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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIHLZ14STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLZ14STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLZ14STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLZ14STRR-GE3Vishay SiliconixDescription: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHLZ24-E3Vishay SiliconixSiHLZ24-E3 IRLZ24PBF N-CH 60V 17A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLZ24L-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLZ24S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLZ34S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLZ44S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLZ44STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHM080N60E-T1-GE3VishayMOSFETs E Series Power MOSFET PowerPAK 8x8L
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.01 EUR
10+11.63 EUR
100+9.59 EUR
500+8.54 EUR
1000+8.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHM080N60E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP050N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP050N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3459 pF @ 100 V
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.75 EUR
10+13.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP050N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP050N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.72 EUR
16+11.07 EUR
25+10.28 EUR
100+9.38 EUR
250+8.79 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP050N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.72 EUR
16+11.3 EUR
25+10.67 EUR
100+9.9 EUR
250+9.52 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP050N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.43 EUR
10+13.39 EUR
100+9.97 EUR
500+9.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP052N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.19 EUR
10+6.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP052N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET EF SERIES TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 100 V
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.61 EUR
10+9.9 EUR
50+7.88 EUR
100+7.24 EUR
500+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP052N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP052N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.052 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.61 EUR
25+9.63 EUR
36+6.08 EUR
50+5.59 EUR
100+5.57 EUR
250+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP054N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP054N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.058 ohm, ITO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: ITO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.42 EUR
15+15.95 EUR
20+10.84 EUR
50+9.51 EUR
100+8.16 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP054N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.53 EUR
19+9.45 EUR
25+8.76 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP054N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3769 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP054N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP054N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.058 ohm, ITO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: ITO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.42 EUR
15+15.95 EUR
20+10.84 EUR
50+9.51 EUR
100+8.16 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP054N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.53 EUR
19+9.25 EUR
25+8.44 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP054N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3769 pF @ 100 V
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.46 EUR
10+12.66 EUR
50+10.19 EUR
100+9.39 EUR
500+8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP054N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs E Series Power MOSFET TO-220AB, 58 mohm a. 10V
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.16 EUR
10+12.46 EUR
100+9.38 EUR
1000+8.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N60E-BE3VishayN Channel Trans MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N60E-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
auf Bestellung 1534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.42 EUR
50+8.95 EUR
100+8.22 EUR
500+6.97 EUR
1000+6.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N60E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 40A N-CH MOSFET
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.1 EUR
10+8.79 EUR
100+8.08 EUR
500+7.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.42 EUR
50+8.95 EUR
100+8.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.34 EUR
1000+6.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.7 EUR
16+15.34 EUR
20+11.01 EUR
50+9.21 EUR
100+8.41 EUR
250+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+9.15 EUR
11+8.26 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N60E-GE3VishayE Series Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N60E-GE3-XVishay / SiliconixMOSFETs
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SIHP065N65E-GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.45 EUR
10+8.98 EUR
100+7.22 EUR
500+6.43 EUR
1000+5.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP068N60EFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP068N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP068N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 41A TO220AB
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP068N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.068 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.15 EUR
25+9.33 EUR
100+8.54 EUR
500+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP068N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP068N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP068N60EF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.4 EUR
10+8.79 EUR
100+6.47 EUR
500+5.74 EUR
1000+5.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP074N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP074N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs E Series Power MOSFET TO-220AB, 79 mohm a. 10V
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.3 EUR
10+11.85 EUR
100+8.82 EUR
1000+8.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP074N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+9.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP080N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 35A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.2 EUR
10+5.34 EUR
100+4.86 EUR
500+4.61 EUR
1000+4.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP080N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 96A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP080N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 35A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP080N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.17 EUR
37+6.4 EUR
100+5.01 EUR
500+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP080N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 35A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP080N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.39 EUR
50+5.43 EUR
100+4.94 EUR
500+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP085N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.084 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+13.99 EUR
24+9.72 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP085N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.08 EUR
10+6.78 EUR
100+4.91 EUR
500+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP085N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.08 EUR
10+7.79 EUR
100+5.84 EUR
500+5.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP100N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
auf Bestellung 3892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.69 EUR
50+4 EUR
100+3.64 EUR
500+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP100N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 12308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.2 EUR
10+6.68 EUR
100+4.93 EUR
500+4.38 EUR
1000+4.16 EUR
2000+4.08 EUR
5000+4.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP100N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 73A
Gate charge: 50nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.27 EUR
25+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP100N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP100N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP100N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.58 EUR
10+12.08 EUR
100+8.98 EUR
500+8.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP100N65E-GE3VishayMOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.06 EUR
10+13.11 EUR
100+9.73 EUR
500+9.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP100N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP100N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP105N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.79 EUR
40+5.94 EUR
100+5.44 EUR
500+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP105N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.94 EUR
50+5.78 EUR
100+5.28 EUR
500+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP105N60EF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 29A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.85 EUR
10+6.28 EUR
100+5.74 EUR
500+5.63 EUR
1000+5.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP10N40D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP10N40D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP10N40D-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP10N40D-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6A; Idm: 23A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 23A
Gate charge: 30nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP10N40D-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP10N40D-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.83 EUR
10+3.71 EUR
100+2.51 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.87 EUR
2000+1.82 EUR
5000+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP110N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP110N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.63 EUR
10+5.69 EUR
50+4.43 EUR
100+4.02 EUR
500+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP11N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220AB
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.32 EUR
10+2.64 EUR
100+2.39 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP11N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP11N80AEF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.04 EUR
10+5.01 EUR
100+3.92 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.89 EUR
2000+2.78 EUR
5000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP11N80E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 800V 12A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.1 EUR
10+4.19 EUR
100+3.8 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP11N80E-BE3VishayN Channel Trans MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP120N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.47 EUR
10+6.07 EUR
100+5.55 EUR
500+4.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP120N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP120N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP120N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.66 EUR
10+7.81 EUR
50+6.15 EUR
100+5.63 EUR
500+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP120N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.95 EUR
37+4.53 EUR
38+4.28 EUR
50+4.07 EUR
100+3.72 EUR
250+3.56 EUR
500+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP120N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.95 EUR
37+4.63 EUR
38+4.44 EUR
50+4.3 EUR
100+4.03 EUR
250+3.96 EUR
500+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP120N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
Gate charge: 45nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP125N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.109 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 179
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EF
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.109
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.62 EUR
31+7.62 EUR
100+6.08 EUR
500+5.19 EUR
1000+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP125N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Gate charge: 47nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP125N60EF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.83 EUR
10+7.22 EUR
100+5.19 EUR
500+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP125N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.02 EUR
10+7.34 EUR
50+5.77 EUR
100+5.27 EUR
500+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP125N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP125N65E-GE3VishayMOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.79 EUR
10+10.77 EUR
100+7.91 EUR
500+7.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP125N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.06 EUR
10+10.94 EUR
50+8.75 EUR
100+8.03 EUR
500+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP12N50C-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.7 EUR
10+7.14 EUR
100+5.12 EUR
500+4.26 EUR
1000+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP12N50C-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 500V; 12A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.46Ω
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP12N50C-E3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 500V
auf Bestellung 1609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.69 EUR
10+7.14 EUR
100+5.51 EUR
500+4.9 EUR
1000+4.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP12N50E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 10.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.66 EUR
10+2.31 EUR
100+1.93 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.58 EUR
5000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP12N50E-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 10.5A
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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