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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXBH20N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Power dissipation: 250W
Gate charge: 105nC
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 130A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 64ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N360HVIXYSIGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+201.01 EUR
10+183.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N360HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N360HVIXYSDescription: IGBT 3600V 70A TO-247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247HV
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 430 W
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+204.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N360HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3.6kV; 70A; 430W; TO247HV
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3.6kV
Power dissipation: 430W
Gate charge: 110nC
Pulsed collector current: 220A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N360HVIxys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH22N300HVLittelfuseIGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH22N300HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3kV; 60A; 290W; TO247HV
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Power dissipation: 290W
Collector-emitter voltage: 3kV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH24N170IXYSIGBTs BIMOSFETS 1700V 60A
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.24 EUR
10+43.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH24N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH24N170IXYSDescription: IGBT 1700V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.06 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.42 EUR
30+40.89 EUR
120+37.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH24N170 (Transistor)
Produktcode: 43528
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH28N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 30A TO-247AD
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 105 nC
Test Condition: 850V, 14A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/265ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 14A
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH28N170AIXYSIGBTs 30Amps 1700V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH2N250IXYSDescription: IGBT 2500V 5A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.82 EUR
30+15.02 EUR
120+12.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH2N250IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 10.6nC
Turn-on time: 310ns
Turn-off time: 252ns
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 32W
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Technology: BiMOSFET™
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH2N250
Produktcode: 131686
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH2N250IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+126.82 EUR
10+119.71 EUR
30+110.96 EUR
60+108.24 EUR
120+103.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH32N300IXYSIGBTs TO247 3KV 32A IGBT
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+152.39 EUR
10+131.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH32N300IXYSDescription: IGBT 3000V 80A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 400 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH32N300HVIXYSDescription: DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247HV
Gate Charge: 142 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 400 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH32N300HVIXYSIGBTs TO247 3KV 80A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH40N160BIMOSFET 1600V 33A TO-247AD Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH40N160IXYSIGBTs 1600V 33A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH40N160LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 33A 350mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH40N160IXYSDescription: IGBT 1600V 33A 350W TO247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Test Condition: 960V, 20A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 350 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N170IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BIMOSFET
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+70.4 EUR
5+62.84 EUR
10+55.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N170IXYSDescription: IGBT 1700V 80A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 360 W
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.24 EUR
30+34.62 EUR
120+33.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N170BIMOSFET IGBT 1700V, Ic25=75A, Ic90=42A, 300Вт, TO-247AD Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N170
Produktcode: 40513
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N170IXYSIGBTs 1700V 75A
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.06 EUR
10+46.02 EUR
120+40.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 42A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 330 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/200ns
Switching Energy: 3.43mJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 850V, 21A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 265 A
Power - Max: 357 W
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.67 EUR
30+29.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N170AIGBT 1700V 42A 357W TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N170AIXYSIGBTs BIMOSET 42A 1700V
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67.27 EUR
10+50.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N250IXYSIGBTs TO247 2500V 42A HI GAIN
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.19 EUR
10+63.44 EUR
30+62.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N250IXYSDescription: IGBT 2500V 104A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/445ns
Test Condition: 1250V, 42A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 500 W
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+106.23 EUR
30+72.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N300HVIXYSDescription: DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N300HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH5N160GIXYSIGBTs 5 Amps 1600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH5N160GLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 5.7A 68W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH5N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 5.7A TO-247AD
Power - Max: 68 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Gate Charge: 26 nC
Test Condition: 960V, 3A, 47Ohm, 10V
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH6N170IXYSDescription: IGBT 1700V 12A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.62 EUR
30+21.53 EUR
120+18.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH6N170
Produktcode: 83906
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH6N170IXYSIGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.97 EUR
10+21.13 EUR
120+20.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH9N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 9A 100W TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH9N160G
Produktcode: 60732
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH9N160GLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 9A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH9N160GIXYSIGBT Transistors 9 Amps 1600V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK55N300IXYSIGBTs TO264 3KV 55A BIMOSFET
auf Bestellung 1251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+205.03 EUR
