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IPTC054N15NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTC054N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4400 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 341 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	10.82 EUR
33+	7.08 EUR
100+	4.93 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

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IPTC054N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 2264 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.35 EUR
10+	8.96 EUR
25+	8.84 EUR
100+	6.56 EUR
500+	5.53 EUR
1800+	5.18 EUR

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IPTC054N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 17.5A 16-Pin HDSOP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

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IPTC054N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 191µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 75 V

auf Bestellung 3331 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.16 EUR
10+	7.46 EUR
100+	5.37 EUR
500+	4.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPTC054N15NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTC054N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4400 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 341 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.93 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPTC063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC063N15NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTC063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm

auf Bestellung 733 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.84 EUR
500+	5.2 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPTC063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 75 V

auf Bestellung 1690 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.56 EUR
10+	7.03 EUR
100+	5.05 EUR
500+	4.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPTC063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 748 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.29 EUR
10+	6.66 EUR
100+	4.77 EUR
500+	4.63 EUR
1000+	4.38 EUR
1800+	4.32 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 16.2A 16-Pin HDSOP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC063N15NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTC063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm

auf Bestellung 733 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	14.15 EUR
27+	8.63 EUR
100+	5.84 EUR
500+	5.2 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC068N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 16-Pin HDSOP EP T/R

auf Bestellung 1161 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

86+	7.54 EUR
100+	7.06 EUR
500+	6.54 EUR
1000+	6.03 EUR

Mindestbestellmenge: 86 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC068N20NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPTC068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 6250 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 319W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm

auf Bestellung 2031 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	19.04 EUR
16+	15.09 EUR
19+	11.51 EUR
50+	10.82 EUR
100+	10.13 EUR
250+	9.94 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC068N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

auf Bestellung 2135 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	15.1 EUR
10+	8.16 EUR
100+	7.52 EUR
500+	7.35 EUR
1000+	6.95 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC068N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: IPTC068N20NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC068N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 16-Pin HDSOP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC068N20NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPTC068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 6250 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 2031 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	19.04 EUR
16+	15.09 EUR
19+	11.51 EUR
50+	10.82 EUR
100+	10.13 EUR
250+	9.94 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC068N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 16-Pin HDSOP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTC068N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: IPTC068N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

auf Bestellung 1732 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.35 EUR
10+	10.42 EUR
50+	8.32 EUR
100+	7.64 EUR
500+	7.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTE071YK14-15SF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTF07PP10-7PSF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTF07PP10-7SPF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG007N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 53A/454A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 261 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 30 V

auf Bestellung 527 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.66 EUR
10+	7.79 EUR
100+	5.62 EUR
500+	5.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG007N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

auf Bestellung 46800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	7.53 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG007N06NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTG007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 680 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 680µohm

auf Bestellung 191 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.56 EUR
21+	11.07 EUR
100+	7.47 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG007N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG007N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 53A/454A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 261 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG007N06NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTG007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 680 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 680µohm

auf Bestellung 191 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.56 EUR
21+	11.07 EUR
100+	7.47 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG007N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 5038 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.73 EUR
10+	8.52 EUR
100+	7.08 EUR
500+	6.76 EUR
1000+	6.06 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG007N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	13.07 EUR
18+	9.96 EUR
50+	8.81 EUR
100+	8.16 EUR
200+	7.64 EUR
500+	7.09 EUR
1000+	6.54 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG011N08NM5ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG011N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET > 60-80V

auf Bestellung 57 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.57 EUR
10+	7.66 EUR
100+	5.43 EUR
500+	4.96 EUR
1000+	4.55 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG011N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 42A/408A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 408A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V

auf Bestellung 44 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.25 EUR
10+	7.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPTG011N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTG011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 0.001 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1541 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.15 EUR
18+	13.19 EUR
100+	9.62 EUR
500+	9.56 EUR
1000+	7.87 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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IPTG011N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 42A/408A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 408A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

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IPTG011N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTG011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 0.001 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1541 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.15 EUR
18+	13.19 EUR
100+	9.62 EUR
500+	9.56 EUR
1000+	7.87 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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IPTG014N10NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTG014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 366 A, 0.0013 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 366A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1183 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	11.15 EUR
29+	8.16 EUR
100+	5.44 EUR
500+	5.33 EUR
1000+	4.8 EUR

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

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IPTG014N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

auf Bestellung 843 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

141+	4.59 EUR
500+	4.3 EUR

Mindestbestellmenge: 141 Stücke

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IPTG014N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

auf Bestellung 1775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	7.12 EUR
50+	6.84 EUR
200+	6.68 EUR
500+	6.52 EUR
1000+	5.75 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

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IPTG014N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 366A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

auf Bestellung 2691 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.95 EUR
10+	6.64 EUR
100+	4.77 EUR
500+	4.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPTG014N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

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IPTG014N10NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTG014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 366 A, 0.0013 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 366A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1183 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.44 EUR
500+	5.33 EUR
1000+	4.8 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPTG014N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

auf Bestellung 28267 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

141+	4.59 EUR
500+	4.3 EUR
1000+	3.96 EUR
10000+	3.65 EUR

Mindestbestellmenge: 141 Stücke

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IPTG014N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

auf Bestellung 1697 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.07 EUR
10+	8.76 EUR
100+	7.03 EUR
500+	6.26 EUR
1000+	5.59 EUR

