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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NVBG020N090SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 477W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+68.9 EUR
5+55.99 EUR
10+44.34 EUR
50+44.32 EUR
100+44.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG020N120SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8.6A; Idm: 392A; 3.7W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 3.7W
Gate charge: 0.22µC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 8.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 50mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG020N120SC1onsemiDescription: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG020N120SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+78.36 EUR
100+73.39 EUR
500+68 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 468W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 468W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+70.31 EUR
50+68.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG020N120SC1onsemiDescription: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Vgs (Max): +25V, -15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+101.41 EUR
10+82.29 EUR
50+77.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+78.36 EUR
100+73.39 EUR
500+68 EUR
1000+62.8 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 468W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+112.3 EUR
5+93.87 EUR
10+70.31 EUR
50+68.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG020N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+99.76 EUR
10+76.36 EUR
100+72.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.99 EUR
10+36.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+57.99 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 234W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+38.15 EUR
50+37.97 EUR
100+37.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+63.12 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+30.04 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+74.57 EUR
10+67.26 EUR
25+63.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.19 EUR
10+38.06 EUR
100+36.6 EUR
500+34.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+74.57 EUR
10+68.76 EUR
25+65.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 297A; 220W
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -3...18V
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 220W
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 297A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+47.12 EUR
10+34.68 EUR
50+34.59 EUR
100+34.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3SONN
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG022N120M3S-IEonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM M3S 1200V
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.19 EUR
10+38.06 EUR
100+36.6 EUR
500+34.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG023N065M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1951 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.82 EUR
10+21.03 EUR
50+17.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG023N065M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1951 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+14.57 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG023N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.35 EUR
10+20.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG025N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,19mohm,650V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+58.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG025N065SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 75A; Idm: 284A; 197W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 284A
Power dissipation: 197W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG025N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.66 EUR
10+39.84 EUR
100+37.59 EUR
500+35.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.43 EUR
10+41.92 EUR
50+40.51 EUR
100+38.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG025N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,19mohm,650V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+58.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+31.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+62.25 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG030N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+46.9 EUR
10+38.96 EUR
50+35.83 EUR
100+31.65 EUR
250+31.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.36 EUR
10+35.84 EUR
50+33.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG030N120M3SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 207A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
On-state resistance: 58mΩ
Pulsed drain current: 207A
Power dissipation: 174W
Gate charge: 107nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -3...18V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG030N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+38.96 EUR
50+35.83 EUR
100+31.65 EUR
250+31.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG030N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.56 EUR
10+35.27 EUR
100+33.43 EUR
500+31.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+27.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG030N120M3S-IEonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+27.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG030N120M3S-IEonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200V
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.56 EUR
10+35.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG030N120M3S-IEonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.36 EUR
10+35.84 EUR
50+33.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG032N065M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+24.04 EUR
11+20.73 EUR
50+19.34 EUR
100+17.95 EUR
250+17.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG032N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.97 EUR
10+18.2 EUR
100+14.99 EUR
500+13.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG032N065M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1409 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+12.29 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG032N065M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+24.04 EUR
11+20.73 EUR
50+19.34 EUR
100+17.95 EUR
250+17.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG032N065M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1409 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.38 EUR
10+17.06 EUR
100+15.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+44.33 EUR
10+40.15 EUR
25+37.27 EUR
50+35.39 EUR
100+33.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG040N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 94084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.47 EUR
10+27.52 EUR
100+24.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG040N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.22V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 297W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0405ohm
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+38.39 EUR
8+30.58 EUR
10+23.56 EUR
50+22.36 EUR
100+21.16 EUR
250+20.73 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+44.33 EUR
10+39.27 EUR
25+35.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG040N120M3SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 149A
Power dissipation: 131W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -3...18V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG040N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 93600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+20.22 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+47.04 EUR
5+44.42 EUR
10+42.1 EUR
20+40.35 EUR
50+38.79 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG040N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.22V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 297W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0405ohm
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.56 EUR
50+22.36 EUR
100+21.16 EUR
250+20.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG040N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.84 EUR
10+27.08 EUR
100+24.34 EUR
500+23.29 EUR
800+23.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG040N120M3S-IEonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM M3S 1200
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.47 EUR
10+27.52 EUR
100+24.74 EUR
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NVBG040N120M3S-IEonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM M3S 1200V
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NVBG040N120M3S-IEonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM M3S 1200
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800+20.22 EUR
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NVBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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3+61.99 EUR
10+58.26 EUR
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NVBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 66 Stücke:
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3+61.99 EUR
10+59.55 EUR
25+54.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NVBG040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NVBG040N120SC1onsemiDescription: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.74 EUR
10+39.21 EUR
100+37.83 EUR
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NVBG040N120SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 135 Stücke:
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NVBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NVBG040N120SC1
Produktcode: 179416
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Transistoren > MOSFET N-CH
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NVBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+69.86 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NVBG040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG040N120SC1onsemiDescription: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+30.9 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NVBG040N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.72 EUR
10+38.58 EUR
100+36.76 EUR
500+32.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG045N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+40.95 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NVBG045N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.81 EUR
10+21.86 EUR
500+20.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.42 EUR
10+28.56 EUR
100+24.7 EUR
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NVBG045N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG060N065SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 130A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 85W
Gate charge: 74nC
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 130A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG060N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.42 EUR
10+22.49 EUR
100+20.36 EUR
500+17.85 EUR
800+16.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+18.68 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG060N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,44mohm,650V Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.19 EUR
10+25.8 EUR
50+22.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG060N090SC1onsemiDescription: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 307671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.99 EUR
10+22.76 EUR
100+21.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG060N090SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG060N090SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,60mohm,900V Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG060N090SC1onsemiDescription: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 307200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+17.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG060N090SC1onsemiSiC MOSFETs 60MOHM
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.83 EUR
10+24.8 EUR
100+21.88 EUR
500+20.17 EUR
800+18.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG070N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 74918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.83 EUR
10+19.64 EUR
100+17.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG070N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3
auf Bestellung 1569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.11 EUR
10+21.74 EUR
100+18.83 EUR
500+18.8 EUR
800+18.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+42.32 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG070N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 74400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+14.6 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG070N120M3SONN
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+38.88 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG070N120M3S-IEonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM M3S 1200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
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