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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIZ342DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ342DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0084 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0084ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0084ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.34 EUR
119+1.96 EUR
179+1.2 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.64 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ342DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ342DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ342DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
6000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ342DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
auf Bestellung 12104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.23 EUR
15+1.49 EUR
100+1.04 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ342DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ342DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0084 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0084ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0084ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.38 EUR
135+1.71 EUR
190+1.13 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.7 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ342DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ346DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ346DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ346DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
auf Bestellung 2755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.23 EUR
16+1.38 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ348DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.24 EUR
79+2.19 EUR
100+1.68 EUR
200+1.56 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.94 EUR
6000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ348DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
auf Bestellung 4219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+1.87 EUR
100+1.23 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ348DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ348DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.87 EUR
6000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ348DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.8 EUR
220+0.79 EUR
222+0.76 EUR
250+0.74 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ348DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2 EUR
98+1.71 EUR
99+1.63 EUR
127+1.23 EUR
250+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ348DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
13+1.73 EUR
100+1.34 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ350DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ350DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.00563 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00563ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00563ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 7345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.22 EUR
117+1.99 EUR
174+1.24 EUR
500+1 EUR
1000+0.8 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ350DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ350DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
auf Bestellung 7529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
13+1.7 EUR
100+1.33 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ350DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ350DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.00563 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00563ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00563ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+3.22 EUR
117+1.99 EUR
174+1.24 EUR
500+1 EUR
1000+0.8 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ350DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ350DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
auf Bestellung 14016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+2.32 EUR
100+1.56 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.13 EUR
3000+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ700DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIZ710DT-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ700DT-T1-GE3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ700DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ702DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ702DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ702DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30 Volts 16 Amps 27 Watts
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ704DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
auf Bestellung 6067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
11+1.98 EUR
100+1.32 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ704DT-T1-GE3VISHAYQFN
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ704DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 20W, 30W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerPair™
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ704DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V 12/16A 20/30W 24/13.5mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ710DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7
auf Bestellung 3609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.9 EUR
100+1.56 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.18 EUR
3000+1.13 EUR
6000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ710DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.15 EUR
6000+1.11 EUR
9000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ710DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 27W, 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerPair™
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 19342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
10+2.3 EUR
100+1.78 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ720DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ720DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 27W, 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerPair™
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 16.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ728DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ728DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ730DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ730DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
15+1.4 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ730DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7
auf Bestellung 5506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ790DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ790DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7
auf Bestellung 1782 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ790DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ900DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ900DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 24/28A 48/100W 7.2/3.9mOhms @ 10V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ900DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ900DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ902DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ902DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
auf Bestellung 1922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.64 EUR
10+2.33 EUR
100+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ902DT-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; 29/66W
Case: PowerPAIR® 3x3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 50...80A
Power dissipation: 29/66W
Gate charge: 21/65nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5/8.3mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ902DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ902DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.02 EUR
10+2.56 EUR
100+1.73 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ902DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ904DT-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12/16A; 20/33W
Polarisation: unipolar
Case: PowerPAIR® 3x3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12/23nC
Drain current: 12/16A
On-state resistance: 30/17mΩ
Power dissipation: 20/33W
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 30...40A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ904DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SIZ904DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ904DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ910DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ910DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ914DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ914DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ914DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 16/40A 23/100W TrenchFET
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ916DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1208pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 22.7W, 100W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ918DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
auf Bestellung 19400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.66 EUR
10+3 EUR
100+2.05 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ918DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 28 A, 28 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 100W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 100W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2022 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.37 EUR
101+2.14 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ918DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
auf Bestellung 3134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.71 EUR
10+3.03 EUR
100+2.09 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
3000+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ918DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.34 EUR
6000+1.26 EUR
9000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ918DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 28 A, 28 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 100W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 100W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2022 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.62 EUR
69+3.37 EUR
101+2.14 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ920DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 39W, 100W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ920DT-T1-GE3
Produktcode: 118521
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ920DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 39W, 100W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ926DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5
auf Bestellung 5746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+1.96 EUR
100+1.38 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.06 EUR
3000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ926DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.67 EUR
10+2.33 EUR
100+1.57 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ926DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 22A/37A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ926DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ980BDT-T1-GE3
Produktcode: 173623
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ980BDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 79nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ980BDT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 23.7A/54.3A 8-Pin PowerPAIR EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ980BDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ980BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 817µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 66W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 817µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 66W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 11794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.05 EUR
97+2.42 EUR
143+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.13 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ980BDT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAIR 6 x 5
auf Bestellung 13649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+2.92 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ980BDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 79nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V
Part Status: Active
auf Bestellung 13593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.25 EUR
100+1.59 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ980BDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ980BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 817µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 66W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 817µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 66W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 11794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
143+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.13 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ980DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ980DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0011 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 66
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ980DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
auf Bestellung 2966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ980DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 20W, 66W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ980DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ980DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0011 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ980DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ980DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 20W, 66W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ988DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 20.2W, 40W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 10248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.68 EUR
10+2.4 EUR
100+1.87 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ988DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ988DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 60 A, 2800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.32 EUR
149+1.45 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ988DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ988DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ988DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 60 A, 2800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.95 EUR
100+2.32 EUR
149+1.45 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ988DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
auf Bestellung 4167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.96 EUR
100+1.52 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.06 EUR
3000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ998BDTVishayTrans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ998BDTVishayVishay
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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