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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGW45HF60WDB (TO-247, ST)
Produktcode: 49052
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STTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,65 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 45 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 250 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 30/145
auf Bestellung: 7 St.
  • 7 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+10.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW45HF60WDISTMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW45HF60WDISTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: -/145ns
Switching Energy: 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW45HF60WDI
Produktcode: 34994
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW45HF60WDISTMicroelectronicsIGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW45NC60VDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 45 A - 600 V Very Fast IGBT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW45NC60VDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 90A 270W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/178ns
Switching Energy: 333µJ (on), 537µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 270 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW45NC60WDSTMicroelectronicsIGBT Transistors PowerMESH IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW45NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 90A 285W TO247
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 126 nC
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 302µJ (on), 349µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/168ns
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 285 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW45NC60WD
Produktcode: 81901
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50H60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50H60DFSTMicroelectronics
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 360mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/178ns
Switching Energy: 890µJ (on), 860µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 360 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.28 EUR
10+5.97 EUR
100+4.9 EUR
600+4.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.32 EUR
30+5.65 EUR
31+5.46 EUR
100+4.75 EUR
500+4.43 EUR
600+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/128ns
Switching Energy: 629µJ (on), 478µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 272 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.81 EUR
28+5.97 EUR
29+5.66 EUR
100+4.84 EUR
500+4.41 EUR
600+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50H65DFB2-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50HF60SSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 110A TO-247-3
Power - Max: 284 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Gate Charge: 200 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 250µJ (on), 4.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/220ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50HF60SSTMIGBT N-CH 600V 110A TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50HF60SSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 110A 284000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.8 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50HF60SSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60A 600V Very Low Drop IGBT 600Vces
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50HF60SDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60A 600V Very Low Drop IGBT 600Vces
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50HF60SDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 110A TO-247-3
Power - Max: 284 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Gate Charge: 200 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 250µJ (on), 4.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/220ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50HF65SDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60 A, 650 V, very low drop IGBT with soft and fast recovery diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50NB60H
auf Bestellung 14435 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50NB60MST
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50NB60M
Produktcode: 152413
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50NC60W
Produktcode: 38440
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STTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,6 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 100 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 55 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 285 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 52/31
auf Bestellung: 29 St.
  • 29 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+5.16 EUR
10+4.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50NC60WSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 100A TO247
Switching Energy: 365µJ (on), 560µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/240ns
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 285 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Gate Charge: 195 nC
Test Condition: 390V, 40A, 10Ohm, 15V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50NC60WSTMicroelectronicsIGBTs Ultra fast series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 60A trench gate field-stop IGBT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
1+13.14 EUR
10+11.82 EUR
25+11.16 EUR
100+9.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 306 nC
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 626µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/160ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 67ns/165ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 206 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 360 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFSTMicroelectronicsIGBTs 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 350V 120A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.53 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 1212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.04 EUR
30+6.21 EUR
120+5.15 EUR
510+4.37 EUR
1020+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMIGBT 650V 80A 375W TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.77 EUR
34+6.91 EUR
100+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.68 EUR
43+3.9 EUR
120+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.22 EUR
10+6.12 EUR
100+4.94 EUR
600+4.13 EUR
1200+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.66 EUR
43+3.99 EUR
120+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.76 EUR
15+5.97 EUR
16+5.47 EUR
18+4.82 EUR
20+4.43 EUR
30+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW60H65DFB
Produktcode: 175740
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STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW60H65DFB-4STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
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STGW60H65DFB-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGW60H65DFB-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 65ns/261ns
Switching Energy: 346µJ (on), 1.161mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 596 Stücke:
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2+14.18 EUR
10+9.6 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STGW60H65DFB-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW60H65DFB-4 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+17.97 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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STGW60H65DRFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 19 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 85ns/178ns
Switching Energy: 940µJ (on), 1.06mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 420 W
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGW60H65DRFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT
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STGW60H65DRFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 420W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW60H65DRFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 420W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 420W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 217nC
Kind of package: tube
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STGW60H65FSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60A 650V FST IGBT Very High Switching
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STGW60H65FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 360W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STGW60H65F
Produktcode: 113707
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STGW60H65FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 360W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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26+6.78 EUR
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STGW60H65FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 65ns/180ns
Switching Energy: 750µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 360 W
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STGW60H65FBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
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STGW60H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGW60H65FBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW60H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.02 EUR
38+6.26 EUR
100+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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STGW60H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.75 EUR
30+6.03 EUR
120+5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STGW60H65FBSTMIGBT 650V 80A 375W TO247 Транзистори
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STGW60H65FBSTMicroelectronicsIGBTs 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
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STGW60H65FB
Produktcode: 112850
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STGW60V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.07 EUR
30+5.05 EUR
120+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STGW60V60DF
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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STGW60V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.12 EUR
10+5.09 EUR
100+4.19 EUR
600+4.02 EUR
1200+3.58 EUR
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STGW60V60DF
Produktcode: 107771
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Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,15 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 А
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+7.64 EUR
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STGW60V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGW60V60DFSTMIGBT Trench Field Stop 600V 80A 375W Through Hole TO-247 Транзистори
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STGW60V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.25 EUR
19+4.56 EUR
21+4.13 EUR
30+3.56 EUR
60+3.25 EUR
120+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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STGW60V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGW60V60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW60V60DF - IGBT, 80 A, 1.85 V, 375 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+10.97 EUR
26+9.07 EUR
100+7.33 EUR
500+6.3 EUR
1000+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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STGW60V60DLFSTMicroelectronicsDescription: IGBT BIPO 600V 60A TO247
Part Status: Active
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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STGW60V60F
Produktcode: 166133
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.15 EUR
30+5.09 EUR
120+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STGW60V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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STGW60V60FSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW60V60F - IGBT, 80 A, 1.85 V, 375 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 600V V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+10.97 EUR
41+5.69 EUR
100+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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STGW60V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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STGW60V60FSTMicroelectronicsIGBTs 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.2 EUR
10+5.13 EUR
100+4.24 EUR
600+3.56 EUR
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STGW75H65DFB2-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Mounting: THT
Power dissipation: 357W
Gate charge: 207nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Pulsed collector current: 225A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 71A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STGW75H65DFB2-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW75H65DFB2-4 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 115A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STGW75H65DFB2-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.7 EUR
26+6.47 EUR
100+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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STGW75H65DFB2-4STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.71 EUR
10+9.15 EUR
100+8.35 EUR
600+7.56 EUR
1200+7.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75H65DFB2-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 115A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/121ns
Switching Energy: 992µJ (on), 766µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 357 W
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.96 EUR
30+9.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75H65DFB2-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.48 EUR
26+6.24 EUR
100+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+8.77 EUR
27+5.94 EUR
100+4.99 EUR
250+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.21 EUR
10+12.17 EUR
25+7.77 EUR
100+6.66 EUR
250+6.39 EUR
600+6.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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