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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFT180N20X3HVIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+27.86 EUR
10+24.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT180N20X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 180A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.34 EUR
30+20.84 EUR
120+18.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT180N20X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT18N100Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT18N100Q3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFT18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, Klasse Q3, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.58 EUR
8+31.93 EUR
10+28.87 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT18N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 18A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4890 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT18N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 18A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT18N90PIXYSMOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N100PIXYSMOSFETs 20 Amps 1000V 1 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 20A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO268
Case: TO268
Drain current: 20A
Power dissipation: 500W
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 0.52Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 20A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N80PIXYSMOSFETs 20 Amps 800V 0.52 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N80PMOSFET 800V 20A 520 mOhm TO-268 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 20A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT20N80QТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT21N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 21A TO268
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT21N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 21A TO268
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT21N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT220N20X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 220A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.68 EUR
10+24.55 EUR
20+23.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT220N20X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 220A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT220N20X3HVIXYSMOSFETs TO268 200V 220A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.71 EUR
10+33.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT220N20X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 220A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT220N20X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 220A TO268HV
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
auf Bestellung 1069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.59 EUR
30+25.79 EUR
120+23.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT220N20X3HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFT220N20X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 220 A, 0.0052 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+41.11 EUR
10+35.71 EUR
50+33.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT23N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 23A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Box
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT23N80QIXYSMOSFETs 23 Amps 800V 0.40W Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT23N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 23A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT24N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT24N50IXYSMOSFETs 24 Amps 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT24N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO268
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT24N50QIXYSMOSFETs 24 Amps 500V 0.23 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT24N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 24A TO268
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 12A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT24N80PIXYSMOSFETs 24 Amps 800V 0.4 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT24N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 24A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.69 EUR
30+24.32 EUR
120+21.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT24N90PIXYSMOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.83 EUR
10+24.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT24N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT24N90PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 900V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.37 EUR
10+23.38 EUR
30+21.66 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT24N90P-TRLIXYSMOSFETs IXFT24N90P TRL
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 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT24N90P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 24A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT26N100XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
auf Bestellung 6210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+20.91 EUR
840+20.41 EUR
1500+19.77 EUR
3000+19.29 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT26N100XHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT26N100XHVIXYSMOSFETs 1000V 26A TO-268HV Power MOSFET
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.84 EUR
10+28.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT26N100XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
auf Bestellung 6210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+20.91 EUR
840+19.97 EUR
1500+19.03 EUR
3000+18.27 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT26N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT26N50IXYSMOSFETs 26 Amps 500V 0.23 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT26N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO268
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT26N50Q TRIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT26N60PIXYSMOSFETs 600V 26A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT26N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT26N60QТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT26N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT28N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 28A TO268
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT28N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 28A TO-268(D3)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N40QIXYSMOSFETs 30 Amps 400V 0.16 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N50IXYSMOSFETs 30 Amps 500V 0.16 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N50PIXYSMOSFETs 500V 30A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N50Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N50Q3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N50Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO268
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N60PIXYSMOSFETs 600V 30A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N60QIXYSMOSFETs 30 Amps 600V 0.23W Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO-268(D3)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N85XHVIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N85XHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 30A TO268
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT30N85XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 30A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT320N10T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT320N10T2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFT320N10T2 - MOSFET, N-CH, 100V, 320A, TO-268
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 320
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: TO-268
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchT2 HiperFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT320N10T2IXYSMOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT320N10T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 320A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT320N10T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO268; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO268
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 98ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT320N10T2-TRLIXYSMOSFETs TO268 100V 320A N-CH TRENCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT320N10T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 320A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT320N10T2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT320N10T2TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT32N100XHVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 32A TO268HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT32N100XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 32A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+25.92 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT32N100XHVIXYSMOSFETs 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.46 EUR
10+32.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT32N100XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 32A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+25.92 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT32N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 32A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
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IXFT32N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 32A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4925 pF @ 25 V
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IXFT340N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 340A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXFT340N075T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
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IXFT340N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 340A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
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IXFT340N075T2
Produktcode: 217242
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IXFT36N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXFT36N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 36A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
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IXFT36N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXFT36N50PMOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 Транзистори
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IXFT36N50PIXYSMOSFETs 500V 36A
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IXFT36N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 36A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
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