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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN1R7-40YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R7-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 194W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.12 EUR
40+5.81 EUR
100+4.05 EUR
500+3.19 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7966 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 8240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.55 EUR
10+3.58 EUR
50+2.74 EUR
100+2.46 EUR
500+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-40YLDXNexperiaMOSFETs PSMN1R7-40YLD/SOT669/LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7966 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.75 EUR
4500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BSNXPN-MOSFET 60V 120A 306W 2mΩ PSMN1R7-60BS NXP TPSMN1r7-60bs
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118NexperiaMOSFETs PSMN1R7-60BS/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 4392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8 EUR
10+4.52 EUR
100+3.92 EUR
500+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R7-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1660 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1660µohm
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.59 EUR
27+8.6 EUR
100+5.51 EUR
500+4.65 EUR
1000+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.33 EUR
45+3.72 EUR
100+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.9 EUR
10+5.88 EUR
50+4.58 EUR
100+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.97 EUR
20+4.27 EUR
22+3.93 EUR
25+3.8 EUR
50+3.56 EUR
100+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30BL,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30BL,118NexperiaMOSFET Std N-chanMOSFET
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V
auf Bestellung 20992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.39 EUR
10+2.77 EUR
100+2.15 EUR
500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30MLHXNexperiaMOSFETs PSMN1R8-30MLH/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 3930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.16 EUR
10+2.75 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
1000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30MLHXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 110A; Idm: 624A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 624A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 150A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V
auf Bestellung 19500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.49 EUR
3000+1.4 EUR
7500+1.33 EUR
10500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 150A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 22291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+2.14 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.71 EUR
10000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30PLNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+6.53 EUR
104+6.12 EUR
500+5.68 EUR
1000+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30PL,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R8-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.34 EUR
54+4.32 EUR
100+3.26 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.65 EUR
2000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30PL,127NexperiaMOSFET PSMN1R8-30PL/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 9560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.2 EUR
10+4.99 EUR
50+3.86 EUR
100+3.19 EUR
500+3.12 EUR
1000+3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 4750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+6.53 EUR
104+6.12 EUR
500+5.68 EUR
1000+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 12 V
auf Bestellung 4886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.02 EUR
10+5.28 EUR
100+3.72 EUR
500+3.07 EUR
1000+2.86 EUR
2000+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-30PL,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1120A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1120A
Power dissipation: 270W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-40YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-40YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN1R8-40YLC/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 4966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+2.78 EUR
100+1.92 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.33 EUR
1500+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-40YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-40YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 20 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.36 EUR
4500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-40YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.62 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-40YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-40YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-40YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R8-40YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
Verlustleistung: 272W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.97 EUR
49+4.81 EUR
100+2.74 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-40YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 20 V
auf Bestellung 9814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.44 EUR
10+2.83 EUR
50+2.15 EUR
100+1.93 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-80SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+31.64 EUR
12+19.77 EUR
100+11.72 EUR
500+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-80SSEJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R8-80SSE/SOT1235/LFPAK88
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.52 EUR
10+8.43 EUR
50+6.66 EUR
100+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-80SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+31.64 EUR
12+19.77 EUR
100+11.72 EUR
500+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-80SSEJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R8-80SSE/SOT1235/LFPAK88
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-80SSFNexperiaMOSFET MOSFET DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-80SSFJNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 205A; Idm: 1158A; 341W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 205A
Pulsed drain current: 1158A
Power dissipation: 341W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 222nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-80SSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1350 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.09 EUR
18+13.44 EUR
100+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15319 pF @ 40 V
auf Bestellung 3262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.17 EUR
10+8.18 EUR
50+6.45 EUR
100+5.9 EUR
500+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-80SSFJNexperiaMOSFETs PSMN1R8-80SSF/SOT1235/LFPAK88
auf Bestellung 1817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.98 EUR
10+6.37 EUR
100+5.82 EUR
500+5.4 EUR
1000+5.21 EUR
2000+5.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-80SSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1350 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.09 EUR
18+13.44 EUR
100+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R8-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15319 pF @ 40 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
auf Bestellung 5149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 875 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40PLNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40PL,127NexperiaPSMN1R9-40PL,127
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+6.58 EUR
104+6.16 EUR
500+5.7 EUR
1000+5.27 EUR
10000+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40PL,127Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
auf Bestellung 44600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
