Produkte > TPN

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TPN2R805PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN2R805PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 139 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 4119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.38 EUR
90+2.59 EUR
144+1.5 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN2R903PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 24105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
16+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN2R903PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.51 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN2R903PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
auf Bestellung 11308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.57 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.67 EUR
5000+0.61 EUR
10000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN2R903PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
auf Bestellung 677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.7 EUR
140+1.67 EUR
199+1.08 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN2R903PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
auf Bestellung 677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.7 EUR
140+1.67 EUR
199+1.08 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN30008NH,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.7 EUR
13+1.69 EUR
100+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN30008NH,LQToshibaMOSFETs N-Ch 80V 22A 27W UMOSVIII 710pF 11nC
auf Bestellung 4766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.63 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
3000+0.75 EUR
6000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN30008NH,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN30008NH,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN30008NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 22 A, 0.025 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 27W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.8 EUR
104+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN30008NH,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN30008NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 22 A, 0.025 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 27W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.8 EUR
104+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN302ST
auf Bestellung 77368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3021STMicroelectronicsESD Suppressors / TVS Diodes 38V 300mA Triple
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3021STMicroelectronicsThyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3021STMicroelectronicsThyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N Tube
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3021STMicroelectronicsDescription: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3021RLSTMicroelectronicsDescription: THYRISTOR 28V 100A 8-SOIC
Current - Peak Pulse (8/20µs): 100 A
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A
Current - Hold (Ih): 30 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Off State: 28V
Voltage - Breakover: 38V
Number of Elements: 3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Capacitance: 16pF
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.28 EUR
11+2.09 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3021RLSTMicroelectronicsThyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3021RLSTMicroelectronicsCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: TSS; Urmax: 28V; SO8; SMD; 8A; bidirectional,triple
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Application: telecommunication
Technology: Trisil™
Type of thyristor: TSS
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 28V
Breakover voltage: 38V
Semiconductor structure: bidirectional; triple
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3021RLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TPN3021RL - TVS-Thyristor, Überspannungsschutz, 28 V, 8 Pin(s), SOIC, Überspannungsschutzeinrichtung, 38 V
tariffCode: 85413000
Bauform - TVS-Thyristor: SOIC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Thyristortyp: Überspannungsschutzeinrichtung
Sperrspannung Vrwm: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: -
Schwellenspannung, max.: 38V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsstrom Ippm: 30A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Anzahl der Schaltkreise: 3Schaltkreis(e)
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.02 EUR
41+5.74 EUR
100+3.64 EUR
500+3.34 EUR
1000+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3021RLSTMicroelectronicsDescription: THYRISTOR 28V 100A 8-SOIC
Current - Peak Pulse (8/20µs): 100 A
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A
Current - Hold (Ih): 30 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Off State: 28V
Voltage - Breakover: 38V
Number of Elements: 3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Capacitance: 16pF
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3021RLSTMicroelectronicsESD Suppressors / TVS Diodes 38V 300mA Triple
auf Bestellung 9837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+3.2 EUR
100+2.87 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.45 EUR
2500+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3021RLSTMicroelectronicsThyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.51 EUR
57+2.9 EUR
59+2.75 EUR
100+2.13 EUR
250+1.99 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN30B8BEBESSEYCategory: Vices and Clamps
Description: Clamp; parallel; cast iron
Kind of clamping: parallel
Material: cast iron
Type of clamping tool: clamp
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+22.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN30BEBESSEYCategory: Vices and Clamps
Description: Clamp; parallel; cast iron
Kind of clamping: parallel
Material: cast iron
Type of clamping tool: clamp
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN30BE-2KBESSEYCategory: Vices and Clamps
Description: Clamp; parallel; cast iron
Kind of clamping: parallel
Material: cast iron
Type of clamping tool: clamp
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+47.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN30S10BEBESSEYCategory: Vices and Clamps
Description: Clamp; parallel; cast iron
Kind of clamping: parallel
Material: cast iron
Type of clamping tool: clamp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN30S12BEBESSEYCategory: Vices and Clamps
Description: Clamp; parallel; cast iron
Kind of clamping: parallel
Material: cast iron
Type of clamping tool: clamp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3201RLST01+ SOP
auf Bestellung 6794 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3300ANH,LQToshibaMOSFETs N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC
auf Bestellung 16970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.65 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.68 EUR
6000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3300ANH,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
auf Bestellung 10179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
11+2.01 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3300ANH,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3300ANH,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.86 EUR
6000+0.8 EUR
9000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3300ANH,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3300ANH,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.033 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 27W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 5806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.8 EUR
107+2.19 EUR
156+1.38 EUR
500+1.08 EUR
1500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3300ANH,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R
auf Bestellung 28192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.43 EUR
199+0.86 EUR
218+0.75 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.54 EUR
3000+0.5 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3300ANH,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.033 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 27W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 27W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 5806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.8 EUR
107+2.19 EUR
156+1.38 EUR
500+1.08 EUR
1500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3R704PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
