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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
GS6250-600Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.6250 DIA. X 60IN LG
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+510.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS6267SGS09+ SOP16
auf Bestellung 1031 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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GS6268SNLINKAS2000
auf Bestellung 17965 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS6269SNLINKAS1999
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS6333UR1903SI
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS6333UR19D3VISHAY09+
auf Bestellung 72018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS64/20GSM/GPRS Radio Device Бездротові GSM модулі
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS65011-EVBEZGaN Systems IncOpen Loop Boost Evaluation Board
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+304.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS65011-EVBEZGaN SystemsPower Management IC Development Tools EZDrive Open Loop Boost Evaluation Board
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+368.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS651DONAU ELEKTRONIKCategory: Soldering tips
Description: Tip; conical; 6mm; for soldering iron
Tip dimensions: 6mm
Tip shape: conical
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Applications of soldering equipment: for soldering iron
Type of tip: for sold. irons with heating element
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS6521411SwitchEasyDescription: WALLCHARGERPOWERBUDDYPROGAN65WBL
Packaging: Box
For Use With/Related Products: iPad, MacBook
Accessory Type: Power Adapter
Specifications: Black
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS653DONAU ELEKTRONIKCategory: Soldering tips
Description: Tip; chisel; 6mm; for soldering iron
Tip dimensions: 6mm
Tip shape: chisel
Related items: D-GS60
Applications of soldering equipment: for soldering iron
Type of tip: for sold. irons with heating element
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS656DONAU ELEKTRONIKCategory: Soldering tips
Description: Tip; conical; 6mm; longlife; for soldering iron
Soldering equipment features: longlife
Tip dimensions: 6mm
Tip shape: conical
Related items: D-GS60
Applications of soldering equipment: for soldering iron
Type of tip: for sold. irons with heating element
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS658DONAU ELEKTRONIKCategory: Soldering tips
Description: Tip; chisel; 6mm; longlife; for soldering iron
Soldering equipment features: longlife
Tip dimensions: 6mm
Tip shape: chisel
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Applications of soldering equipment: for soldering iron
Type of tip: for sold. irons with heating element
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS65R060Q4AGoford SemiconductorDescription: SiC MOSFET N-CH 650V 42A TO-247
Packaging: Tube
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.35 EUR
50+15.28 EUR
100+12.74 EUR
500+11.72 EUR
1000+10.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS663DONAU ELEKTRONIKCategory: Soldering tips
Description: Tip; bent chisel; 6mm; for soldering iron
Tip dimensions: 6mm
Tip shape: bent chisel
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Applications of soldering equipment: for soldering iron
Type of tip: for sold. irons with heating element
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66502B-BGaN Systems IncGAN POWER TRANSISTOR
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.83 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66502B-E01-MRGaN SystemsMOSFET 650V, 7.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66502B-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66502B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.25A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.75mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66502B-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+13.65 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66502B-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 7.5A, Bottom-Side Cooled E-mode GaN Transistor
auf Bestellung 3467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.74 EUR
10+18.52 EUR
100+16.62 EUR
500+13.74 EUR
1000+13.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66502B-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+8.72 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66502B-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66502B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.25A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.75mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 400 V
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.08 EUR
10+19.78 EUR
100+16.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66502B-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+8.72 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66502B-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66502B-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66502B-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.25A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.75mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66502B-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 7.5A, Bottom-Side Cooled E-mode GaN Transistor
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.74 EUR
10+18.52 EUR
100+15.43 EUR
500+13.76 EUR
1000+13.2 EUR
3000+11.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66502BMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+35.33 EUR
9+27.57 EUR
10+21.63 EUR
50+19.52 EUR
100+17.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66502BMRXUSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 6.3A; Idm: 15A; GaNPX
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 15A
Case: GaNPX
Gate-source voltage: -10...7V
On-state resistance: 516mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66502BMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+35.33 EUR
9+27.57 EUR
10+21.63 EUR
50+19.52 EUR
100+17.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66502BTRXUMA1Infineon Technologies LEGACY GAN SYSTEMS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504B-BGaN Systems IncGS66504B-B
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.09 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504B-E01-MRGaN Systems IncGS66504B-E01-MR
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.76 EUR
16+11.08 EUR
25+10.57 EUR
50+9.89 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504B-E01-MRGaN Systems IncGS66504B-E01-MR
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.72 EUR
16+10.83 EUR
25+10.14 EUR
50+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504B-E01-MRGaN SystemsMOSFET No longer available. Order GS66504B-MR, discount on ship and debit
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504B-EVBDBGaN SystemsPower Management IC Development Tools GS66504B Half Bridge Daughter Board
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504B-MRGaN SystemsGaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
auf Bestellung 6850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.72 EUR
10+33.21 EUR
25+32.33 EUR
50+30.54 EUR
100+30.5 EUR
250+25.88 EUR
1000+23.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504B-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 15A 3-Pin ULGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504B-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66504B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.81 EUR
10+21.73 EUR
100+17.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504B-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
auf Bestellung 4324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.19 EUR
10+21.8 EUR
100+18.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504B-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66504B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+17.23 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504B-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66504B-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504B-TRGaN SystemsGaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
auf Bestellung 3111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.72 EUR
10+33.21 EUR
25+32.33 EUR
50+30.54 EUR
100+28.74 EUR
250+27.86 EUR
500+26.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504B-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
auf Bestellung 1218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.19 EUR
10+21.8 EUR
100+20.12 EUR
3000+17.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504BMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+34.89 EUR
9+28.29 EUR
