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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NXH030F120M3F1PTGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 38A; PIM22; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 38A
Case: PIM22
Topology: H-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 68.2mΩ
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 100W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -10...22V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH030P120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 30M 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+126.29 EUR
10+105.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH030P120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 42A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 100W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2271pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.5mOhm @ 30A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+128.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH030S120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 30M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK MODULE
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+139.41 EUR
10+118.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH030S120M3F1PTGonsemiDescription: 30M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+142.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040F120MNF1PGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040F120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+164.18 EUR
28+133.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040F120MNF1PGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 30A; PIM22; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Case: PIM22
Topology: H-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 61mΩ
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 113W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040F120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH040F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+221.19 EUR
5+198.29 EUR
10+176.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040F120MNF1PTGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+174.91 EUR
10+156.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040F120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+166.72 EUR
28+135.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040F120MNF1PTGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 30A; PIM22; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Case: PIM22
Topology: H-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 61mΩ
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 113W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040P120MNF1PGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040P120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 30A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+131.4 EUR
28+101.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040P120MNF1PGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 30A; PIM18; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Case: PIM18
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 61mΩ
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 113W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040P120MNF1PTGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040P120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 30A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+131.4 EUR
28+101.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040P120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH040P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+254.08 EUR
5+216.69 EUR
10+182.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH100B120H3Q0PGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH100B120H3Q0PGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 61A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+125.69 EUR
24+91.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH100B120H3Q0PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH100B120H3Q0PG - IGBT-Modul, Zweifach, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 186W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 61A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 61A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+160.91 EUR
5+131.64 EUR
10+105.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH100B120H3Q0PTGonsemiIGBT Modules PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN TIM)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+118.25 EUR
10+92.3 EUR
120+92.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH100B120H3Q0PTGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 50A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+125.69 EUR
24+91.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH100B120H3Q0SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH100B120H3Q0SG - IGBT-Modul, Zweifach, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 186W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 61A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 61A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+160.91 EUR
5+135.37 EUR
10+111.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH100B120H3Q0SGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+121.12 EUR
10+97.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH100B120H3Q0SGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 61A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+125.69 EUR
24+91.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH100B120H3Q0STGonsemiIGBT Modules PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN TIM)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH100B120H3Q0STGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 50A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+117.86 EUR
24+84.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH100T120L3Q0S1NGonsemiIGBT Modules 1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLATED DBC
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+160.16 EUR
10+132.34 EUR
120+120.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH100T120L3Q0S1NGonsemiDescription: 1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLA
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4877 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Power - Max: 122 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Supplier Device Package: 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
Input: Standard
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+117.12 EUR
24+106.47 EUR
48+102.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH1010-WB
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH10VB1000M8X15SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 10VDC; Pitch: 3.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 45mΩ
Dimensions: Ø8x15mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 1mF
Height: 15mm
Operating voltage: 10V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 8mm
Terminal pitch: 3.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 8000h
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH10VB2200M10X25SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 2200uF; 10VDC; Pitch: 5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 18mΩ
Dimensions: Ø10x25mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 2.2mF
Height: 25mm
Operating voltage: 10V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH16.000AC12FJENJAAN07+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH160T120L2Q1SGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A Solder pins
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+162.04 EUR
10+136.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH160T120L2Q1SGonsemiDescription: PIM Q1 SPLIT T-TYPE NPC 160A 120
Supplier Device Package: 30-PIM (71x37.4)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 160A
