Produkte > PSM
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| PSMN1R8-30MLHX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V | auf Bestellung 20992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN1R8-30MLHX | Nexperia | MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. | auf Bestellung 4200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN1R8-30MLHX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V | auf Bestellung 19500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN1R8-30MLHX | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 110A; Idm: 624A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 110A Pulsed drain current: 624A Power dissipation: 106W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN1R8-30PL | Nexperia | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN1R8-30PL,127 | NEXPERIA | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1120A; 270W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 1120A Power dissipation: 270W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN1R8-30PL,127 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 4750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R8-30PL,127 | Nexperia | MOSFET PSMN1R8-30PL/SOT78/SIL3P | auf Bestellung 9560 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN1R8-30PL,127 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 1036 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R8-30PL,127 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 12 V | auf Bestellung 4886 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN1R8-30PL,127 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN1R8-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2075 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R8-40YLC,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN1R8-40YLC,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 20 V | auf Bestellung 5518 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN1R8-40YLC,115 | Nexperia | MOSFETs N-channel 40 V 1.8 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology | auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN1R8-40YLC,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R8-40YLC,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 20 V | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN1R8-40YLC,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN1R8-40YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V Verlustleistung: 272W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm | auf Bestellung 1478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R8-40YLC,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R8-40YLC,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R8-40YLC,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 272W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 272W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN1R8-80SSEJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (25-Jun-2025) rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 3655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R8-80SSEJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 286A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 500W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm | auf Bestellung 3655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R8-80SSF | Nexperia | MOSFET MOSFET DISCRETES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN1R8-80SSFJ | Nexperia USA Inc. | Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15319 pF @ 40 V | auf Bestellung 1563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN1R8-80SSFJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1350 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1751 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R8-80SSFJ | Nexperia | MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. | auf Bestellung 1007 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN1R8-80SSFJ | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 205A; Idm: 1158A; 341W Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 222nC On-state resistance: 4.1mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Power dissipation: 341W Pulsed drain current: 1158A Drain current: 205A Case: LFPAK88; SOT1235 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN1R8-80SSFJ | Nexperia USA Inc. | Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15319 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN1R8-80SSFJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1350 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1751 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R9-25YLC,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 | auf Bestellung 5149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 875 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN1R9-40PL | Nexperia | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN1R9-40PL,127 | Nexperia | PSMN1R9-40PL,127 | auf Bestellung 24600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R9-40PL,127 | Nexperia USA Inc. | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | auf Bestellung 44600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN1R9-40PL,127 | Nexperia | PSMN1R9-40PL,127 | auf Bestellung 1737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R9-40PL,127 | Nexperia | PSMN1R9-40PL,127 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R9-40PL127 | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 349W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V | auf Bestellung 255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN1R9-40PL127 | NXP Semiconductors | PSMN1R9-40PL127 | auf Bestellung 255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R9-40PL127 | NXP Semiconductors | PSMN1R9-40PL127 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R9-40PLQ | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R9-40PLQ | Nexperia | MOSFETs PSMN1R9-40PL/SOT78/SIL3P | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN1R9-40PLQ | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 349W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | auf Bestellung 467 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN1R9-40YSBX | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 40V 200A | auf Bestellung 1945 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN1R9-40YSBX | Nexperia USA Inc. | Description: PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6297 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Power Dissipation (Max): 194W (Tc) FET Feature: Schottky Diode (Body) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN1R9-40YSBX | Nexperia USA Inc. | Description: PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAK Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Power Dissipation (Max): 194W (Tc) FET Feature: Schottky Diode (Body) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6297 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN1R9-40YSBX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN1R9-40YSDX | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 162A; Idm: 919A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Pulsed drain current: 919A Power dissipation: 194W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN1R9-40YSDX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6198 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Power Dissipation (Max): 194W (Tc) FET Feature: Schottky Diode (Body) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN1R9-40YSDX | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 40V 200A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN1R9-40YSDX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6198 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Power Dissipation (Max): 194W (Tc) FET Feature: Schottky Diode (Body) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 918 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN1R9-80SSEJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1600 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 286A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V Verlustleistung: 340W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R9-80SSEJ | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 286A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R9-80SSEJ | Nexperia USA Inc. | Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 286A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17140 pF @ 40 V | auf Bestellung 5700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN1R9-80SSEJ | Nexperia | MOSFETs SOT1235 N-CH 80V 286A | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN1R9-80SSEJ | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 286A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R9-80SSEJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1600 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 286A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V Verlustleistung: 340W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R9-80SSEJ | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 286A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R9-80SSEJ | Nexperia USA Inc. | Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 286A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17140 pF @ 40 V | auf Bestellung 5700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN1R9-80SSEJ | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 202A; Idm: 1142A; 340W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 202A Pulsed drain current: 1142A Power dissipation: 340W Case: LFPAK88; SOT1235 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 232nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN1R9-80SSEJ | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 286A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN1R9-80SSJJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (25-Jun-2025) rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 3900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R9-80SSJJ | Nexperia | MOSFETs PSMN1R9-80SSJ/SOT1235/LFPAK88 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN1R9-80SSJJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 286A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 500W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm | auf Bestellung 3900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1RS-40ES127 | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN20-150W | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN2R0-100SSFJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN2R0-100SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 0.00163 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 267A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN2R0-100SSFJ | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 267A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN2R0-100SSFJ | Nexperia USA Inc. | Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 267A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.07mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16140 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN2R0-100SSFJ | Nexperia | MOSFETs SOT1235 100V 267A N- CH MOSFET | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN2R0-100SSFJ | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 267A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN2R0-100SSFJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN2R0-100SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 0.00163 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 267A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN2R0-100SSFJ | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 267A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN2R0-100SSFJ | Nexperia USA Inc. | Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 267A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.07mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16140 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN2R0-25MLD | NXP | N-MOSFET 25V 70A 4.5V,10V 74W AUTOMOTIVE PSMN2R0-25MLDX TPSMN2r0-25ml Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PSMN2R0-25MLD,115 | Nexperia USA Inc. | Description: PSMN2R0-25MLD - N-CHANNEL 25V, L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN2R0-25MLDX | Nexperia | MOSFETs SOT1210 N-CH 25V 70A | auf Bestellung 2084 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN2R0-25MLDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R | auf Bestellung 1301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN2R0-25MLDX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN2R0-25MLDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN2R0-25MLDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN2R0-25MLDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN2R0-25MLDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN2R0-25MLDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN2R0-25MLDX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V | auf Bestellung 9528 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN2R0-25MLDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN2R0-25MLDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R | auf Bestellung 1301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN2R0-25YLDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 9375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN2R0-25YLDX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.09mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2485 pF @ 12 V | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN2R0-25YLDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN2R0-25YLDX | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 25V 100A | auf Bestellung 2398 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN2R0-25YLDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN2R0-25YLDX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.09mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2485 pF @ 12 V | auf Bestellung 4299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN2R0-30BL,118 | Nexperia | MOSFET Std N-chanMOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN2R0-30BL,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN2R0-30BL,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN2R0-30PL | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN2R0-30PL,127 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 12 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN2R0-30PL,127 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 7819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN2R0-30PL,127 | NEXPERIA | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 211W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN2R0-30PL,127 | Nexperia | MOSFET PSMN2R0-30PL/SOT78/SIL3P | auf Bestellung 2588 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN2R0-30PL,127 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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