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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.96 EUR
31+5.64 EUR
48+3.45 EUR
50+3.34 EUR
100+2.77 EUR
250+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1250V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/106ns
Switching Energy: 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 259 W
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.19 EUR
30+3.93 EUR
120+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 1250V 20A trench gate field-stop IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20IH125DF
Produktcode: 180888
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.02 EUR
30+5.58 EUR
48+3.37 EUR
50+3.2 EUR
100+2.59 EUR
250+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20N60V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NB60HDSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 12 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NB60HDSTMСНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NB60HD
auf Bestellung 7890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NB60KDSTMN- Channel, 20A, 600V, TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NB60KDSTMicroelectronicsТранзистор IGBT, Pmax, Вт = 170, Uce(on), В = 2,8, Uceb, В = 600, Ic, А = 100, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -55...+150, Тип монт = вивідний,... Транзистори Корпус: ТО-247-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NB60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 50A 170W TO247
Switching Energy: 675µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/105ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 80.5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 170 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 85 nC
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60VSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.28 EUR
29+2.94 EUR
31+2.77 EUR
33+2.61 EUR
60+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.61 EUR
1020+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60VSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.09 EUR
30+5.07 EUR
120+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60VSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.41 EUR
10+4.21 EUR
100+3.45 EUR
600+3.22 EUR
1200+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW20NC60V - IGBT, 60 A, 1.8 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.84 EUR
44+5.32 EUR
100+4.22 EUR
500+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60V
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60VDSTMN-CHANNEL 30A - 600V 200W TO-247 (аналог IRG4PC40UD/50UD) Very Fast PowerMESH™ IGBT Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60VDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.41 EUR
30+4.08 EUR
120+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60VDSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.91 EUR
10+4.86 EUR
100+3.88 EUR
600+3.27 EUR
1200+2.95 EUR
3000+2.78 EUR
5400+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60VD
Produktcode: 33417
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STTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,5 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 60 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 30 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 31/100
Produkt ist nicht verfügbar
1+5.09 EUR
10+4.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60VDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW20NC60VD - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.9 EUR
43+5.5 EUR
100+4.09 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60VDSTMicroelectronicsТранзистор IGBT, Pmax, Вт = 200, Uceb, В = 600, Uge(th), В = 2,5 @ 15 В, 20 А, Тексп, °С = -55...+150, Eімп. = 220 мкДж (вкл), 330 мкДж (викл),... Транзистори Корпус: ТО-247-3 Очікується: 1160 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60VDST60A; 600V; 200W; IGBT   STGW20NC60VD STMicroelectronics TSTGW20nc60vd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60VDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.08 EUR
24+3.59 EUR
26+3.36 EUR
27+3.21 EUR
30+2.96 EUR
60+2.69 EUR
90+2.61 EUR
120+2.53 EUR
150+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60VDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6 EUR
74+2.26 EUR
75+2.15 EUR
100+2.05 EUR
250+1.95 EUR
600+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.33 EUR
36+4.83 EUR
55+3.05 EUR
100+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.39 EUR
10+4.06 EUR
100+3.89 EUR
600+3.53 EUR
1200+3.42 EUR
3000+3.36 EUR
5400+3.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.01 EUR
74+2.25 EUR
100+2.18 EUR
250+2.12 EUR
600+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20V60DF
Produktcode: 116622
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20V60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW20V60DF - IGBT, 40 A, 1.8 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.82 EUR
52+4.5 EUR
100+3.99 EUR
500+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247
Power - Max: 167 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Active
Gate Charge: 116 nC
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20V60FSTMicroelectronicsIGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.77 EUR
10+4.71 EUR
100+4.3 EUR
600+3.03 EUR
1200+2.7 EUR
3000+2.62 EUR
5400+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
auf Bestellung 1143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
10+9.01 EUR
25+7.81 EUR
100+7.28 EUR
250+6.85 EUR
600+6.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25H120DF2STMicroelectronicsТранзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic = 50 А, Pmax, Вт = 375, tз, мс = 0,029, Uce(on), В = 2,6, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, Uge(th), В = 15, td(off), нс = 130,... Транзистори Корпус: ТО-247-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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STGW25H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGW25H120DF2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
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STGW25H120DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW25H120DF2 - IGBT, 50 A, 2.1 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.32 EUR
32+7.4 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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STGW25H120DF2STMIGBT 1200V 25A TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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STGW25H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 303 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.26 EUR
