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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXYH40N120B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 20634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.08 EUR
25+9.87 EUR
50+9.41 EUR
100+8.5 EUR
1000+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 86A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/177ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 480 W
auf Bestellung 1449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.08 EUR
30+16.49 EUR
120+14.17 EUR
510+13.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 20634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.33 EUR
25+10.25 EUR
50+9.94 EUR
100+9.2 EUR
1000+8.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B3D1IXYSIGBTs TO247 1200V 40A GENX3
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.92 EUR
10+16.23 EUR
120+14.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.97 EUR
25+17.83 EUR
50+16.74 EUR
100+15.79 EUR
250+15.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B4IXYSIGBT Transistors IGBT DISCRETE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 136A; 680W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 680W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 250A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 136A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B4H1LittelfuseIGBT Transistors IXYH40N120B4H1
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.24 EUR
10+15.65 EUR
30+14.18 EUR
120+13.03 EUR
270+12.27 EUR
510+11.5 EUR
1020+10.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 112A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 430 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/220ns
Switching Energy: 5.9mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 112 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.54 EUR
30+16.79 EUR
120+14.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 240A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B4H1IXYSIGBTs IXYH40N120B4H1
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.08 EUR
10+16.53 EUR
120+15.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 70A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/125ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 577 W
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.62 EUR
30+14.21 EUR
120+12.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 175A
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3IGBT 1200V 70A TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3IXYSIGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3D1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.61 EUR
10+16.86 EUR
120+15.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 64A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/125ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 480 W
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.06 EUR
30+17.14 EUR
120+14.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C4IXYSIGBTs TO247 1200V 40A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/140ns
Switching Energy: 5.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 680 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 120A; 680W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 680W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 230A
Turn-off time: 140ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C4H1LittelfuseIGBT Transistors IXYH40N120C4H1
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.24 EUR
10+15.65 EUR
30+14.18 EUR
120+13.03 EUR
270+12.27 EUR
510+11.5 EUR
1020+10.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C4H1IXYSIGBTs IXYH40N120C4H1
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.08 EUR
10+16.53 EUR
120+15.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 110A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 380 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/140ns
Switching Energy: 5.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 680 W
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.54 EUR
30+16.79 EUR
120+14.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65B3D1IXYSDescription: IGBT 650V 86A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 800µJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 195 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65B3D1IXYSIGBTs TO247 650V 40A GENX3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3IXYSIGBTs 650V/80A XPT C3-Class TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/110ns
Switching Energy: 830µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3H1IXYSIGBTs 650V/80A XPT Copacked TO-247
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.13 EUR
10+18.02 EUR
120+14.41 EUR
510+14.09 EUR
1020+13.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH40N65C3H1 - IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 300
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3IXYSIGBTs GenX3 900V XPT IGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 105A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/78ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 450V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 74 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 40A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1IXYS/LittelfuseТранзистор IGBT, Uceb, В = 900, Ic = 90 А, Pmax, Вт = 500, Uce(on), В = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AD Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.3 EUR
11+16.03 EUR
30+13.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1IXYSDescription: IGBT 900V 90A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/78ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 450V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 74 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 500 W
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.87 EUR
30+15.68 EUR
120+13.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH40N90C3D1 - IGBT, 90 A, 2.2 V, 500 W, 900 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Verlustleistung: 500W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.14 EUR
9+25.92 EUR
11+20.33 EUR
50+16.71 EUR
100+15.53 EUR
250+14.33 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.59 EUR
7+13.84 EUR
10+12.64 EUR
30+10.82 EUR
60+10.46 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1IXYSIGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.11 EUR
10+15.4 EUR
120+13.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1 Transistor
Produktcode: 193543
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/105A
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.3 EUR
10+18.02 EUR
120+13.92 EUR
510+13.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 100A TO-247
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 750 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
Gate Charge: 142 nC
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.72 EUR
30+14.95 EUR
120+12.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3D1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH50N120C3D1 - IGBT, 90 A, 3.5 V, 625 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.69 EUR
10+23.97 EUR
12+18.8 EUR
50+15.48 EUR
100+15.02 EUR
250+14.52 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3D1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX6 XPT IGBT
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.51 EUR
10+18.14 EUR
120+16.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 90A TO-247
Power - Max: 625 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Part Status: Active
Gate Charge: 142 nC
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.38 EUR
30+18.05 EUR
120+15.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 210A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+15.32 EUR
10+14.28 EUR
30+14.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3D1Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1200V 90A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N170CIXYSIGBT Transistors 1700V/178A High Volt
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 130A TO-247
Power - Max: 600 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Gate Charge: 80 nC
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3IXYSIGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 132A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.98 EUR
16+11.02 EUR
25+10.14 EUR
50+9.28 EUR
100+8.81 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.98 EUR
16+11.27 EUR
25+10.53 EUR
50+9.81 EUR
100+9.54 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3D1IXYSDescription: IGBT 650V 132A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 800µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1
Produktcode: 189326
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 650 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 130 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 А
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 22/80
auf Bestellung: 19 St.