10+22.32 EUR
50+20.82 EUR
100+19.3 EUR
250+18.91 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504BMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+22.32 EUR
50+20.82 EUR
100+19.3 EUR
250+18.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504BTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66504BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+45.89 EUR
7+35.78 EUR
10+28.11 EUR
50+25.32 EUR
100+22.38 EUR
250+21.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66504BTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66504BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+45.89 EUR
7+35.78 EUR
10+28.11 EUR
50+25.32 EUR
100+22.38 EUR
250+21.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66506T-BGaN Systems IncGAN POWER TRANSISTOR
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+24.61 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66506T-E01-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 22A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66506T-E01-MRGaN SystemsMOSFET 650V 22A E-Mode GaN
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66506T-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66506T-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6.7A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 400 V
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.62 EUR
10+26.16 EUR
100+23.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66506T-MRGaN Systems IncGAN POWER TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66506T-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66506T-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6.7A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66506T-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 22.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66506T-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 22.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66506T-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66506T-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6.7A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66506TTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66506TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+63.9 EUR
5+50.66 EUR
10+39.84 EUR
50+35.75 EUR
100+32.96 EUR
250+32.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66506TTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66506TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.5nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+63.9 EUR
5+50.66 EUR
10+39.84 EUR
50+35.75 EUR
100+32.96 EUR
250+32.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508B-BGaN Systems IncGS66508B-B
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+29.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508B-E01-MRGaN SystemsMOSFET No longer available. Order GS66508B-MR
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508B-EVBDBGaN SystemsPower Management IC Development Tools GS66508B Half Bridge Daughter Board
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508B-EVBDB1GaN SystemsPower Management IC Development Tools 650V GaN Isolated Digital Driver Half Bridge Daughter Board feauturing the Analog Devices ADuM4121, a high voltage, isolated gate driver
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 137-141 Tag (e)
1+397.14 EUR
5+383.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508B-EVBDB1GaN Systems IncGAN POWER TRANSISTOR TEST/EVALUATION PRODUCT
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+304.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508B-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66508B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 400 V
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.64 EUR
10+31.34 EUR
100+27.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508B-MR
Produktcode: 169559
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508B-MRGaN Systems IncBottom-Side Cooled 650V E-Mode GaN Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508B-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66508B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 400 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+26.73 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508B-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508B-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
auf Bestellung 1581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.04 EUR
10+32.76 EUR
100+28.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508B-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66508B-TR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508BTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+74.38 EUR
5+58.01 EUR
10+45.57 EUR
50+41.07 EUR
100+36.28 EUR
250+35.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508BTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+74.38 EUR
5+58.01 EUR
10+45.57 EUR
50+41.07 EUR
100+36.28 EUR
250+35.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508P-E03-TYGaN SystemsMOSFET 650V, 30A, E-Mode Preproduction Units
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508P-E04-TYGaN SystemsMOSFET 650V 30A E-Mode GaN Preproduction Units
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508P-E05-MRGaN SystemsMOSFET Discontinued. NRND. Use GS66508B-MR instead
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508P-E05-MRGaN Systems IncGS66508P-E05-MR
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508P-E05-TYGaN SystemsMOSFET 650V 30A E-Mode GaN Preproduction Units
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508T-BGaN Systems IncGS66508T-B
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+23.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508T-E02-MRGaN SystemsMOSFET No longer available. Order GS66508T-MR
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508T-E02-MR
Produktcode: 174216
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508T-EVBDBGaN SystemsPower Management IC Development Tools GS66508T Half Bridge Daughter Board
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508T-EVBDB2GaN SystemsPower Management IC Development Tools 650V GaN Isolated Optocoupler Driver Half Bridge Daughter Board 2 kW featuring the Broadcom ACPL-P346 Gate Drive optocoupler
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+356.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508T-MRGaN Systems IncTop-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+29.74 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508T-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66508T-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508T-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508T-TRGaN Systems IncTop-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+14.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508T-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.07 EUR
10+32.77 EUR
100+30.23 EUR
3000+27.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508T-TRGaN Systems IncTop-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+14.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508T-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66508T-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508TMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+74.38 EUR
5+58.01 EUR
10+45.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66508TMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+74.38 EUR
5+58.01 EUR
10+45.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516B-BGaN Systems IncGS66516B-B
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+71.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516B-E01-MRGaN SystemsMOSFET 650 V E-MODE GAN TRANSITOR
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516B-E01-MRGaN Systems IncGS66516B-E01-MR
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+70.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516B-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66516B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516B-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 6-Pin ULGA T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+63.82 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516B-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
auf Bestellung 1154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.45 EUR
10+65.53 EUR
100+59.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516B-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66516B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516B-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 6-Pin ULGA T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+63.82 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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