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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTH441DDTPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH441DEPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH441DETPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH441DFPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH456AAPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH456AANLPulse Electronics NetworkDescription: FIXED IND
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NTH456AAT
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTH456AATPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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NTH465BB
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTH48HC3-33.3333
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTH4G1S33B103FD01MURATASMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTH4G39A103E02
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4G39A103F02MURATADIP
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4G40B203F01
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTH4L012N065M3SON SemiconductorNTH4L012N065M3S
auf Bestellung 6750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+18.15 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L012N065M3SON SemiconductorNTH4L012N065M3S
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L012N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.96 EUR
10+29.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L013N120M3SonsemiDescription: DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 682W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 37mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5813 pF @ 800 V
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.92 EUR
10+46.4 EUR
450+37.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L013N120M3SonsemiSiC MOSFETs DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.6 EUR
10+50.68 EUR
120+45.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L013N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L013N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 151 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L014N120M3PonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1200V
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.85 EUR
10+38.79 EUR
120+38.22 EUR
510+37.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L014N120M3PONN
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L014N120M3PonsemiDescription: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 686W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 800 V
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.44 EUR
10+41.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L014N120M3PONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 107A; Idm: 407A; 343W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 107A
Pulsed drain current: 407A
Power dissipation: 343W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 322nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 7704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+40.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L015N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
auf Bestellung 11049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.5 EUR
30+33.96 EUR
120+31.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 7704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+40.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+68.59 EUR
10+54.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L015N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 483A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 283nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L015N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L015N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.23 EUR
10+39.5 EUR
120+35.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L015N065SC1On SemiconductorN-Channel 650 V 142A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247-4L Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+30.84 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L018N075SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 750V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.79 EUR
10+38.01 EUR
30+35.47 EUR
60+34.37 EUR
120+33.24 EUR
270+31.04 EUR
510+28.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+32.82 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 116 A, 900 V, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 484W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 116A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+40.48 EUR
100+37.91 EUR
500+35.14 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N090SC1ONN
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 116A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N090SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
auf Bestellung 4240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.18 EUR
30+35.09 EUR
120+31.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N090SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
auf Bestellung 2235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.04 EUR
10+36.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 116A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+46.3 EUR
30+43.19 EUR
120+39.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+46.3 EUR
30+42.24 EUR
120+37.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+46.12 EUR
11+16.16 EUR
30+15.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
auf Bestellung 29824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.59 EUR
30+43.44 EUR
120+43.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.64 EUR
10+49.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+55.44 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+46.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 13950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+42.4 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L020N120SC1ONN
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L022N120M3SonsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
auf Bestellung 2119 Stücke:
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1+26.66 EUR
10+20.75 EUR
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NTH4L022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
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4+47.95 EUR
10+35 EUR
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NTH4L022N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 62 Stücke:
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NTH4L022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+38.1 EUR
10+31.13 EUR
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NTH4L022N120M3SONN
auf Bestellung 450 Stücke:
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NTH4L022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+47.95 EUR
10+35.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NTH4L022N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.76 EUR
30+23.7 EUR
120+20.62 EUR
510+19.85 EUR
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NTH4L023N065M3SONN
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTH4L023N065M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.22 EUR
10+15.42 EUR
450+10.03 EUR
900+10 EUR
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NTH4L023N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.86 EUR
10+14.47 EUR
100+12.04 EUR
450+12.02 EUR
900+11.47 EUR
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NTH4L025N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.82 EUR
10+28.57 EUR
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NTH4L025N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
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NTH4L025N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.75 EUR
10+28.32 EUR
120+24.69 EUR
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NTH4L025N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,19mohm,650V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+39.82 EUR
10+35.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NTH4L025N065SC1ONN
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTH4L025N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTH4L027N65S3FON Semiconductor650 V, N Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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NTH4L027N65S3FON Semiconductor
auf Bestellung 310 Stücke:
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NTH4L027N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.64 EUR
10+30.83 EUR
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NTH4L027N65S3FonsemiMOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.79 EUR
10+30.95 EUR
120+29.16 EUR
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NTH4L028N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+65.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L028N170M1onsemiDescription: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 800 V
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.07 EUR
10+52.78 EUR
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NTH4L028N170M1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-247
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 535W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTH4L028N170M1onsemiSiC MOSFETs SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+64.97 EUR
10+50.6 EUR
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NTH4L028N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L028N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L028N170M1On SemiconductorSIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L030N120M3SonsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.24 EUR
10+13.92 EUR
120+13.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L030N120M3SONN
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L030N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.51 EUR
30+15.47 EUR
120+13.27 EUR
510+11.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L030N120M3S-B7ONN
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L032N065M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L032N065M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.61 EUR
30+10.4 EUR
120+8.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L032N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.55 EUR
10+10.36 EUR
120+9.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L032N065M3SONN
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L040N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
auf Bestellung 2059 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.49 EUR
30+18.1 EUR
120+15.6 EUR
510+14.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L040N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 1121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.11 EUR
10+18.18 EUR
120+16.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L040N120M3SONN
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
auf Bestellung 7182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.52 EUR
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NTH4L040N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
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NTH4L040N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
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