10+200.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK55N300IXYSDescription: IGBT 3000V 130A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-264AA
Gate Charge: 335 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 625 W
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+201.69 EUR
25+167.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK64N250IXYSDescription: IGBT 2500V 75A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Power - Max: 735 W
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+174.28 EUR
25+132.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK64N250IXYSIGBTs BIMOSFET 2500V 75A
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+169.17 EUR
10+157 EUR
100+156.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK64N250IXYSDescription: IGBT 2500V 75A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: TO-264AA
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Power - Max: 735 W
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+166.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK75N170BIMOSFET 75A 1700V TO-264 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK75N170IXYSIGBTs BIMOSFETS 1700V 200A
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+110.96 EUR
10+102.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK75N170IXYSDescription: IGBT 1700V 200A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-264AA
Gate Charge: 350 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 580 A
Power - Max: 1040 W
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+95.27 EUR
25+67.75 EUR
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IXBK75N170LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBK75N170 - TRANSISTOR, IGBT, 1.7KV, 200A, TO-264
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 1.04
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-264
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6
Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BiMOSFET Series
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK75N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 200A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK75N170AIXYSIGBT Transistors 65Amps 1700V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK75N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 110A 1040W TO264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBL20N300CIXYSDescription: IGBT 3000V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBL60N360IXYSDescription: IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBL60N360IXYSIGBT Transistors 3600V/92A Rev Conducting IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXBL64N250IXYSIGBT Transistors MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBL64N250IXYSDescription: IGBT 2500V 116A ISOPLUSI5
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Gate Charge: 400 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 750 A
Power - Max: 500 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXBN42N170AIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Power dissipation: 313W
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+57.58 EUR
3+51.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXBN42N170AIXYSDescription: IGBT MOD 1700V 42A 312W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 312 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBN42N170ALittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBN42N170AIXYSIGBTs 42 Amps 1700V 6.0 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXBN42N170AIxys CorporationTrans IGBT Module N-CH 1700V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+95.94 EUR
3+85.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBN75N170IXYSIGBT Modules 145Amps 1700V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBN75N170LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXBN75N170BIMOSFET 75A 1700V SOT-227 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBN75N170IXYSDescription: IGBT MOD 1700V 145A 625W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.93 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBN75N170ALittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBN75N170ABIMOSFET 75A 1700V 60ns SOT-227 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBN75N170AIXYSDescription: IGBT MOD 1700V 75A 625W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBN75N170AIXYSIGBT Transistors 75 Amps 1700V 6.00 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
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IXBOD1-06IXYSDescription: IC SGL DIODE BOD 0.9A 600V FP
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-06IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBOD1-06 - TVS-Thyristor, 2 Pin(s), FP-Case, Breakover-Diode, 600 V, 1 Schaltkreis(e)
tariffCode: 85411000
Bauform - TVS-Thyristor: FP-Case
rohsCompliant: YES
Thyristortyp: Breakover-Diode
Sperrspannung Vrwm: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: -
Schwellenspannung, max.: 600V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsstrom Ippm: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.31 EUR
9+28.82 EUR
10+24.66 EUR
50+22.54 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-06IXYSSidacs 1 Amps 600V
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.11 EUR
10+25.66 EUR
20+25.47 EUR
50+24.3 EUR
100+22.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-06LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+24.48 EUR
10+20.97 EUR
25+19.87 EUR
50+18.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-07IXYSSidacs 1 Amps 700V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-07IXYSDescription: IC SGL DIODE BOD 0.9A 700V FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-08IXYSDescription: TVS DEVICE MIXED 800V FP-CASE
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 800V
Supplier Device Package: FP-Case
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.05 EUR
10+25.6 EUR
100+22.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-08LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.18 EUR
10+22.36 EUR
25+21.4 EUR
50+20.21 EUR
100+15.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-08LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-08IXYSSidacs 1 Amps 800V
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.26 EUR
10+25.74 EUR
20+25.09 EUR
50+23.69 EUR
100+20.44 EUR
200+20.28 EUR
500+19.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-08LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.06 EUR
10+21.78 EUR
25+20.5 EUR
50+19.05 EUR
100+14.61 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-09IXYSSidacs 1 Amps 900V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-09IXYSDescription: TVS DEVICE MIXED 900V FP-CASE
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 900V
Supplier Device Package: FP-Case
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.35 EUR
10+25.85 EUR
100+22.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-10LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.19 EUR
10+22.34 EUR
25+21.4 EUR
50+20.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-10LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-10IXYSDescription: IC SGL DIODE BOD 0.9A 1000V FP
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-10LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.51 EUR
10+22.55 EUR
25+21.13 EUR
50+20.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-10IXYSSidacs 1 Amps 1000V
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.26 EUR
10+25.79 EUR
20+25.09 EUR
50+23.69 EUR
100+23.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-12RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1200V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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