30+5.15 EUR
120+4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STGW25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 100 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.7 EUR
30+7.29 EUR
120+6.1 EUR
510+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25H120F2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.3 EUR
10+11.16 EUR
25+10.53 EUR
100+9.03 EUR
250+8.52 EUR
600+8.02 EUR
1200+6.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 265 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 850µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.83 EUR
30+6.72 EUR
120+5.6 EUR
510+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25M120DF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW25M120DF3 - IGBT, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.86 EUR
10+5.7 EUR
100+4.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.48 EUR
18+9.67 EUR
50+8.41 EUR
100+7.74 EUR
200+7.16 EUR
500+6.57 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 80 nC
Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 830µJ (on), 2.37mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/147ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 265 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW28IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 60A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.78 EUR
50+3.34 EUR
52+3.11 EUR
100+2.74 EUR
250+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW28IH125DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.38 EUR
18+4.83 EUR
20+4.27 EUR
30+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW28IH125DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1250V 60A 375W TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/128ns
Switching Energy: 720µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 114 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 375 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW28IH125DFSTMicroelectronicsIGBTs 1250V 25A trench gate field-stop IGBT
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.53 EUR
10+5.49 EUR
25+5.18 EUR
100+4.44 EUR
250+4.14 EUR
600+3.37 EUR
1200+3.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW28IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 60A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.75 EUR
51+3.38 EUR
52+3.19 EUR
100+2.86 EUR
250+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW28IH125DF
Produktcode: 177614
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns
Switching Energy: 350µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.57 EUR
71+2.34 EUR
100+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
592+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 592 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H60DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.45 EUR
30+3.5 EUR
120+2.84 EUR
510+2.36 EUR
1020+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H60DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.71 EUR
10+3.08 EUR
100+2.51 EUR
500+2.05 EUR
1200+2.01 EUR
2400+1.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 592 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H60DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 260W
Gate charge: 149nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.75 EUR
35+2.5 EUR
38+2.25 EUR
40+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H60DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.9 EUR
68+3.44 EUR
100+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.13 EUR
58+2.93 EUR
100+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.56 EUR
71+2.39 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
Switching Energy: 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H60DLFB
Produktcode: 113386
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
STTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,5 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 60 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 30 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 260 Вт
Produkt ist nicht verfügbar
1+21.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H60DLFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H65FBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.27 EUR
22+3.95 EUR
26+3.3 EUR
30+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H65FBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW30H65FB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.5 EUR
48+4.86 EUR
100+4.28 EUR
500+4.12 EUR
1000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 151µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.98 EUR
30+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.58 EUR
10+6.26 EUR
25+5.21 EUR
100+4.49 EUR
250+4 EUR
600+3.39 EUR
1200+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.16 EUR
30+4.5 EUR
120+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
auf Bestellung 1922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+4.99 EUR
25+4.02 EUR
100+3.37 EUR
250+3.09 EUR
600+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30M65DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7 EUR
53+4.39 EUR
100+3.99 EUR
500+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
343+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30N120KDSTMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30N120KDSTM
auf Bestellung 2040 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30N120KD
Produktcode: 42292
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STTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 60 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 30 A
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 36/140
Zolltarifnummer: 8541 10 00 90
Produkt ist nicht verfügbar
1+4.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30N120KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 60A TO-247-3
Power - Max: 220 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 105 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.4mJ (on), 4.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/251ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30N120KDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 30 A - 1200 V Rugged IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
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