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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFP14N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP14N60P - MOSFET, N, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60PТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60PIXYSMOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.71 EUR
10+8.52 EUR
100+6.83 EUR
500+5.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 327W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 25 V
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.48 EUR
50+7.29 EUR
100+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N85XIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N85XMIXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 25 V
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N85XMIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 38W; TO220FP; 116ns
Mounting: THT
Power dissipation: 38W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Reverse recovery time: 116ns
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.15 EUR
14+6.44 EUR
15+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N85XMIXYSMOSFETs 850V/14A UlJun XCl
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.46 EUR
10+8.29 EUR
500+7.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N85XMLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 14A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.59 EUR
50+5.08 EUR
100+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50PIXYSMOSFETs 500V 16A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.77 EUR
50+5.28 EUR
100+5.13 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.59 EUR
50+4.97 EUR
100+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.83 EUR
16+5.36 EUR
50+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.64 EUR
10+9.2 EUR
50+7.29 EUR
100+6.69 EUR
500+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50P3
Produktcode: 202044
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.1 EUR
17+5.21 EUR
50+4.59 EUR
100+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.16 EUR
50+6.22 EUR
100+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.4 EUR
10+7.19 EUR
100+6.58 EUR
500+6.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N60P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.24 EUR
50+8.02 EUR
100+7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N60P3IXYSMOSFETs TO220 600V 16A N-CH POLAR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.01 EUR
10+9.47 EUR
50+7.52 EUR
100+6.9 EUR
500+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.73 EUR
50+4.74 EUR
100+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N85XIXYSDescription: IXFP16N85X
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N85XIXYSMOSFET MOSFET DISCRETE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N85XMIXYSMOSFET MOSFET DISCRETE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N85XMIXYSDescription: IXFP16N85XM
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP180N10T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 180A
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.98 EUR
10+8.71 EUR
100+7.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP180N10T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 66ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.94 EUR
11+8.02 EUR
14+6.53 EUR
50+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP180N10T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.28 EUR
50+8.88 EUR
100+8.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP180N10T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N60XIxys CorporationIXFP18N60X
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N65X2IXYSMOSFETs 650V/18A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
auf Bestellung 298 Stücke:
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2+13.09 EUR
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IXFP18N65X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFP18N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
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IXFP18N65X2MLittelfusePower MOSFET
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IXFP18N65X2MIXYSMOSFETs 650V/18A OVERMOLDED TO-220
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IXFP18N65X3LittelfuseMOSFETs TO220 650V 18A N-CH X3CLASS
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFP18N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 18A 650V X3 TO22
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFP20N50P3IXYSMOSFETs TO220 500V 20A N-CH POLAR
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFP20N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 500V; 20A; 380W; TO220-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP20N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
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IXFP20N50P3MIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
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IXFP20N50P3MIXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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IXFP20N50P3MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 58W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 58W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFP20N60X3LittelfuseMOSFETs TO220 600V 20A N-CH X3CLASS
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IXFP20N60X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 20A 600V X3 TO22
Packaging: Tube
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IXFP20N85XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 20A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP20N85XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Mounting: THT
Power dissipation: 540W
Gate charge: 63nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Reverse recovery time: 190ns
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFP20N85XIXYSMOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
auf Bestellung 238 Stücke:
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IXFP220N06T3IXYSMOSFET 60V/220A TrenchT3
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IXFP220N06T3IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
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IXFP220N06T3
Produktcode: 139514
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IXFP22N60P3IXYSMOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
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10+7.31 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 138 Stücke:
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13+6.64 EUR
15+5.69 EUR
50+4.95 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N60P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 143 Stücke:
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17+10.32 EUR
50+8.65 EUR
100+7.79 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.86 EUR
10+9.37 EUR
50+7.44 EUR
100+6.82 EUR
500+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
auf Bestellung 3978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.59 EUR
50+7.28 EUR
100+6.68 EUR
500+5.62 EUR
1000+5.27 EUR
2000+5.22 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2
Produktcode: 197751
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 239 Stücke:
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18+9.72 EUR
50+7.85 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.64 EUR
10+7.31 EUR
100+6.7 EUR
500+6.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Gate charge: 37nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.68 EUR
18+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2M
Produktcode: 210072
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.145Ω
Reverse recovery time: 145ns
Mounting: THT
Power dissipation: 37W
Gate charge: 37nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.84 EUR
22+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2MIXYSMOSFETs 650V/22A OVERMOLDED TO-220
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.65 EUR
10+6.75 EUR
100+6.15 EUR
500+5.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.86 EUR
10+8.65 EUR
50+6.84 EUR
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2MIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2MWIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP22N65X2MWLittelfuseIXFP22N65X2MW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP230N075T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.36 EUR
50+7.88 EUR
100+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP230N075T2IXYSMOSFETs TO220 650V 230A N-CH TRENCH
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.22 EUR
10+12.42 EUR
50+8.38 EUR
100+7.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP24N60XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO220AB; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP24N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP24N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP26N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 26A; 170W; TO220AB
On-state resistance: 66mΩ
Reverse recovery time: 105ns
Mounting: THT
Power dissipation: 170W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.52 EUR
25+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IXFP26N30X3IXYSMOSFETs TO220 300V 26A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.88 EUR
10+6.28 EUR
100+5.71 EUR
500+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP26N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP26N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 26A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
auf Bestellung 2021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.14 EUR
50+4.86 EUR
100+4.15 EUR
500+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IXFP26N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFP26N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.53 EUR
50+4.3 EUR
100+4.06 EUR
250+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP26N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFP26N30X3 - MOSFET, N-CH, 300V, 26A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFP26N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.8 EUR
10+15.08 EUR
50+12.22 EUR
100+11.29 EUR
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IXFP26N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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