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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXYH40N120B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+19.18 EUR
25+18.04 EUR
50+16.93 EUR
100+15.98 EUR
250+15.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B3D1IXYSIGBTs TO247 1200V 40A GENX3
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.92 EUR
10+16.23 EUR
120+14.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B4IXYSIGBT Transistors IGBT DISCRETE
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 136A; 680W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 680W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 136A
Pulsed collector current: 250A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B4H1IXYSIGBTs IXYH40N120B4H1
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.08 EUR
10+16.53 EUR
120+15.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 240A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 112A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 430 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/220ns
Switching Energy: 5.9mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 112 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.61 EUR
30+16.84 EUR
120+14.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B4H1LittelfuseIGBT Transistors IXYH40N120B4H1
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.24 EUR
10+15.65 EUR
30+14.18 EUR
120+13.03 EUR
270+12.27 EUR
510+11.5 EUR
1020+10.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3IGBT 1200V 70A TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 175A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 70A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/125ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 577 W
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.69 EUR
30+14.24 EUR
120+12.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3IXYSIGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.5 EUR
10+16.02 EUR
120+13.47 EUR
510+12.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 64A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/125ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 480 W
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.13 EUR
30+17.18 EUR
120+14.78 EUR
510+13.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3D1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.32 EUR
10+18.2 EUR
120+16.29 EUR
510+15.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 120A; 680W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 680W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 140ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 230A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/140ns
Switching Energy: 5.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 680 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C4IXYSIGBTs TO247 1200V 40A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C4H1IXYSIGBTs IXYH40N120C4H1
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.08 EUR
10+16.53 EUR
120+15.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C4H1LittelfuseIGBT Transistors IXYH40N120C4H1
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.24 EUR
10+15.65 EUR
30+14.18 EUR
120+13.03 EUR
270+12.27 EUR
510+11.5 EUR
1020+10.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 680W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 680W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 140ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 230A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 110A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 380 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/140ns
Switching Energy: 5.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 680 W
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.61 EUR
30+16.83 EUR
120+14.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65B3D1IXYSIGBTs TO247 650V 40A GENX3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 195A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 350ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65B3D1IXYSDescription: IGBT 650V 86A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 800µJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 195 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3IXYSIGBTs 650V/80A XPT C3-Class TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/110ns
Switching Energy: 830µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH40N65C3H1 - IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 300
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3H1IXYSIGBTs 650V/80A XPT Copacked TO-247
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.13 EUR
10+16.21 EUR
120+14.05 EUR
510+13.55 EUR
1020+13.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3IXYSIGBTs GenX3 900V XPT IGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 40A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 105A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/78ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 450V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 74 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1IXYSIGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 393 Stücke:
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1+24.11 EUR
10+15.4 EUR
120+13.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 84 Stücke:
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10+18.52 EUR
11+16.22 EUR
30+13.22 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.59 EUR
7+13.84 EUR
10+12.64 EUR
30+10.82 EUR
60+10.46 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1IXYSDescription: IGBT 900V 90A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/78ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 450V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 74 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 500 W
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.87 EUR
30+15.68 EUR
120+13.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1IXYS/LittelfuseТранзистор IGBT, Uceb, В = 900, Ic = 90 А, Pmax, Вт = 500, Uce(on), В = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AD Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
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IXYH40N90C3D1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH40N90C3D1 - IGBT, 90 A, 2.2 V, 500 W, 900 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Verlustleistung: 500W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.89 EUR
11+21.65 EUR
13+16.9 EUR
50+13.84 EUR
100+13.79 EUR
250+13.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1 Transistor
Produktcode: 193543
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 100A TO-247
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 750 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
Gate Charge: 142 nC
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.72 EUR
30+14.95 EUR
120+12.82 EUR
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IXYH50N120C3IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/105A
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.3 EUR
10+18.02 EUR
120+13.92 EUR
510+13.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3D1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH50N120C3D1 - IGBT, 90 A, 3.5 V, 625 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.69 EUR
10+23.97 EUR
12+18.8 EUR
50+15.48 EUR
100+15.02 EUR
250+14.52 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3D1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX6 XPT IGBT
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.51 EUR
10+18.14 EUR
120+16.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 210A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+15.32 EUR
10+14.28 EUR
30+14.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 90A TO-247
Power - Max: 625 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Part Status: Active
Gate Charge: 142 nC
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.38 EUR
30+18.05 EUR
120+15.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3D1Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1200V 90A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N170CIXYSIGBT Transistors 1700V/178A High Volt
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 130A TO-247
Power - Max: 600 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Gate Charge: 80 nC
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 132A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3IXYSIGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.11 EUR
16+11.15 EUR
25+10.26 EUR
50+9.39 EUR
100+8.91 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.11 EUR
16+11.4 EUR
25+10.66 EUR
50+9.91 EUR
100+9.65 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3D1IXYSDescription: IGBT 650V 132A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 800µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 130A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.79 EUR
10+12.22 EUR
30+10.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 130A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.13 EUR
30+17.18 EUR
120+14.78 EUR
510+13.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1
Produktcode: 189326
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 650 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 130 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 А
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 22/80
auf Bestellung: 19 St.