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IPTG014N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 366A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	3.78 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG014N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

auf Bestellung 548 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

141+	4.59 EUR
500+	4.3 EUR

Mindestbestellmenge: 141 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG014N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG017N12NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 331A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG017N12NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPTG017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 0.0017 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1760 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	19.29 EUR
16+	15.15 EUR
19+	11.44 EUR
50+	10.82 EUR
100+	10.22 EUR
250+	9.59 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG017N12NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 1929 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.15 EUR
10+	8.16 EUR
100+	5.93 EUR
500+	5.4 EUR
1800+	5.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG017N12NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 331A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1346 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.1 EUR
10+	10.97 EUR
100+	8.07 EUR
500+	7.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG017N12NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPTG017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 0.0017 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1760 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	19.29 EUR
16+	15.15 EUR
19+	11.44 EUR
50+	10.82 EUR
100+	10.22 EUR
250+	9.59 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG018N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG018N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 253A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG018N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG018N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 253A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1784 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.04 EUR
10+	6 EUR
100+	4.28 EUR
500+	3.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG018N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 273A Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.23 EUR
10+	6.15 EUR
100+	4.39 EUR
500+	4.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG018N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 273A Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG018N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

Infineon

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG020N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPTG020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 395W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	20.67 EUR
50+	13.36 EUR
100+	9.15 EUR
500+	9.1 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG020N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V

auf Bestellung 590 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.37 EUR
10+	11.19 EUR
100+	8.25 EUR
500+	8.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPTG020N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPTG020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 395W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	20.67 EUR
50+	13.36 EUR
100+	9.15 EUR
500+	9.1 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG020N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG020N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 1224 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	18.2 EUR
10+	12.44 EUR
100+	10.26 EUR
500+	9.15 EUR
1000+	8.57 EUR

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IPTG025N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 150A 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 184A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1780 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.73 EUR
10+	5.78 EUR
100+	4.11 EUR
500+	3.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPTG025N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG025N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 150A 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 184A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG025N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 150A 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 206A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG025N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG025N15NM6

Infineon Technologies

IFX FET >100-150V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG025N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

auf Bestellung 10800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	9.28 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG025N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPTG025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 264 A, 2400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 1672 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.27 EUR
21+	11.53 EUR
100+	7.82 EUR
500+	7.66 EUR
1000+	7.24 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG025N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 264A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V

auf Bestellung 5400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	6.22 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG025N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 5623 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	15.32 EUR
10+	10.41 EUR
100+	7.64 EUR
500+	7.5 EUR
1000+	7.02 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG025N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

auf Bestellung 433 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

84+	7.7 EUR
100+	7.2 EUR

Mindestbestellmenge: 84 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG025N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG025N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPTG025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 264 A, 2400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm

auf Bestellung 1672 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.27 EUR
21+	11.53 EUR
100+	7.82 EUR
500+	7.66 EUR
1000+	7.24 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG025N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 264A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V

auf Bestellung 7091 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.57 EUR
10+	10.58 EUR
50+	8.45 EUR
100+	7.76 EUR
500+	7.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG025N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

auf Bestellung 3221 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

84+	7.7 EUR
100+	7.2 EUR
500+	6.68 EUR
1000+	6.16 EUR

Mindestbestellmenge: 84 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG025N15NM6ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG025N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG029N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 212A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 90A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 68 V

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.85 EUR
10+	7.95 EUR
100+	5.74 EUR
500+	5.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG029N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 212A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 90A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 68 V

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	4.33 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG029N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 1695 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.6 EUR
10+	10.28 EUR
100+	8.32 EUR
500+	7.39 EUR
1000+	6.56 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG039N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 243µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	4.66 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG039N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG039N15NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTG039N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 0.0035 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1486 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.56 EUR
16+	14.95 EUR
19+	11.65 EUR
50+	11.03 EUR
100+	10.41 EUR
250+	10.04 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG039N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >100-150V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG039N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 243µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

auf Bestellung 4249 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.02 EUR
10+	8.06 EUR
50+	6.35 EUR
100+	5.81 EUR
500+	5.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG039N15NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTG039N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 0.0035 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1486 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.56 EUR
16+	14.95 EUR
19+	11.65 EUR
50+	11.03 EUR
100+	10.41 EUR
250+	10.04 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG044N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 1090 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.78 EUR
10+	7.96 EUR
100+	6.09 EUR
500+	5.46 EUR
1000+	4.93 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG044N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOG-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 235µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPTG044N15NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTG044N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0036 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1438 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	19.02 EUR
16+	15.12 EUR
19+	11.61 EUR
50+	11.14 EUR
100+	10.66 EUR
250+	10.02 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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IPTG044N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IPTG044N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 235µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 75 V

auf Bestellung 1332 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.89 EUR
10+	7.27 EUR
50+	5.71 EUR
100+	5.21 EUR
500+	4.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPTG044N15NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTG044N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0036 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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16+	15.12 EUR
19+	11.61 EUR
50+	11.14 EUR
100+	10.66 EUR
250+	10.02 EUR

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IPTG054N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOG-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 191µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing

auf Bestellung 195 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	10.34 EUR
10+	6.89 EUR
100+	4.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPTG054N15NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPTG054N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm

auf Bestellung 168 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.9 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 17.5A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

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