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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTH4L040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L040N65S3FON Semiconductor
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.61 EUR
30+18.68 EUR
120+17.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.44 EUR
30+20.21 EUR
120+17.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 162.5A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±30V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+30.11 EUR
5+27.11 EUR
30+23.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L040N65S3FonsemiMOSFETs FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.57 EUR
10+21.38 EUR
120+20.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.19 EUR
10+17.09 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L045N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.73 EUR
10+14.77 EUR
120+14.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 187W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.79 EUR
10+19.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.79 EUR
10+20.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L045N065SC1ONN
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
auf Bestellung 89683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.53 EUR
30+13.8 EUR
120+13.4 EUR
510+13.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L060N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.01 EUR
30+13.83 EUR
120+11.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.61 EUR
11+16.12 EUR
25+15.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L060N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.56 EUR
10+13.89 EUR
120+12.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L060N090SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.78 EUR
30+15.08 EUR
120+14.24 EUR
510+14.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.51 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.18 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L060N090SC1ONN
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.51 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L060N090SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.45 EUR
10+14.61 EUR
120+13.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L060N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.18 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L067N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L067N65S3HonsemiDescription: SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L070N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.35 EUR
10+12.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L070N120M3SonsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.7 EUR
10+10.72 EUR
120+7.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L070N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L070N120M3SONN
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,57mohm,650V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L075N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Pulsed drain current: 120A
On-state resistance: 68mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L075N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.67 EUR
10+12.21 EUR
120+10.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L075N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,57mohm,650V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.64 EUR
12+14.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L075N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.44 EUR
30+12.16 EUR
120+10.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
auf Bestellung 41300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.12 EUR
30+12.22 EUR
120+11.57 EUR
510+11.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+24.85 EUR
10+21.99 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L080N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 28W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L080N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.88 EUR
10+13.15 EUR
100+12.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L095N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.67 EUR
10+12.4 EUR
120+10.33 EUR
510+8.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L160N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
auf Bestellung 2153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.86 EUR
10+10.12 EUR
120+9.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.5 EUR
17+10.16 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L160N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 224mΩ
Kind of package: tube
Technology: SiC
Case: TO247-4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -15...25V
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 55.5W
Pulsed drain current: 69A
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.78 EUR
19+9.4 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.78 EUR
19+9.6 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
auf Bestellung 3341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.62 EUR
30+10.98 EUR
120+9.31 EUR
510+8.08 EUR
1020+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN019N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4LN019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN019N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 1209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.5 EUR
30+34.71 EUR
120+30.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN019N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 19MOHM TO-247-4
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.53 EUR
10+34.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN040N65S3HonsemiDescription: NTH4LN040N65S3H
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 6.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6513 pF @ 400 V
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.24 EUR
10+19.9 EUR
30+18.34 EUR
120+16.96 EUR
270+16.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN040N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 40MOHM TO-247-4
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.32 EUR
10+18.43 EUR
120+16.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN040N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4LN040N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN041N60S5HonsemiDescription: MOSFETPOWER, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6213 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.78 EUR
27+6.53 EUR
100+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN067N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4LN067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN067N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.35 EUR
30+10.86 EUR
120+9.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN067N65S3HONN
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.78 EUR
27+6.39 EUR
100+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN067N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.41 EUR
10+10.91 EUR
120+9.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN095N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-4
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.7 EUR
10+9.82 EUR
120+8.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN095N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4LN095N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN095N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
auf Bestellung 3125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.14 EUR
30+10.1 EUR
120+8.56 EUR
510+7.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH502AANL
auf Bestellung 2030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH518AAT
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH557AJT
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH570ABTPULSE99/00
auf Bestellung 2856 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH582AA
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