auf Bestellung 19168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3R704PL,L1QToshibaMOSFETs 40 Volt N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3R704PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.6 EUR
10000+0.55 EUR
15000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3R704PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.34 EUR
154+1.51 EUR
230+0.93 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3R704PL,L1Q(MToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3R704PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.34 EUR
154+1.51 EUR
230+0.93 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN3R704PLL1Q(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4800CQH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 86W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 3620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
133+1.62 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4800CQH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 86W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 3620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.59 EUR
89+2.62 EUR
133+1.62 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4800CQHL1Q(MToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R203NC,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R203NC,L1QToshibaMOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R203NC,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R303NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R303NL,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET
auf Bestellung 14966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.05 EUR
10+1.49 EUR
100+1.04 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.8 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R303NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
auf Bestellung 24775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R303NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN4R303NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 34W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.68 EUR
152+1.54 EUR
231+0.93 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.63 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R303NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN4R303NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 34W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+2.68 EUR
152+1.54 EUR
231+0.93 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.63 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R712MDToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R712MD,L1QToshibaMOSFETs P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R712MD,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
auf Bestellung 9110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.45 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R712MD,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R712MD,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R712MD,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R712MD,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R712MD,L1Q(MToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.69 EUR
261+0.65 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R712MD,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 3800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R712MD,L1Q(MToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R712MD,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 3800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R806PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V
auf Bestellung 9228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
14+1.61 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R806PL,L1QToshibaMOSFETs TSON N-CH 60V 72A
auf Bestellung 4605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.61 EUR
100+1.04 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R806PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R806PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 72A 8-Pin TSON EP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R806PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 4716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
155+1.39 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R806PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 4716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.05 EUR
96+2.44 EUR
155+1.39 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN5900CNH,L1QToshibaMOSFETs UMOSVIII 150V 59mOhm (VGS=10V) TSON-ADV
auf Bestellung 4733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.56 EUR
100+1.06 EUR
2500+1.01 EUR
5000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN5900CNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN5900CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN5900CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN5900CNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 39W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.02 EUR
98+2.39 EUR
145+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN5900CNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 39W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.39 EUR
145+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN5900CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN5900CNHL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN5R203PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN5R203PL,LQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ
auf Bestellung 3565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.27 EUR
100+0.86 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN5R203PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
auf Bestellung 19796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.14 EUR
16+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN5R203PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN5R203PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 76 A, 3900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 61W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.9 EUR
137+1.69 EUR
208+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN5R203PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN5R203PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 76 A, 3900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 61W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
137+1.69 EUR
208+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN6R003NL,LQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.62 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.76 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN6R003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN6R003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
auf Bestellung 2724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.89 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN6R003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 32W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN6R003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 32W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN6R003NL,LQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 56A; Idm: 116A; 32W; TSON8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TSON8
On-state resistance: 8.3mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN6R303NC,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN6R303NC,LQToshibaMOSFETs N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN6R303NC,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN7R006PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
auf Bestellung 6313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.68 EUR
13+1.69 EUR
100+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN7R006PL,L1QToshibaMOSFETs Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTSON-ADVPD=75WF=1MHZ
auf Bestellung 20889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.55 EUR
10+1.26 EUR
100+0.93 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN7R006PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN7R006PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
auf Bestellung 3629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.45 EUR
113+2.06 EUR
165+1.3 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN7R006PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 76A 8-Pin TSON Advance T/R
auf Bestellung 4780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+1.05 EUR
192+0.88 EUR
203+0.82 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN7R006PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
auf Bestellung 3629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.45 EUR
113+2.06 EUR
165+1.3 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4  [ Nächste Seite >> ]