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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTK250N10Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK250N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 250A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60PIXYSMOSFETs -32 Amps -600V 0.350 Rds
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.77 EUR
10+33.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 600V 32A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.47 EUR
25+26.91 EUR
100+25.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 890W
Gate charge: 196nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -600V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 0.35Ω
Reverse recovery time: 480ns
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+24.89 EUR
10+22.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60PIXYSDescription: MOSFET P-CH 600V 32A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.09 EUR
25+31.44 EUR
100+27.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK33N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 33A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK33N50IXYSMOSFETs 33 Amps 500V 0.17 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK3N250LIXYSMOSFETs TO264 2.5KV 3A N-CH LINEAR
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+154.96 EUR
10+137.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK3N250LIXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 3A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK400N15X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK400N15X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 400A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+127.38 EUR
25+90.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK400N15X4IXYSMOSFETs TO264 150V 400A N-CH 4CLASS
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+104.33 EUR
10+93.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK40P50PIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 40A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.09 EUR
25+31.44 EUR
100+27.5 EUR
500+27.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK40P50PIXYSMOSFETs -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.2 EUR
10+42.19 EUR
25+28.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK40P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK40P50P(Transistor)
Produktcode: 63264
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK40P50P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK40P50P. - MOSFET, P-CH, 500V, 40A, TO-264
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+48.46 EUR
10+38.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK46N50LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK46N50LIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 46A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+98.13 EUR
25+67.9 EUR
50+65.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK46N50LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 46A; 700W; TO264; 600ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 46A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.6µs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK46N50LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK46N50LIXYSMOSFETs 46 Amps 500V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK550N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 550A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK550N055T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK5N250IXYSMOSFET 2500V, 5A, 8.8Ohm Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK5N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+122.21 EUR
3+115.75 EUR
5+109.97 EUR
10+105.56 EUR
20+101.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK5N250High Voltage Power MOSFET w/ Extended FBSOA TO-264 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK5N250Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 5A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+127.09 EUR
25+96.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK600N04T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; TO264; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 600A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 590nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK600N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 600A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK600N04T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.57 EUR
10+46.12 EUR
100+37.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK60N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; TO264; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK60N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 60A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.17 EUR
25+57.25 EUR
50+53.79 EUR
100+50.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK60N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK60N50L2IXYSMOSFETs 60 Amps 500V
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.1 EUR
10+57.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK60N50L2TO-264 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK62N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 62A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK62N25IXYSMOSFETs 62 Amps 250V 0.035 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK62N25IXYS06+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK74N20
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK75N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 75A TO264
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK75N30IXYSMOSFET 75 Amps 300V 0.042 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK80N25IXYS06+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK80N25
Produktcode: 89036
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK80N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK82N25PIXYSMOSFETs 82 Amps 250V 0.035 Rds
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.4 EUR
10+16.02 EUR
100+14.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK82N25PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK82N25P - MOSFET, N-CH, 250V, 82A, TO-264
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 82
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-264
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK82N25PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 82A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.56 EUR
25+13.46 EUR
100+11.75 EUR
500+11.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK82N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 82A; 500W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 82A
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 38mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.43 EUR
10+10.61 EUR
25+10.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK88N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK88N30PIXYSMOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK8N150LIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.5KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+73.77 EUR
50+69.14 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK8N150LIXYSMOSFETs 8 Amps 1500V
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+95.35 EUR
10+76.83 EUR
100+70.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK8N150LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 8A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 4A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+78.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK8N150LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 90A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N15IXYSMOSFETs 90 Amps 150V 0.016 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N25L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; TO264; 266ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 640nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 266ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N25L2IXYSMOSFETs 90 Amps 250V
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+68.64 EUR
10+56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N25L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 90A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+76.01 EUR
25+51.49 EUR
100+47.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N25L2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK90N25L2. - DISC MOSFET N-CH LINEAR L2 TO-2643 TUBE 03AH1580
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 960W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+74.95 EUR
5+61.95 EUR
10+50.15 EUR
25+43.11 EUR
50+42.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20P
Produktcode: 166401
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20PIXYSMOSFETs -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.65 EUR
10+33.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+38.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 90A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.09 EUR
25+31.44 EUR
100+27.5 EUR
500+27.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK90P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 90 A, 0.044 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 890W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+53.25 EUR
10+42.57 EUR
50+35.94 EUR
100+33.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20PMOSFET P-CH 200V 90A TO-264 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Mounting: THT
Drain current: -90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 315ns
Power dissipation: 890W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTKK85N60CТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N450IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 2A; 220W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 220W
Case: ISOPLUS i5-pac™
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.75µs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N450LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 4.5KV 2A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I5-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N450
Produktcode: 119281
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N450IXYSMOSFETs 4500V 2A HV Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N450LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 4.5KV 2A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I5-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N450IXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Packaging: Tube
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+260.46 EUR
25+213.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N470LittelfuseHigh Voltage Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N470IXYSMOSFETs ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+228.04 EUR
10+200.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N470IXYSDescription: MOSFET N-CH 4700V 2A I5PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N470IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.7kV; 2A; 220W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.7kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 220W
Case: ISOPLUS i5-pac™
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.75µs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2x180N10TIXYSDescription: MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2x180N10TIXYSMOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2X200N085TIXYSDescription: MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK
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IXTL2X220N075TIXYSDescription: MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
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IXTL2X240N055Ti5-Pak 2*140A 55V Транзистори
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IXTL2X240N055TIXYSDescription: MOSFET 2N-CH 55V 140A I5-PAK
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Power - Max: 150W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
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IXTM10P60IXYSDescription: POWER MOSFET TO-3
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IXTM12N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (IXTM)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
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IXTM13N80IXYSDescription: MOSFET N-CH TO-3
Packaging: Bulk
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IXTM1630IXYSDescription: POWER MOSFET TO-3
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
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IXTM21N50IXYSSOT223
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXTM21N50LIXYSDescription: POWER MOSFET TO-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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IXTM21N50 
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXTM24N50LIXYSDescription: POWER MOSFET TO-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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IXTM40N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 40A TO204AE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-204AE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Tube
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