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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTT12N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT12N150IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 12A; 890W; TO268; 1.2us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.2µs
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT12N150HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 12A; 890W; TO268HV; 1.2us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 890W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.2µs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT12N150HVIXYSMOSFETs TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+120.01 EUR
10+97.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT12N150HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT12N150HV-TRLIXYSMOSFETs IXTT12N150HV TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT12N150HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 12A TO268HV
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
400+105.53 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140N075L2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 140A TO268HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140N075L2HVIXYSMOSFET MSFT N-CH LINEAR L2
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140N075L2HV-TRLittelfuseMOSFET MOSFET DISCRETE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140N075L2HV-TRLittelfuse Inc.Description: DISC MOSFET N-CH LINEAR L2 TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140N10PIXYSMOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.49 EUR
10+16.12 EUR
120+14.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140N10PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140N10P-TRLIXYSMOSFET Modules IXTT140N10P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140N10P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140P10TIXYSMOSFETs P-Channel: Standard MOSFET
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.47 EUR
10+35.6 EUR
30+26.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+32.52 EUR
30+21.72 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140P10TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; TO268
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain current: -140A
Drain-source voltage: -100V
Reverse recovery time: 130ns
Gate charge: 400nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 568W
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.13 EUR
30+28.06 EUR
120+24.55 EUR
510+24.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140P10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+43.33 EUR
7+33.81 EUR
10+25.28 EUR
50+25.22 EUR
100+25.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+24.12 EUR
10+23.05 EUR
20+21.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+32.26 EUR
30+21.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N10D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 16A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N10D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N10D2MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N10D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT16N10D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.064 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 830
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 830
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N10D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N10D2IXYSMOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N20D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N20D2IXYSMOSFETs D2 Depletion Mode Power MOSFETs
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 423-427 Tag (e)
1+29.46 EUR
10+29.45 EUR
30+24.42 EUR
60+23.5 EUR
120+20.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N20D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N20D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N20D2MOSFET N-CH 200V 16A TO-268 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N20D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT16N20D2. - MOSFET, N-CH, 200V, 16A, TO-268
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+51.38 EUR
6+43.3 EUR
10+35.94 EUR
25+31.86 EUR
100+27.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N20D2TRLIxys CorporationIXTT16N20D2TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N50D2IXYSMOSFETs D2 Depletion Mode Power MOSFETs
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.04 EUR
10+32.71 EUR
120+28.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8A, 0V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.39 EUR
10+37.29 EUR
30+34.64 EUR
120+32.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16P20IXYSMOSFET -16 Amps -200V 0.16 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16P20IXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 16A TO268
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Supplier Device Package: TO-268AA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+26.24 EUR
840+25.61 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16P60PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16P60PIXYSMOSFETs -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.17 EUR
10+25.44 EUR
30+21.86 EUR
60+21.85 EUR
120+20.42 EUR
270+19.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16P60PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+32.53 EUR
10+26.48 EUR
30+21.04 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16P60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 600V 16A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.11 EUR
30+18.29 EUR
120+15.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16P60PP-Channel 600 V 16A (Tc) 460W (Tc) Surface Mount TO-268AA Транзистори
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IXTT16P60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT16P60P - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-268
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+25.72 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+25.49 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16P60PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+26.24 EUR
840+25.06 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXTT170N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT170N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 170
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 715
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT170N10PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO268
Power dissipation: 715W
Gate charge: 198nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
Drain current: 170A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 9mΩ
Reverse recovery time: 120ns
Mounting: SMD
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+18.12 EUR
7+13.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IXTT170N10PIXYSMOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT170N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO268
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.48 EUR
30+16.71 EUR
120+14.35 EUR
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IXTT170N10P-TRIXYSMOSFETs IXTT170N10P TR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT170N10P-TRLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: TO-268
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N100IXYSMOSFET 1 Amps 1000V
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268
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 Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N250HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N250HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+55.87 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N250HVIXYSMOSFETs DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-268AA
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+95.68 EUR
10+77.35 EUR
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IXTT1N250HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT1N250HV - MOSFET, N-CH, 2.5KV, 1.5A, TO-268
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5
Dauer-Drainstrom Id: 1.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 40
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N250HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+55.87 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N250HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.02 EUR
10+59.01 EUR
100+57.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N250HV-TRLIXYSMOSFETs IXTT1N250HV TRL
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 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N250HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N250HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
400+57.85 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IXTT1N300P3HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 1A; 195W; TO268HV; 1.8us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
On-state resistance: 50Ω
Power dissipation: 195W
Drain-source voltage: 3kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 1.8µs
Drain current: 1A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N300P3HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT1N300P3HV - MOSFET, N-CH, 3KV, 1A, TO-268HV
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 3
Dauer-Drainstrom Id: 1
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: TO-268HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 50
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N300P3HVIXYSMOSFETs TO268 3KV 1A N-CH POLAR
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+86.1 EUR
10+69.51 EUR
120+64.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N300P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 3000V 1A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 25 V
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.59 EUR
30+53.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N450HVIXYSMOSFETs 4500V 1A HV Power MOSFET
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+105.47 EUR
10+98.83 EUR
120+82.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N450HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 4.5KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N450HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N450HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO268HV; 1.75us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 1.75µs
Drain current: 1A
On-state resistance: 80Ω
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N450HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 4.5KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N450HV.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT1N450HV. - MOSFET, N-CH, 4.5KV, 1A, TO-268HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 hours
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT20N50DIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT20N50DIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT20N50DIXYSMOSFETs 20 Amps 500V 0.33 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.05 EUR
25+16.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+26.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+13.05 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT20P50PIXYSMOSFETs -20.0 Amps -500V 0.450 Rds
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.61 EUR
10+18.96 EUR
120+18.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+21.72 EUR
10+18.9 EUR
25+17.85 EUR
50+16.98 EUR
100+14.49 EUR
500+10.96 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT20P50PIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 20A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+21.72 EUR
10+19.31 EUR
25+18.53 EUR
50+17.93 EUR
100+15.71 EUR
500+12.21 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT20P50P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT20P50P. - MOSFET, P-CH, 500V, 20A, TO-268
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 275 Stücke:
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7+36.94 EUR
8+31.24 EUR
10+26 EUR
25+23.22 EUR
100+20.4 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT220N20X4HVIXYSMOSFETs TO268 200V 220A N-CH X4CLASS
auf Bestellung 1543 Stücke:
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1+35.1 EUR
10+22.02 EUR
120+20.48 EUR
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IXTT220N20X4HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35 EUR
30+21.93 EUR
120+19.62 EUR
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IXTT220N20X4HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT220N20X4HV - Leistungs-MOSFET, Klasse X4, n-Kanal, 200 V, 220 A, 4100 µohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 292 Stücke:
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6+42.19 EUR
7+34.3 EUR
10+27.16 EUR
50+22.66 EUR
100+22.09 EUR
250+21.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IXTT240N15X4HVIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT240N15X4HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 240A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
auf Bestellung 27 Stücke:
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1+43.46 EUR
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