Produkte > IGL
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IGLR60R190D1XUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.2nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CollGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR60R190D1XUMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs HV GAN DISCRETES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR60R190D1XUMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc) Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-6 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR60R190D1XUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.2nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CollGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR60R190D1XUMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): -10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TSON-8-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR60R260D1E8238XUMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc) Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-7 Part Status: Discontinued at Digi-Key Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR60R260D1E8238XUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR60R260D1XUMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc) Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-7 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR60R260D1XUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1.5nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CollGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4956 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR60R260D1XUMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs HV GAN DISCRETES | auf Bestellung 4699 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLR60R260D1XUMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): -10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TSON-8-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA Power Dissipation (Max): 52W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR60R260D1XUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1.5nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CollGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4956 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR60R340D1XUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1.2nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CollGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4931 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR60R340D1XUMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc) Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-7 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V | auf Bestellung 4290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLR60R340D1XUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1.2nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CollGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4931 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR60R340D1XUMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc) Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-7 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR60R340D1XUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HV GAN DISCRETES | auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLR60R340D1XUMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 8.2A GaN 8-Pin TSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR65R140D2 | Infineon Technologies | HV GAN DISCRETES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR65R140D2XUMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs HV GAN DISCRETES | auf Bestellung 4511 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLR65R140D2XUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 13A 8-Pin TSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR65R140D2XUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 1.8nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm | auf Bestellung 4809 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR65R140D2XUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 13A 8-Pin TSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR65R140D2XUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 13A 8TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V | auf Bestellung 3975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLR65R140D2XUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 1.8nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm | auf Bestellung 4809 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR65R140D2XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR65R140D2XUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 13A 8TDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR65R200D2 | Infineon Technologies | HV GAN DISCRETES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR65R200D2XUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR65R200D2XUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLR65R200D2XUMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs HV GAN DISCRETES | auf Bestellung 4825 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLR65R200D2XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR65R200D2XUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR65R200D2XUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 1.26nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm | auf Bestellung 3705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR65R200D2XUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R | auf Bestellung 70000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR65R200D2XUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR65R200D2XUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V | auf Bestellung 6605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLR65R200D2XUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 1.26nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm | auf Bestellung 3705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR65R200D2XUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR65R270D2 | Infineon Technologies | HV GAN DISCRETES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR65R270D2XUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.3A 8-Pin TSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR65R270D2XUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.3A 8-Pin TSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR65R270D2XUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 7.2A 8TDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR65R270D2XUMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs HV GAN DISCRETES | auf Bestellung 4726 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLR65R270D2XUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.3A 8-Pin TSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR65R270D2XUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLR65R270D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.2 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 1nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm | auf Bestellung 3665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR65R270D2XUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.3A 8-Pin TSON EP T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR65R270D2XUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.3A 8-Pin TSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR65R270D2XUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 7.2A 8TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V | auf Bestellung 4257 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLR65R270D2XUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLR65R270D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.2 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 1nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm | auf Bestellung 3665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR70R140D2SXUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 700V 13A 8TDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4272 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLR70R140D2SXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 700V 13A 8-Pin TSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR70R140D2SXUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 700V 13A 8TDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR70R140D2SXUMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5 | auf Bestellung 4641 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLR70R140D2SXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 700V 13A 8-Pin TSON T/R | auf Bestellung 4440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR70R140D2SXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 700V 13A 8-Pin TSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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| IGLR70R200D2SXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 700V 9.3A 8-Pin TSON T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR70R200D2SXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 700V 9.3A 8-Pin TSON T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR70R200D2SXUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 700V 9.3A 8TDFN | auf Bestellung 4878 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLR70R200D2SXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 4908 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR70R200D2SXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 700V 9.3A 8-Pin TSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR70R200D2SXUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 700V 9.3A 8TDFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR70R200D2SXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 1.26nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm | auf Bestellung 4908 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR70R200D2SXUMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5 | auf Bestellung 4965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLR70R200D2SXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 700V 9.3A 8-Pin TSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR70R270D2S | Infineon Technologies | HV GAN DISCRETES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR70R270D2SXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 700V 7.3A 8-Pin TSON T/R | auf Bestellung 4971 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR70R270D2SXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 700V 7.3A 8-Pin TSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR70R270D2SXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 700V 7.3A 8-Pin TSON T/R | auf Bestellung 4971 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR70R270D2SXUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLR70R270D2SXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR70R270D2SXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 700V 7.3A 8-Pin TSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR70R270D2SXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR70R270D2SXUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLR70R270D2SXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 1nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm | auf Bestellung 2169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR70R270D2SXUMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5 | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLT65R025D2AUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 67A 16SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLT65R025D2AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 11nC Anzahl der Pins: 16Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLT65R025D2AUMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs HV GAN DISCRETES | auf Bestellung 4262 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLT65R025D2AUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 67A 16SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V | auf Bestellung 1548 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLT65R025D2AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 11nC Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLT65R035B3AUMA1 | Infineon Technologies | Description: HV GAN DISCRETES | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLT65R035D2ATMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs HV GAN DISCRETES | auf Bestellung 1587 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLT65R035D2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 7.7nC Anzahl der Pins: 16Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLT65R035D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 47A 16SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A Power Dissipation (Max): 154W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V | auf Bestellung 283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLT65R035D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 47A 16SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A Power Dissipation (Max): 154W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLT65R035D2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 7.7nC Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 811 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLT65R045D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 38A 16SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 10A Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLT65R045D2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gate-Ladung, typ.: 6nC rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 16Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 650V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm rohsPhthalatesCompliant: TBA Dauer-Drainstrom Id: 38A usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLT65R045D2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 6nC Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLT65R045D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 38A 16SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 10A Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V | auf Bestellung 1068 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLT65R045D2ATMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs HV GAN DISCRETES | auf Bestellung 1651 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| iglt65r055b2 | Infineon Technologies | HV GAN DISCRETES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IGLT65R055B2AUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGLT65R055B2AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: - rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.4nC Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLT65R055B2AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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