Produkte > SIH
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| SIHLZ14STRL-GE3 | Vishay Siliconix | Description: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHLZ14STRR-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHLZ14STRR-GE3 | Vishay Siliconix | Description: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SiHLZ24-E3 | Vishay Siliconix | SiHLZ24-E3 IRLZ24PBF N-CH 60V 17A TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHLZ24L-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHLZ24S-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHLZ34S-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHLZ44S-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHLZ44STRR-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHM080N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHM080N60E-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs E Series Power MOSFET PowerPAK 8x8L | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP050N60E-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 32A Pulsed drain current: 155A Power dissipation: 278W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP050N60E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 459 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP050N60E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 459 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP050N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP050N60E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP050N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3459 pF @ 100 V | auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP052N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode | auf Bestellung 535 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP052N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET EF SERIES TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 100 V | auf Bestellung 796 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP052N60EF-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP052N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.052 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF IV Gen productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP054N65E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP054N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.058 ohm, ITO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 312W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: ITO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP054N65E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP054N65E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3769 pF @ 100 V | auf Bestellung 1013 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP054N65E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs E Series Power MOSFET TO-220AB, 58 mohm a. 10V | auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP054N65E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP054N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.058 ohm, ITO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 312W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: ITO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP054N65E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP054N65E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3769 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP065N60E-BE3 | Vishay | N Channel Trans MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP065N60E-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V | auf Bestellung 1534 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP065N60E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 600V 40A N-CH MOSFET | auf Bestellung 904 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP065N60E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 250W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm | auf Bestellung 648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP065N60E-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 25A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP065N60E-GE3 | Vishay | E Series Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP065N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V | auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP065N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB | auf Bestellung 661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP065N60E-GE3-X | Vishay / Siliconix | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP065N65E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 650V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP065N65E-GE3 | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 650V | auf Bestellung 943 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP068N60EF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP068N60EF-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Pulsed drain current: 115A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP068N60EF-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP068N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET | auf Bestellung 983 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP068N60EF-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP068N60EF-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.068 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP068N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 41A TO220AB Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP074N65E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP074N65E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs E Series Power MOSFET TO-220AB, 79 mohm a. 10V | auf Bestellung 1886 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP074N65E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP080N60E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 35A Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP080N60E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 227W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm | auf Bestellung 591 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP080N60E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 35A Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP080N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB, Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V | auf Bestellung 902 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP080N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 600V 35A N-CH MOSFET | auf Bestellung 6635 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP080N60E-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 96A; 227W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 227W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP085N60EF-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.084 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 184W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP085N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 184W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V | auf Bestellung 1953 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP085N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220AB | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP100N60E-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Power dissipation: 208W Case: TO220AB On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 73A Gate charge: 50nC Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube | auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP100N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V | auf Bestellung 3892 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP100N60E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB | auf Bestellung 12308 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP100N65E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP100N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 208W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP100N65E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D- Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137 pF @ 100 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP100N65E-GE3 | Vishay | MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP100N65E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP100N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 208W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP105N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V | auf Bestellung 986 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP105N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 600V 29A N-CH MOSFET | auf Bestellung 1570 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP105N60EF-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 862 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP10N40D-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP10N40D-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP10N40D-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6A; Idm: 23A; 147W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6A Power dissipation: 147W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 23A Gate charge: 30nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP10N40D-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP10N40D-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-220AB | auf Bestellung 551 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP10N40D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP110N65SF-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 650V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 100 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP110N65SF-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 650V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 100 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP11N80AE-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP11N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220AB | auf Bestellung 768 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP11N80AEF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode | auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP11N80E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 800V 12A N-CH MOSFET | auf Bestellung 1931 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP11N80E-BE3 | Vishay | N Channel Trans MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP120N60E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP120N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V | auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP120N60E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP120N60E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP120N60E-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 179W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 66A Gate charge: 45nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP120N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB | auf Bestellung 969 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP120N60E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP125N60EF-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.109 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 179 Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: EF Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.109 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | auf Bestellung 1003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP125N60EF-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB Polarisation: unipolar Drain current: 16A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 179W Gate charge: 47nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP125N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET | auf Bestellung 489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP125N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V | auf Bestellung 961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP125N65E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D- Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP125N65E-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 27A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP125N65E-GE3 | Vishay | MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V | auf Bestellung 815 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP12N50C-E3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 500V; 12A; 208W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 208W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 48nC Drain current: 12A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 0.46Ω | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP12N50C-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 500V | auf Bestellung 1609 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP12N50C-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP12N50E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 500V 10.5A N-CH MOSFET | auf Bestellung 1517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP12N50E-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP12N50E-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 500V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V | auf Bestellung 836 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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