  • 19 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+19.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1IXYSIGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.61 EUR
10+16.86 EUR
120+15.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1Ixys CorporationIXYH50N65C3H1
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.44 EUR
10+17.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 175A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/300ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 5.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 350 A
Power - Max: 650 W
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.97 EUR
30+12.57 EUR
120+10.73 EUR
510+10.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120A4IXYSIGBTs Discrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO247
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.94 EUR
10+15.12 EUR
120+13.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120A4IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH55N120A4 - IGBT, 175 A, 1.5 V, 650 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 175
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120B4LittelfuseIGBTs Disc. IGBT XPT-GenX4 TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120B4H1IXYSIGBTs IXYH55N120B4H1
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.43 EUR
10+22.81 EUR
120+22.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120B4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 138A TO-247
Power - Max: 650 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 138 A
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 3.4mJ (on), 2.75mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/215ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 55A
Reverse Recovery Time (trr): 420 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.54 EUR
30+18.93 EUR
120+16.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.16 EUR
10+14.96 EUR
120+13.15 EUR
510+12.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 140A TO247
Power - Max: 650 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Part Status: Active
Gate Charge: 114 nC
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 3.5mJ (on), 1.34mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/180ns
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 55A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.22 EUR
30+10.71 EUR
120+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120C4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH55N120C4 - IGBT, 140 A, 2.1 V, 650 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.04 EUR
14+16.83 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120C4H1IXYSIGBTs IXYH55N120C4H1
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.38 EUR
10+23.92 EUR
120+20.67 EUR
510+19.62 EUR
1020+18.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH55N120C4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 126A TO247
Power - Max: 650 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 126 A
Gate Charge: 114 nC
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 3.5mJ (on), 1.34mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/180ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 55A
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH60N65A5IXYSIGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH60N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 134A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.05 EUR
30+8.1 EUR
120+6.79 EUR
510+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH60N65A5IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 395W
Gate charge: 128nC
Pulsed collector current: 260A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH60N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 140A TO-247
Power - Max: 750 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Part Status: Active
Gate Charge: 107 nC
Test Condition: 450V, 60A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.55mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/87ns
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.43 EUR
30+14.09 EUR
120+12.04 EUR
510+10.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH60N90C3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH60N90C3 - IGBT, 140 A, 2.4 V, 750 W, 900 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
Verlustleistung: 750W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 140A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.37 EUR
12+19.59 EUR
15+15.26 EUR
50+12.45 EUR
100+11.57 EUR
250+10.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH60N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 60A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 60A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 310A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 268ns
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.32 EUR
10+11.16 EUR
30+9.42 EUR
60+9.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH60N90C3IXYSIGBTs 900V 60A 2.7V XPT IGBT GenX3
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.99 EUR
10+13.83 EUR
120+12.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N120B4IXYSDescription: IGBT 1200V 240A TO-247AD
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Part Status: Active
Gate Charge: 157 nC
Test Condition: 600V, 50A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 4.5mJ (on), 2.7mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/182ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 66 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 170A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/93ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 750 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N65C3IXYSIGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 175A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/93ns
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 122 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 750 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N65C3H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 170A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/93ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 750 W
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.44 EUR
30+20.1 EUR
120+17.41 EUR
510+16.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N65C3H1IXYSIGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.56 EUR
10+27.48 EUR
120+23.87 EUR
510+22.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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