  • 19 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+19.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 130A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 130A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.06 EUR
30+17.14 EUR
120+14.74 EUR
510+13.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1IXYSIGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.61 EUR
10+16.86 EUR
120+15.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.79 EUR
10+12.22 EUR
30+10.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1Ixys CorporationIXYH50N65C3H1
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.22 EUR
10+17.37 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120A4IXYSIGBTs Discrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO247
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.94 EUR
10+15.12 EUR
120+13.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120A4IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH55N120A4 - IGBT, 175 A, 1.5 V, 650 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 175
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 175A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/300ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 5.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 350 A
Power - Max: 650 W
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.43 EUR
30+15.4 EUR
120+13.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120B4LittelfuseIGBTs Disc. IGBT XPT-GenX4 TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120B4H1IXYSIGBTs IXYH55N120B4H1
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.43 EUR
10+22.81 EUR
120+22.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120B4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 138A TO-247
Power - Max: 650 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 138 A
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 3.4mJ (on), 2.75mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/215ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 55A
Reverse Recovery Time (trr): 420 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.54 EUR
30+18.93 EUR
120+16.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 140A TO247
Power - Max: 650 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Part Status: Active
Gate Charge: 114 nC
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 3.5mJ (on), 1.34mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/180ns
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 55A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.22 EUR
30+10.71 EUR
120+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120C4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH55N120C4 - IGBT, 140 A, 2.1 V, 650 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.04 EUR
14+16.83 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.16 EUR
10+14.96 EUR
120+13.15 EUR
510+12.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120C4H1IXYSIGBTs IXYH55N120C4H1
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.38 EUR
10+23.92 EUR
120+20.67 EUR
510+19.62 EUR
1020+18.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120C4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 126A TO247
Power - Max: 650 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 126 A
Gate Charge: 114 nC
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 3.5mJ (on), 1.34mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/180ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 55A
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH60N65A5IXYSIGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH60N65A5IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 395W
Gate charge: 128nC
Pulsed collector current: 260A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH60N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 134A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH60N90C3IXYSIGBTs 900V 60A 2.7V XPT IGBT GenX3
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.99 EUR
10+13.83 EUR
120+12.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH60N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 60A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 310A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 268ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.32 EUR
10+11.16 EUR
30+9.42 EUR
60+9.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH60N90C3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH60N90C3 - IGBT, 140 A, 2.4 V, 750 W, 900 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
Verlustleistung: 750W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 140A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.37 EUR
12+19.59 EUR
15+15.26 EUR
50+12.45 EUR
100+11.57 EUR
250+10.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH60N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 140A TO-247
Power - Max: 750 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Part Status: Active
Gate Charge: 107 nC
Test Condition: 450V, 60A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.55mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/87ns
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.43 EUR
30+14.09 EUR
120+12.04 EUR
510+10.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N120B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 75A; 1.15kW; TO247,TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 1.15kW
Case: TO247; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 235ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N120B4IXYSDescription: IGBT 1200V 240A TO-247AD
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Part Status: Active
Gate Charge: 157 nC
Test Condition: 600V, 50A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 4.5mJ (on), 2.7mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/182ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 66 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 170A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/93ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 750 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N65C3IXYSIGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 360A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 175A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/93ns
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 122 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 750 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N65C3H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 170A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/93ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 750 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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