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38164 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Power - Max: 280 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
IGBT Type: Trench Field Stop
NTC Thermistor: Yes
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+161.65 EUR
21+130.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH160T120L2Q2F2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 181A 500W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 160A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 181 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38.8 nF @ 25 V
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+209.14 EUR
12+178.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH160T120L2Q2F2S1GONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; 3-level inverter SPLIT-TNPC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 181A
Pulsed collector current: 543A
Topology: 3-level inverter SPLIT-TNPC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: PIM56
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH160T120L2Q2F2S1GonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+212.08 EUR
12+188.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH160T120L2Q2F2SGonsemiDescription: PIM 1200V, 160A SPLIT TNP
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH160T120L2Q2F2SGON SemiconductorIGBT Modules PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBT
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH160T120L2Q2F2SGonsemiDescription: PIM 1200V, 160A SPLIT TNP
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+247.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH160T120L2Q2F2SGonsemiDescription: POWER INTEGRATED MODULE (PIM), I
Packaging: Bulk
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+251.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH16VB1000M10X16SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 16VDC; Pitch: 5mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 16V DC
Terminal pitch: 5mm
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -40...105°C
Manufacturer series: NXH
Height: 16mm
Diameter: 10mm
Impedance: 28mΩ
Dimensions: Ø10x16mm
Kind of capacitor: low ESR
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH16VB1000M5.0TP10X16SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 16VDC; Pitch: 5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 28mΩ
Dimensions: Ø10x16mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 1mF
Height: 16mm
Operating voltage: 16V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH16VB1000M8X20SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 16VDC; Pitch: 3.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 29mΩ
Dimensions: Ø8x20mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 1mF
Height: 20mm
Operating voltage: 16V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 8mm
Terminal pitch: 3.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 8000h
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH16VB100M2.5TP5X11SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 16VDC; Pitch: 2.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 0.22Ω
Dimensions: Ø5x11mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 100µF
Height: 11mm
Operating voltage: 16V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 5mm
Terminal pitch: 2.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 6000h
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH16VB1500M10X20SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1500uF; 16VDC; Pitch: 5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 20mΩ
Dimensions: Ø10x20mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 1.5mF
Height: 20mm
Operating voltage: 16V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH16VB1800M10X25SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1800uF; 16VDC; Pitch: 5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 18mΩ
Dimensions: Ø10x25mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 1.8mF
Height: 25mm
Operating voltage: 16V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH16VB2200M12.5X20SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 2200uF; 16VDC; Pitch: 5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 17mΩ
Dimensions: Ø12.5x20mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 2.2mF
Height: 20mm
Operating voltage: 16V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 12.5mm
Terminal pitch: 5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH16VB470M8X11.5SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 470uF; 16VDC; Pitch: 3.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 56mΩ
Dimensions: Ø8x11.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 470µF
Height: 11.5mm
Operating voltage: 16V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 8mm
Terminal pitch: 3.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 8000h
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH16VB680M8X15SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 680uF; 16VDC; Pitch: 3.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 45mΩ
Dimensions: Ø8x15mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 680µF
Height: 15mm
Operating voltage: 16V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 8mm
Terminal pitch: 3.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 8000h
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH2004UK/A2ZNXP SemiconductorsRF System on a Chip - SoC NXH2004UK/A2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH2004UK/A2ZNXP USA Inc.Description: NXH2004UK/A2Z
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH2004UK/A2ZNXP SemiconductorsUltra-low Power Hearing Aid SoC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200B100H4F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 100A 93W 36-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x48)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 93 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.523 nF @ 20 V
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+245.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200B100H4F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH200B100H4F2SG - IGBT-Modul, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 6 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+376.94 EUR
5+330.17 EUR
10+286.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200B100H4F2SGonsemiIGBT Modules 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+262.76 EUR
10+251.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200B100H4F2SG-RonsemiIGBT Modules 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+365.09 EUR
10+341.93 EUR
20+330.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200B100H4F2SG-RonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 100A 93W 36-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x48)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 93 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6523 pF @ 20 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+314.54 EUR
20+288.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200T120H3Q2F2SGONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 330A; PIM
Case: PIM
Collector current: 330A
Type of semiconductor module: IGBT
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+214.13 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200T120H3Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 330A 679W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+257.99 EUR
12+214.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200T120H3Q2F2SGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Module, Split T-Type NPC inverter Solder pins
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200T120H3Q2F2STGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Module, Split T-Type NPC inverter Solder pin and Thermal Interface Material
