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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 306 nC
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 626µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/160ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 350V 120A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.63 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFSTMicroelectronicsIGBTs 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 67ns/165ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 206 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 360 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.49 EUR
49+3.45 EUR
120+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.52 EUR
49+3.56 EUR
120+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMIGBT 650V 80A 375W TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
auf Bestellung 1327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.97 EUR
10+6.12 EUR
100+5.01 EUR
600+4.32 EUR
1200+4 EUR
3000+3.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.78 EUR
30+6.09 EUR
120+5.06 EUR
510+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.76 EUR
15+5.97 EUR
16+5.47 EUR
18+4.82 EUR
20+4.43 EUR
30+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFB
Produktcode: 175740
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.52 EUR
39+6.06 EUR
100+4.63 EUR
500+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFB-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 65ns/261ns
Switching Energy: 346µJ (on), 1.161mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.28 EUR
10+9 EUR
100+6.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFB-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFB-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW60H65DFB-4 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFB-4STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DRFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DRFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 19 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 85ns/178ns
Switching Energy: 940µJ (on), 1.06mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 420 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DRFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 420W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65FSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60A 650V FST IGBT Very High Switching
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 65ns/180ns
Switching Energy: 750µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 360 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 360W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65F
Produktcode: 113707
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 360W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65FB
Produktcode: 112850
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65FBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW60H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.29 EUR
40+5.91 EUR
100+5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65FBSTMicroelectronicsIGBTs 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.03 EUR
30+5.63 EUR
120+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65FBSTMIGBT 650V 80A 375W TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60DFSTMIGBT Trench Field Stop 600V 80A 375W Through Hole TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 15510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.12 EUR
10+5.09 EUR
100+4.19 EUR
600+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.29 EUR
30+5.16 EUR
120+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60DF
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60DF
Produktcode: 107771
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,15 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 А
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+7.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW60V60DF - IGBT, 80 A, 1.85 V, 375 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.4 EUR
40+5.89 EUR
100+5.36 EUR
500+5.3 EUR
1000+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60DLFSTMicroelectronicsDescription: IGBT BIPO 600V 60A TO247
Part Status: Active
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60F
Produktcode: 166133
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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STGW60V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW60V60F - IGBT, 80 A, 1.85 V, 375 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 600V V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.34 EUR
44+5.36 EUR
100+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60FSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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STGW60V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.63 EUR
30+4.81 EUR
120+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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STGW60V60FSTMicroelectronicsIGBTs 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.2 EUR
10+5.13 EUR
100+4.24 EUR
600+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75H65DFB2-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 71A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 225A
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75H65DFB2-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.59 EUR
26+6.31 EUR
100+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75H65DFB2-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 115A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/121ns
Switching Energy: 992µJ (on), 766µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 357 W
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.52 EUR
30+9.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75H65DFB2-4STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.4 EUR
10+9.15 EUR
600+7.98 EUR
1200+6.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75H65DFB2-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.81 EUR
26+6.56 EUR
100+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75H65DFB2-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW75H65DFB2-4 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 115A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.21 EUR
10+12.17 EUR
25+7.77 EUR
100+6.66 EUR
250+6.39 EUR
600+6.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+8.87 EUR
27+6.01 EUR
100+5.05 EUR
250+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75M65DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW75M65DF2 - IGBT, 120 A, 1.65 V, 468 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.57 EUR
27+8.87 EUR
100+6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns
Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 468 W
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.57 EUR
30+7.22 EUR
120+6.05 EUR
510+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.07 EUR
27+6.25 EUR
100+5.32 EUR
250+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW80H65DFB - IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 469W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.77 EUR
20+12.02 EUR
21+10.39 EUR
50+9.7 EUR
100+9 EUR
250+8.29 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.5 EUR
28+6.09 EUR
60+4.89 EUR
120+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
auf Bestellung 2676 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.75 EUR
30+6.68 EUR
120+5.56 EUR
510+4.74 EUR
1020+4.44 EUR
2010+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFBSTMIGBT 650V 120A 469W TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.18 EUR
16+5.65 EUR
17+5.31 EUR
30+4.59 EUR
120+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
auf Bestellung 3521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.52 EUR
10+6.56 EUR
100+5.46 EUR
600+4.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFB
Produktcode: 164114
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.78 EUR
10+11.82 EUR
100+9.57 EUR
600+8.08 EUR
1200+7.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+6.47 EUR
1200+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+6.47 EUR
1200+5.97 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65FB-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65FB-4STMIGBT BIPO 650V 80A TO247-4 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65FB-4STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate V series 600V 80A HiSpd
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.83 EUR
16+10.95 EUR
50+9.44 EUR
100+7.83 EUR
200+7.39 EUR
500+6.97 EUR
1200+6.02 EUR
2400+6 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW80V60DF - IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.72 EUR
23+10.45 EUR
26+8.35 EUR
50+7.01 EUR
100+6.7 EUR
250+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Exposed Pad
Packaging: Tube
Power - Max: 469 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Part Status: Active
Gate Charge: 448 nC
Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.75 EUR
10+8.23 EUR
30+7.51 EUR
120+6.85 EUR
270+6.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60DFSTMIGBT 600V 120A 469W TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 469W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 448nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 240A
Power dissipation: 469W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 448 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.7 EUR
10+12.32 EUR
25+11.65 EUR
100+10.08 EUR
600+8.59 EUR
1200+7.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW8M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.38 EUR
10+4.66 EUR
100+3.25 EUR
600+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW8M120DF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW8M120DF3 - IGBT, Trench-Gate, 16 A, 1.85 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+8.97 EUR
44+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW8M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 16A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/126ns
Switching Energy: 390µJ (on), 370µJ (Off)
Test Condition: 600V, 8A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A
Power - Max: 167 W
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.38 EUR
30+4.65 EUR
120+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA100H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+8.83 EUR
25+7.87 EUR
100+6.83 EUR
250+6.35 EUR
600+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA100H65DFB2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 91A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 288nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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