101
    Grade: Automotive
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83.6 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Vgs (Max): ±25V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Active
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Packaging: Cut Tape (CT)
    auf Bestellung 1000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+10.86 EUR
    10+9.32 EUR
    100+7.76 EUR
    500+6.85 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36NM60ND
    Produktcode: 158786
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    		Transistoren > MOSFET N-CH
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Grade: Automotive
    Part Status: Last Time Buy
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±25V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
    Qualification: AEC-Q101
    auf Bestellung 1225 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+11.97 EUR
    10+8.08 EUR
    100+5.88 EUR
    500+4.95 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36NM60NDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB36NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.097 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 600V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 29A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: AEC-Q101
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Verlustleistung Pd: 190W
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 190W
    Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: FDmesh II
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Wandlerpolarität: n-Kanal
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097ohm
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
    SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
    auf Bestellung 562 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Qualification: AEC-Q101
    Grade: Automotive
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Vgs (Max): ±25V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Last Time Buy
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB36NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET Auto-grade N-CH 650V 29A FDmesh II 0.097
    auf Bestellung 975 Stücke:
    Lieferzeit 374-378 Tag (e)
    1+10.98 EUR
    10+9.73 EUR
    100+8.1 EUR
    250+7.97 EUR
    500+6.88 EUR
    1000+5.72 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB37N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
    Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±25V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
    Grade: Automotive
    Qualification: AEC-Q101
    auf Bestellung 1145 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+12.32 EUR
    10+8.37 EUR
    100+6.12 EUR
    500+5.97 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB37N60DM2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB37N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 600V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 28A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: AEC-Q101
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 210W
    Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
    SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
    auf Bestellung 2870 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB37N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 28A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB37N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
    Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±25V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
    Grade: Automotive
    Qualification: AEC-Q101
    auf Bestellung 1000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1000+4.88 EUR
    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    STB37N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
    auf Bestellung 433 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+12.48 EUR
    10+8.48 EUR
    100+6.21 EUR
    500+6.05 EUR
    1000+5.65 EUR
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    STB37N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 28A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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    STB37N60DM2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB37N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 600V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 28A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: AEC-Q101
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 210W
    Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
    SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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