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200T120H3Q2F2STGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 330A 679W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200T120H3Q2F2STNGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Module, Split T-Type NPC inverter Solder pin, Thermal Interface Material and Ni-plated DBC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200T120H3Q2F2STNGonsemiDescription: IGBT MOD 650V 330A 679W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+257.99 EUR
36+214.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH200T120H3Q2F2STNGONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 330A; PIM
Case: PIM
Collector current: 330A
Type of semiconductor module: IGBT
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+214.13 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH2180UK,518NXP USA Inc.Description: MI-RADIO TRANSCEIVER WITH FLASH
Packaging: Bulk
auf Bestellung 254838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+32.45 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH2261UK/A1BSCZNXP USA Inc.Description: NXH2261UK - NFMI RADIO FOR WIREL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH2265UK/A0BSCZNXP SemiconductorsNXP Semiconductors NXH2265UK/WLCSP40//A0BSC/REEL 7 Q1 DP CHIPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH2280UK/C1012NXP SemiconductorsDescription: NXH2280UK - Power Distribution S
Packaging: Bulk
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+19.53 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH2280UK/C1ZNXP SemiconductorsDescription: NXH2280 - NFMI RADIO FOR WIRELES
Packaging: Bulk
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+20.8 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH24.000AC12FJENJAAN07+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH240B120H3Q1P1GONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; SiC diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 92A; PIM32
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 92A
Case: PIM32
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 276A
Mechanical mounting: screw
Technology: SiC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH240B120H3Q1P1GonsemiIGBT Modules 150KW 110V Q1BOOST PRESS-FIT PIN
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+164.62 EUR
105+152.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH240B120H3Q1P1GonsemiDescription: 150KW 110V Q1BOOST PRESS-FIT PI
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19082 pF @ 20 V
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Power - Max: 266 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+183.18 EUR
21+148.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH240B120H3Q1PGonsemiIGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST 240A 1200V PRESS-FIT PINS
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+170.11 EUR
10+150.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH240B120H3Q1PGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 68A 158W 32-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.151 nF @ 20 V
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+159.03 EUR
21+128.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH240B120H3Q1PG-RonsemiIGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST 240A 1200V PRESS-FIT PINS
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+279.19 EUR
10+258.43 EUR
21+249.01 EUR
42+242.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH240B120H3Q1PG-RonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 68A 158W 32-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.151 nF @ 20 V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+241.69 EUR
21+211.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH240B120H3Q1S1GonsemiIGBT Modules 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+181.31 EUR
10+162.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH240B120H3Q1S1GonsemiDescription: 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19082 pF @ 20 V
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Power - Max: 266 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+148.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH240B120H3Q1S1G-RonsemiIGBT Modules 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+249.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH240B120H3Q1S1G-RonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 92A 266W 32-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 266 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19.082 nF @ 20 V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+247.2 EUR
21+217.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH25.000AC20F-BT-3
auf Bestellung 65342 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH25C120L2C2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH25C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+116.83 EUR
5+106.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH25C120L2C2SGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 25A CIB
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+135.78 EUR
12+126.13 EUR
252+125.44 EUR
504+124.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH25C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 20 V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+133.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH25C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 20 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Supplier Device Package: 26-DIP
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+112.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH25T120L2Q1PGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 25A 81W 44-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 81 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.502 nF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH25T120L2Q1PGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), 3-channel T-Type NPC 1200 V, 25 A IGBT, 650 V, 25 A IGBT Press-fit pins
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH25T120L2Q1PTGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 25A 81W 44-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 81 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.502 nF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH25T120L2Q1PTGonsemiIGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 25A 1200V PRESS-FIT PINS TIM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH25VB1000M5.0TP10X25SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 25VDC; Pitch: 5mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 25V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -40...105°C
Manufacturer series: NXH
Height: 25mm
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
Kind of capacitor: low ESR
Impedance: 18mΩ
Dimensions: Ø10x25mm
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.37 EUR
271+0.31 EUR
293+0.29 EUR
315+0.27 EUR
338+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH25VB680M10X16SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 680uF; 25VDC; Pitch: 5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 28mΩ
Dimensions: Ø10x16mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 680µF
Height: 16mm
Operating voltage: 25V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH27.000AG10F-BK6
auf Bestellung 65397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH300B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel flying capacitor Boost 1000 V, 100 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH300B100H4Q2F2PGonsemiDescription: IGBT MOD 1118V 73A 194W 27-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+282.72 EUR
12+240.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH300B100H4Q2F2PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH300B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, PIM, 73 A, 1.8 V, 194 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 194W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 73A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 73A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+399.14 EUR
5+358.61 EUR
10+324.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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