Produkte > IDD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| IDD09E60BUMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD09E60BUMA1 - IDD09E60 - SILICON POWER DIODE euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDD09E60BUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 19.3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 19.3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDD09SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDD09SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDD09SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDD09SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 1671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDD09SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 9A PGTO2523 Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO252-3 Current - Average Rectified (Io): 9A Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDD09SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 16 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDD10-12D1U | Chinfa | DC-DC перетворювач, Кіл. вих. кан. = 2, Uвих1, В = 12, Uвих2, В = -12, Pвих, Вт = 10, Uвх (max), В = 18, Uвх (min), В = 9, Iвих1, А = 0,42, Iвих2, А = 0,42, Uізол., В = 1 500, ККД, % = 88, Uвих, % = 2, Габ. розм, мм = 50,8 x 25,4 x 10,2, Рів. пульс., мВ = Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | verfügbar 55 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDD10SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | auf Bestellung 1579 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3 Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO252-3 Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDD10SG60CXTMA2 | Infineon | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3 Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO252-3 | auf Bestellung 2388 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDD10SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDD10SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 2695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDD12SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | auf Bestellung 1533 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDD12SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDD12SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDD12SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 12A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDD15E60 | auf Bestellung 958 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| IDD15E60BUMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD15E60BUMA1 - IDD15E60 - SILICON POWER DIODE euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 14802 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDD15E60BUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 29.2A TO252-3 Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO252-3 Current - Average Rectified (Io): 29.2A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 87 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk | auf Bestellung 14802 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDD15E60BUMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 29.2A TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDD15E60BUMA2 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD15E60BUMA2 - IDD15E60 - SILICON POWER DIODE euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDD15E60BUMA3 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD15E60BUMA3 - IDD15E60 FAST SWITCHING EMITTER CONTROL tariffCode: 85423190 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDD15E60XT | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCHING EMCON DIODE 600V 15A | auf Bestellung 897 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD04G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 13 A, 6.9 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD04G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 13A PGHDSOP101 Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 13A Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDDD04G65C6XTMA1 - IDDD04G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD04G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 4628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD04G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 13A PGHDSOP101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 13A Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD04G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 13 A, 6.9 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD04G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 13A PGHDSOP101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 13A Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Bulk | auf Bestellung 4628 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD04G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 1593 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 18A PGHDSOP101 Packaging: Bulk Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 18A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V | auf Bestellung 543 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 18A PGHDSOP101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 18A Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD06G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 18 A, 9.6 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD06G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD06G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 18 A, 9.6 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes Y | auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD08G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD08G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDDD08G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 24A PGHDSOP101 Current - Average Rectified (Io): 24A Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 | auf Bestellung 3215 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD08G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 2542 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD08G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDDD08G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 24A PGHDSOP101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 24A Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD08G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD08G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDDD08G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 8415 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD10G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 741 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD10G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD10G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD10G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 29A PGHDSOP101 Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 29A Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C | auf Bestellung 1323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD10G65C6XTMA1 | Infineon | SIC DIODES, HDSOP-10 Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 10A Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: PG-HDSOP-10-1 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 44A Leakage current: 1µA Power dissipation: 105W Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 741 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD10G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 29A PGHDSOP101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 29A Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD10G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD12G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101 Packaging: Bulk Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 34A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V | auf Bestellung 5200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 3032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD12G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 34A Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD12G65C6XTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDDD12G65C6XTMA1 - IDDD12G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 1621 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 3032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 34A Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 941 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 43A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V | auf Bestellung 3735 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 43A Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V | auf Bestellung 3400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD20G65C6 | Infineon Technologies | Infineon SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 1730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD20G65C6XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 20A Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: PG-HDSOP-10-1 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 79A Leakage current: 2µA Power dissipation: 169W Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 1730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD20G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 2769 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101 Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 51A | auf Bestellung 4443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 2784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101 Current - Average Rectified (Io): 51A Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 | auf Bestellung 3400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD371AA-M04 | auf Bestellung 10193 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| IDDM74ALS244ASJ | 98 SOP | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IDDM74ALS32SJ | 07+ | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IDDM74LS05SJ | 07+ | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IDDM74LS132SJ | 07+ | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IDDM74LS139SJ | 07+ | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IDDM74LS14SJ | 98 SOP | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IDDM74LS157SJ | 07+ | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IDDM74LS74ASJ | 98+ SOP | auf Bestellung 632 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
