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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTK60N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 60A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
auf Bestellung 2503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.61 EUR
25+54.13 EUR
100+50.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK62N25IXYS06+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK62N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 62A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK62N25IXYSMOSFETs 62 Amps 250V 0.035 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK74N20
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK75N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 75A TO264
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK75N30IXYSMOSFET 75 Amps 300V 0.042 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK80N25IXYS06+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK80N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK80N25
Produktcode: 89036
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK82N25PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK82N25P - MOSFET, N-CH, 250V, 82A, TO-264
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 82
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-264
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK82N25PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 82A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.56 EUR
25+13.46 EUR
100+11.75 EUR
500+11.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK82N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 82A; 500W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 82A
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 38mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.43 EUR
10+10.61 EUR
25+10.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK82N25PIXYSMOSFETs 82 Amps 250V 0.035 Rds
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.4 EUR
10+16.02 EUR
100+14.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK88N30PIXYSMOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK88N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK8N150LIXYSMOSFET 8 Amps 1500V
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.81 EUR
10+71.13 EUR
25+62.06 EUR
50+61.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK8N150LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK8N150LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 8A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 4A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+78.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK8N150LIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.5KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+74.62 EUR
50+69.94 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 90A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N15IXYSMOSFETs 90 Amps 150V 0.016 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N25L2IXYSMOSFETs 90 Amps 250V
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+68.64 EUR
10+56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N25L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; TO264; 266ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 640nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 266ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N25L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 90A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+76.01 EUR
25+51.49 EUR
100+47.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N25L2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK90N25L2. - DISC MOSFET N-CH LINEAR L2 TO-2643 TUBE 03AH1580
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 960W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+74.95 EUR
5+61.95 EUR
10+50.15 EUR
25+43.11 EUR
50+42.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20PMOSFET P-CH 200V 90A TO-264 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 90A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.09 EUR
25+31.44 EUR
100+27.5 EUR
500+27.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK90P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 90 A, 0.044 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 890W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+53.25 EUR
10+42.57 EUR
50+35.94 EUR
100+33.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20P
Produktcode: 166401
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+39.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20PIXYSMOSFETs -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.65 EUR
10+33.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Case: TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+31.24 EUR
5+27.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTKK85N60CТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N450
Produktcode: 119281
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N450LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 4.5KV 2A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I5-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N450IXYSMOSFETs 4500V 2A HV Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N450IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 2A; 220W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 220W
Case: ISOPLUS i5-pac™
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.75µs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N450IXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Packaging: Tube
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+260.46 EUR
25+213.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N450LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 4.5KV 2A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I5-PAK
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IXTL2N470IXYSMOSFETs ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT
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IXTL2N470IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.7kV; 2A; 220W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.7kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 220W
Case: ISOPLUS i5-pac™
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.75µs
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IXTL2N470IXYSDescription: MOSFET N-CH 4700V 2A I5PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 25 V
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IXTL2N470LittelfuseHigh Voltage Power MOSFET
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IXTL2x180N10TIXYSMOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTL2x180N10TIXYSDescription: MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTL2X200N085TIXYSDescription: MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK
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IXTL2X220N075TIXYSDescription: MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
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IXTL2X240N055Ti5-Pak 2*140A 55V Транзистори
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IXTL2X240N055TIXYSDescription: MOSFET 2N-CH 55V 140A I5-PAK
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Power - Max: 150W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
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IXTM10P60IXYSDescription: POWER MOSFET TO-3
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IXTM11N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (IXTM)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
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IXTM12N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (IXTM)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
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IXTM13N80IXYSDescription: MOSFET N-CH TO-3
Packaging: Bulk
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IXTM1630IXYSDescription: POWER MOSFET TO-3
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
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IXTM21N50IXYSSOT223
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXTM21N50LIXYSDescription: POWER MOSFET TO-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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IXTM21N50 
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXTM24N50LIXYSDescription: POWER MOSFET TO-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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IXTM40N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 40A TO204AE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-204AE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTM50N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO204AE
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-204AE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
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IXTM50N20IXYSMOSFET
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IXTM5N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (IXTM)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
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IXTM5N100AIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (IXTM)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTM67N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO204AE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-204AE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 33.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Tube
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IXTM6N80AStandard Power MOSFET N-channel Enhancement Mode: 800v, 6a TO-247 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTM6N80AIXYSLittelfuse
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IXTM6N90AIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (IXTM)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTM75N10IXYSMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTM75N10IXYS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN102N65X2IXYSMOSFET Modules MBLOC 650V 76A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.43 EUR
10+48.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN102N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 76A SOT227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 595AW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.68 EUR
10+45.6 EUR
100+40.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN102N65X2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 650V; 76A; SOT227B; screw; Idm: 204A
Electrical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Technology: X2-Class
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 450ns
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±40V
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 204A
Power dissipation: 595W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN102N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN102N65X2 - MOSFET-Transistor, Klasse X2, n-Kanal, 76A, 650V, 0.03 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 595W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 595W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXTN110N20L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 100A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXTN110N20L2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: Linear L2™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 420ns
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTN110N20L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN110N20L2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 100 A, 200 V, 0.024 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 735W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN110N20L2IXYSMOSFET Modules 100Amps 200V
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+114.97 EUR
10+95.38 EUR
100+83.59 EUR
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IXTN110N20L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN120N25IXYSDiscrete Semiconductor Modules 120 Amps 250V 0.02 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN120N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN120P20TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 106A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN120P20TIXYSDiscrete Semiconductor Modules TrenchP Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN120P20TIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 106A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+101.11 EUR
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IXTN120P20TIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; -200V; -106A; SOT227B; screw; Idm: -400A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -400A
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -106A
Gate-source voltage: ±15V
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 740nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 830W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN15N100IXYS
auf Bestellung 27 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN170P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 170A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN170P10PIXYSMOSFET Modules -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
auf Bestellung 418 Stücke:
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1+62.86 EUR
10+52.82 EUR
100+48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN170P10PIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+76.45 EUR
10+57.12 EUR
100+49.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN170P10PТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN170P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 170A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXTN170P10P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN170P10P. - MOSFET, P-CH, 100V, 170A, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Module
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+89.19 EUR
5+72.16 EUR
10+56.7 EUR
25+53.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN17N120LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 8.5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+95.22 EUR
30+92.05 EUR
100+85.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN17N120LLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 15A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN17N120LIXYSMOSFET Modules 17 Amps 1200V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 178A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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