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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFA50N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA56N30X3IXYSMOSFETs TO263 300V 56A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.28 EUR
10+9.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA56N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 56A TO263AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.11 EUR
50+10.04 EUR
100+9.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA56N30X3-TRLLittelfuse DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N100PIXYSMOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.6 EUR
10+9.78 EUR
100+7.83 EUR
500+6.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N100P-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 5A; 250W; D2PAK,TO263; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33.4nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N100P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N100P-TRLIXYSMOSFETs IXFA5N100P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA60N25X3IXYSMOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.97 EUR
10+10.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA60N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO263AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.71 EUR
50+8.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA6N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
auf Bestellung 4319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.69 EUR
50+13.42 EUR
100+12.44 EUR
500+10.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA6N120PIXYSMOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.97 EUR
10+11.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA6N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA6N120P-TRLIXYSMOSFETs IXFA6N120P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA6N120P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.4 EUR
50+10.73 EUR
100+9.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N20X3IXYSMOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 72A TO263AA
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.7 EUR
50+13.4 EUR
100+12.41 EUR
500+10.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N30X3IXYSMOSFETs TO263 300V 72A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.04 EUR
10+17.42 EUR
50+11.57 EUR
100+11.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA72N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 72 A, 0.019 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.15 EUR
14+17.78 EUR
16+13.82 EUR
50+11.25 EUR
100+11.06 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N30X3-TRLIXYSMOSFET IXFA72N30X3 TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA76N15T2IXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA76N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 76A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA76N15T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 76A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.14 EUR
50+7.57 EUR
100+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N100PIXYSMOSFETs 7 Amps 1000V
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.73 EUR
10+7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA7N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 7 A, 1.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.9 EUR
19+12.67 EUR
22+9.77 EUR
50+7.84 EUR
100+7.6 EUR
250+7.34 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N100P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N100P-TRLIXYSMOSFETs IXFA7N100P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N60P3IXYSMOSFET 600V 7A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N80PIXYSMOSFETs 7 Amps 800V 1.44 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 32nC
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.3 EUR
10+7.53 EUR
50+5.91 EUR
100+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N80P-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 7A; 200W; D2PAK,TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 32nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N80P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N80P-TRLIXYSMOSFETs IXFA7N80P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.7 EUR
25+11.03 EUR
50+10.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3IXYSMOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.81 EUR
10+12.76 EUR
100+12.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+14.17 EUR
50+9.52 EUR
100+9.16 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.45 EUR
50+9.5 EUR
100+9 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.64 EUR
14+12.98 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA80N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 80 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.51 EUR
13+18.2 EUR
15+14.3 EUR
50+11.8 EUR
100+10.9 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
auf Bestellung 1838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.18 EUR
50+11.75 EUR
100+10.82 EUR
500+9.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
auf Bestellung 1932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.62 EUR
10+13.36 EUR
100+10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+9.85 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3-TRLIXYSMOSFET MOSFET DISC X4
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.34 EUR
10+18.37 EUR
25+17.53 EUR
100+15.21 EUR
500+13.26 EUR
800+11.27 EUR
2400+10.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA80N25X3. - MOSFET, N-CH, 250V, 80A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPERFET X3 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.17 EUR
25+17.12 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A X3CLASS TO-
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A X3CLASS TO-
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N65X2IXYSMOSFETs 650V/8A TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.15 EUR
77+1.11 EUR
81+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N85XHVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 8A; Idm: 16A; 200W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 200W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X-Class
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: TO263HV
On-state resistance: 0.85Ω
Reverse recovery time: 125ns
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.91 EUR
12+7.09 EUR
13+7 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N85XHVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N85XHVIXYSMOSFET 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N85XHVMOSFET N-CH 850V 8A TO-263HV Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA90N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA90N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA90N20X3IXYSMOSFETs TO263 200V 90A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA90N20X3-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 90A; 390W; D2PAK,TO263; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 95ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA90N20X3-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA90N20X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA90N20X3TRLIXYSMOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFB100N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.049 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+69.17 EUR
5+58.75 EUR
10+49.16 EUR
50+47.61 EUR
100+46.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 100A; 1890W; PLUS264™
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 240nC
On-state resistance: 49mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 1890W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50PIXYSMOSFETs 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.75 EUR
10+48.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS264™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50P                                       497         
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/100A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 1560W; PLUS264™
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 49mΩ
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 1.56kW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50 IXYS08+
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB110N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 110A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB110N60P3MOSFET N-CH 600V 110A TO-264-3 (PLUS264) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB110N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 110A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFB120N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
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IXFB120N50P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
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IXFB132N50P3IXYSMOSFETs 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
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1+48.31 EUR
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IXFB132N50P3
Produktcode: 94706
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IXFB132N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
auf Bestellung 186 Stücke:
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1+60.43 EUR
25+40.16 EUR
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IXFB132N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB132N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 132 A, 0.039 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 132
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.89
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFB150N65X2MOSFET N-Channel, Id=150A, Vdss=650V, TO-264-3 (PLUS264) Транзистори
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IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
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5+38.81 EUR
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IXFB150N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400 pF @ 25 V
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+78.6 EUR
25+53.16 EUR
50+49.88 EUR
100+46.26 EUR
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IXFB150N65X2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFB150N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X2-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+73.49 EUR
5+61.26 EUR
10+50.08 EUR
50+48.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IXFB150N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Reverse recovery time: 260ns
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+41.28 EUR
5+38.51 EUR
10+37.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXFB150N65X2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+66.87 EUR
5+61.5 EUR
10+58.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
auf Bestellung 15125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+37.5 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
auf Bestellung 15125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+37.5 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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