195+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40PL,127NexperiaPSMN1R9-40PL,127
auf Bestellung 24600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+6.58 EUR
104+6.16 EUR
500+5.7 EUR
1000+5.27 EUR
10000+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40PL,127NexperiaPSMN1R9-40PL,127
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+6.58 EUR
104+6.16 EUR
500+5.7 EUR
1000+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40PL127NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
78+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40PL127NXP SemiconductorsPSMN1R9-40PL127
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+6.58 EUR
104+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40PL127NXP SemiconductorsPSMN1R9-40PL127
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+6.58 EUR
104+6.16 EUR
500+5.7 EUR
1000+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40PLQNexperiaMOSFETs PSMN1R9-40PL/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.72 EUR
10+6.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40PLQNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+7.39 EUR
100+6.93 EUR
500+6.43 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40PLQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.37 EUR
10+6.2 EUR
100+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40YSBXNexperiaMOSFETs PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+2.48 EUR
100+1.67 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.13 EUR
1500+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40YSBXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6297 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAK
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6297 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.55 EUR
50+1.93 EUR
100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6198 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.45 EUR
10+3.51 EUR
50+2.68 EUR
100+2.4 EUR
500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6198 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40YSDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 200A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-40YSDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 162A; Idm: 919A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Pulsed drain current: 919A
Power dissipation: 194W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-80SSEJNexperia USA Inc.Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 286A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17140 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-80SSEJNexperiaMOSFETs PSMN1R9-80SSE/SOT1235/LFPAK88
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.26 EUR
10+8.88 EUR
100+7.14 EUR
500+6.34 EUR
1000+6.01 EUR
2000+5.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-80SSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 286A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-80SSEJNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 202A; Idm: 1142A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 202A
Pulsed drain current: 1142A
Power dissipation: 340W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 232nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-80SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1600 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 340W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.37 EUR
50+13.27 EUR
100+10.26 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-80SSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 286A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-80SSEJNexperia USA Inc.Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 286A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17140 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-80SSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 286A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+9.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-80SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1600 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 340W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.37 EUR
50+13.27 EUR
100+10.26 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-80SSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 286A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-80SSJJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 286A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-80SSJJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R9-80SSJ/SOT1235/LFPAK88
auf Bestellung 1867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.52 EUR
10+8.43 EUR
50+6.66 EUR
100+6.09 EUR
500+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-80SSJJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+31.64 EUR
12+19.77 EUR
100+11.72 EUR
500+9.66 EUR
1000+9.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-80SSJJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R9-80SSJ/SOT1235/LFPAK88
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-80SSJJNexperiaMOSFETs PSMN1R9-80SSJ/SOT1235/LFPAK88
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R9-80SSJJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+31.64 EUR
12+19.77 EUR
100+11.72 EUR
500+9.66 EUR
1000+9.47 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1RS-40ES127NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN20-150W
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-100SSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R0-100SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 0.00163 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+8.03 EUR
250+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-100SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.07mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16140 pF @ 50 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.17 EUR
10+8.18 EUR
50+6.45 EUR
100+5.9 EUR
500+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-100SSFJNexperiaMOSFETs PSMN2R0-100SSF/SOT1235/LFPAK88
auf Bestellung 1409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.98 EUR
10+6.37 EUR
100+5.82 EUR
500+5.4 EUR
1000+5.21 EUR
2000+5.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-100SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.07mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16140 pF @ 50 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-100SSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 267A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-100SSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R0-100SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 0.00163 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.88 EUR
22+10.92 EUR
24+9.13 EUR
50+8.59 EUR
100+8.03 EUR
250+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-100SSFJNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 189A; Idm: 1070A; 341W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 189A
Pulsed drain current: 1070A
Power dissipation: 341W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 242nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-25MLDNXPN-MOSFET 25V 70A 4.5V,10V 74W AUTOMOTIVE PSMN2R0-25MLDX TPSMN2r0-25ml
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-25MLD,115Nexperia USA Inc.Description: PSMN2R0-25MLD - N-CHANNEL 25V, L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-25MLDXNexperiaMOSFETs PSMN2R0-25MLD/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 1465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.12 EUR
10+1.95 EUR
100+1.3 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.88 EUR
1500+0.8 EUR
3000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
383+1.69 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 383 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
383+1.69 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 383 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R0-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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