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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTK150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK150N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK150N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Power dissipation: 714W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK150N15PIXYSMOSFETs 150 Amps 150V 0.013 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK160N20IXYSMOSFETs 160 Amps 200V 0.013 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK160N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 160A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 415 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK160N20MOSFET 200V 160A 13mOm TO-264 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK170N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Drain current: 170A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 9mΩ
Reverse recovery time: 120ns
Mounting: THT
Power dissipation: 715W
Gate charge: 198nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.2 EUR
10+11.88 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK170N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 170A TO264
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK170N10PIXYSMOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK170P10PIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 170A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.58 EUR
25+32.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK170P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK170P10PIXYSMOSFETs -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.2 EUR
10+30.42 EUR
100+28.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK170P10PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264
Drain current: -170A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 14mΩ
Reverse recovery time: 176ns
Mounting: THT
Power dissipation: 890W
Gate charge: 240nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK170P10PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK170P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 A, 0.014 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+39.17 EUR
10+32.77 EUR
50+31.76 EUR
100+30.74 EUR
250+30.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK1715
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK17N120LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 17A; 700W; TO264; 1.83us
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 0.9Ω
Reverse recovery time: 1.83µs
Mounting: THT
Power dissipation: 700W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK17N120LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK17N120LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 17A TO264
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 8.5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK17N120LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK17N120LIXYSMOSFET 17 Amps 1200V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK180N15TO-264 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK180N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 180A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+20.55 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK180N15PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK180N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 180 A, 0.01 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 800
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 800
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK180N15PIXYSMOSFETs 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.44 EUR
10+23.65 EUR
100+23.15 EUR
1000+22.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+18.49 EUR
50+16.98 EUR
100+15.7 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK180N15PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+23.44 EUR
25+22.05 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK180N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 180A TO264
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.63 EUR
25+21.06 EUR
100+18.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10L2IXYSMOSFETs L2 Linear Power MOSFET
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.56 EUR
10+53.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+64.05 EUR
5+60.75 EUR
10+57.79 EUR
20+55.55 EUR
50+53.53 EUR
100+51.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+64.05 EUR
5+60.75 EUR
10+57.79 EUR
20+55.55 EUR
50+53.53 EUR
100+51.27 EUR
250+50.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.61 EUR
25+54.13 EUR
100+50.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10L2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+65.66 EUR
50+61.53 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+64.05 EUR
5+60.75 EUR
10+57.79 EUR
20+55.55 EUR
50+53.53 EUR
100+51.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK200N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 200A, TO-264
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+94.03 EUR
5+77.83 EUR
10+63.06 EUR
25+54.51 EUR
100+53.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.83 EUR
25+22.86 EUR
100+19.78 EUR
500+18.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+33.71 EUR
10+26.78 EUR
50+22.43 EUR
100+22.38 EUR
250+22.34 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10PIXYSMOSFETs 200 Amps 100V 0.0075 Rds
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.39 EUR
10+19.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Reverse recovery time: 100ns
Gate charge: 240nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 800W
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+15.6 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK20N140Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK20N150IXYSMOSFETs 1200V High Voltage Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK20N150IXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 20A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK20N150MOSFET N-CH 1500V 20A TO-264 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK210P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+54.64 EUR
5+51.99 EUR
10+49.31 EUR
20+46.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK210P10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK210P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 210 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+64.52 EUR
5+56.08 EUR
10+48.24 EUR
50+44.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK210P10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.18 EUR
25+37.37 EUR
100+35.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK210P10TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK210P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK210P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+54.64 EUR
5+51.99 EUR
10+49.31 EUR
20+46.92 EUR
50+45.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK210P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
auf Bestellung 1447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.28 EUR
25+43.79 EUR
100+39.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK210P10TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFETs
auf Bestellung 1289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.06 EUR
10+48.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK21N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK21N100IXYSMOSFETs 21 Amps 100V 0.55 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK22N100LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 22A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK22N100LIXYSMOSFETs N-CHAN 1000V 22A
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+80.53 EUR
10+67.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK22N100LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK22N100LLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK22N100L - MOSFET, N-CH, 1KV, 22A, TO-264
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 22
Rds(on)-Messspannung Vgs: 20
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: TO-264
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Linear Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK240N075L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 240A TO264
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 120A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK250N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 250A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK250N10Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60PIXYSDescription: MOSFET P-CH 600V 32A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.09 EUR
25+31.44 EUR
100+27.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60PIXYSMOSFETs -32 Amps -600V 0.350 Rds
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.84 EUR
10+33.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 600V 32A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.47 EUR
25+26.91 EUR
100+25.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK33N50IXYSMOSFETs 33 Amps 500V 0.17 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK33N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 33A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK3N250LIXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 3A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK3N250LIXYSMOSFETs TO264 2.5KV 3A N-CH LINEAR
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+154.96 EUR
10+137.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK400N15X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 400A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+127.7 EUR
25+90.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK400N15X4IXYSMOSFETs TO264 150V 400A N-CH 4CLASS
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+104.33 EUR
10+93.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK400N15X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK40P50PIXYSMOSFETs -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.2 EUR
10+42.19 EUR
25+28.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK40P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK40P50PIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 40A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.09 EUR
25+31.44 EUR
100+27.5 EUR
500+27.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK40P50P(Transistor)
Produktcode: 63264
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK40P50P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK40P50P. - MOSFET, P-CH, 500V, 40A, TO-264
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+56.48 EUR
6+46.29 EUR
10+37.03 EUR
25+31.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK46N50LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK46N50LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 46A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 695 Stücke:
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1+65.51 EUR
25+56.98 EUR
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IXTK46N50LIXYSMOSFETs 46 Amps 500V
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IXTK46N50LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXTK550N055T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTK550N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 550A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTK5N250High Voltage Power MOSFET w/ Extended FBSOA TO-264 Транзистори
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IXTK5N250Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 5A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+127.09 EUR
25+96.35 EUR
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IXTK5N250IXYSMOSFET 2500V, 5A, 8.8Ohm Power MOSFET
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IXTK5N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+123.64 EUR
3+117.1 EUR
5+111.25 EUR
10+106.8 EUR
20+102.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK600N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 600A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+32.24 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK600N04T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.57 EUR
10+46.12 EUR
100+39.85 EUR
500+37.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK60N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; TO264; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK60N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK60N50L2TO-264 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK60N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 60A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
auf Bestellung 2503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.61 EUR
25+54.13 EUR
100+50.49 EUR
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