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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXBOD2-09IXYSThyristor Surge Protection Devices - TSPD Breakover Diodes
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IXBOD2-09IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-10IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-10IXYSThyristor Surge Protection Devices - TSPD Breakover Diodes
auf Bestellung 100 Stücke:
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1+34.06 EUR
10+30.01 EUR
20+29.19 EUR
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100+25.95 EUR
200+25.13 EUR
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IXBOD2-11IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
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IXBOD2-11IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-12IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-12IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD2-13IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-13IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
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IXBOD2-14IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
auf Bestellung 116 Stücke:
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IXBOD2-14LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
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IXBOD2-15RIXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-15RIXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
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IXBOD2-17RIXYSDescription: POWER DIODE DISC-OTHERS FP-CASE
Packaging: Tube
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Voltage - On State: 1.3 V
Supplier Device Package: FP-Case
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IXBOD2-17RIXYSDiscrete Semiconductor Modules PWR DISC FP-CASE OILPR
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IXBOD2-32RDIXYSDescription: POWER DIODE DISCRETES-OTHERS BOD
Packaging: Tube
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Voltage - On State: 1.3 V
Supplier Device Package: FP-Case
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD2-36RDIXYSDescription: POWER DIODE DISCRETES-OTHERS BOD
Packaging: Tube
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Voltage - On State: 1.3 V
Supplier Device Package: FP-Case
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IXBOD2-50RIXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-50RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; 2nd Gen; 5kV; bulk
Mounting: THT
Type of thyristor: BOD x4
Case: BOD
Max. load current: 0.9A
Breakover voltage: 5kV
Technology: 2nd Gen
Kind of package: bulk
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IXBOD2-50RIXYSSidacs Breakover Diodes
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IXBOD2-56RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; 2nd Gen; 5.6kV; bulk
Mounting: THT
Type of thyristor: BOD x4
Case: BOD
Max. load current: 0.9A
Breakover voltage: 5.6kV
Technology: 2nd Gen
Kind of package: bulk
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IXBOD2-56RIXYSSidacs Breakover Diodes
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD2-56RIXYSDescription: THYRISTOR RADIAL
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IXBP5N160GIXYSIGBTs 5 Amps 1600V
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IXBP5N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 5.7A TO-220-3
Power - Max: 68 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Part Status: Active
Gate Charge: 26 nC
Test Condition: 960V, 3A, 47Ohm, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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IXBP5N160G
Produktcode: 194939
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXBR42N170IXYSIGBT Transistors 57Amps 1700V
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXBR42N170IXYSDescription: IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247
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IXBT10N170IXYSIGBT Transistors 10 Amps 1700V 2.3 Rds
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IXBT10N170IXYSDescription: IGBT 1700V 20A 140W TO268
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXBT12N300IXYSIGBTs
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXBT12N300IXYSDescription: IGBT 3000V 30A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT12N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160W 3-Pin(2+Tab) D3PAK
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXBT12N300HVIXYSIGBTs TO268 3KV 12A BIMOSFET
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+99.15 EUR
10+78.23 EUR
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IXBT12N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 30A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/180ns
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+98.77 EUR
30+67.47 EUR
120+67.03 EUR
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IXBT12N300HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 30A; 160W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 180ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 98A
Power dissipation: 160W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT14N300HVIXYSIGBTs IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT
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IXBT14N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 38A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT14N300HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3kV; 38A; 200W; TO268HV
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 3kV
Power dissipation: 200W
Gate charge: 62nC
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO268HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT16N170AIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+18.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IXBT16N170AIxys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 150W 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+34.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT16N170AIXYSIGBTs 1700V 16A
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.19 EUR
10+43.16 EUR
120+38.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT16N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 16A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 150W 3-Pin(2+Tab) TO-268
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT16N170AHVIxys CorporationIXBT16N170AHV
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+34.14 EUR
10+30.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT16N170AHVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT16N170AHVIXYSDescription: IGBT 1700V 16A TO-268HV
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Gate Charge: 65 nC
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/250ns
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT16N170AHVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+18.65 EUR
10+16.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT20N300IXYSDescription: IGBT 3000V 50A 250W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT20N300HVIGBT 3000V 50A 250W TO268 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT20N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 50A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT20N300HVIXYSIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT20N360HVIXYSDescription: IGBT 3600V 70A TO-268HV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT20N360HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT20N360HV
Produktcode: 129397
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT20N360HVIGBT 3600V 70A TO-268HV Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT22N300HVIXYSIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT24N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 250W
Gate charge: 0.14µC
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 230A
Type of transistor: IGBT
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+23.38 EUR
10+21.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT24N170IXYSIGBT Transistors BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT24N170IXYSDescription: IGBT 1700V 60A 250W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT2N250BIMOSFET IGBT 2500V, Ic(max)=5A, TO-268AA (D3Pak) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT2N250IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.64 EUR
10+38.53 EUR
30+34.41 EUR
60+33.43 EUR
120+32.36 EUR
510+29.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT2N250IXYSDescription: IGBT 2500V 5A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.88 EUR
30+27.3 EUR
120+25.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT2N250-TRIXYSMOSFET IXBT2N250 TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT2N250-TRIXYSDescription: IGBT 2500V 5A TO-268
Power - Max: 32 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Gate Charge: 10.6 nC
Test Condition: 2000V, 2A, 47Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns
Supplier Device Package: TO-268
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT32N300IXYSDescription: IGBT 3000V 80A 400W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT32N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 80A 400W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT32N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT32N300HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT42N170IXYSIGBTs BIMOSFET 1700V 75A
auf Bestellung 3219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.46 EUR
10+63.05 EUR
120+57.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT42N170LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBT42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-268 (D3PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+76.22 EUR
5+66.41 EUR
10+57.3 EUR
50+53.28 EUR
100+49.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT42N170
Produktcode: 37260
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT42N170IXYSDescription: IGBT 1700V 80A TO-268AA
Power - Max: 360 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 188 nC
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.07 EUR
30+43.08 EUR
120+42.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT42N170BIMOSFET IGBT 1700V, Ic25=75A, Ic90=42A, 300Вт, TO-268AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT42N170-TRLIXYSDescription: IGBT 1700V 80A TO268
Power - Max: 360 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 188 nC
Test Condition: 850V, 42A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/340ns
Supplier Device Package: TO-268
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Input Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT42N170-TRLIXYSMOSFET IXBT42N170 TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT42N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 42A 357W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT42N300HVIXYSIGBTs TO268 3KV 42A IGBT
auf Bestellung 2734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+116.93 EUR
10+96.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT42N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 104A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/445ns
Test Condition: 1500V, 42A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 500 W
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+120.32 EUR
30+84.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT42N300HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBT42N300HV - IGBT, 104 A, 2.5 V, 500 W, 3 kV, TO-268HV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Dauerkollektorstrom: 104A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+118.43 EUR
5+102.91 EUR
10+88.51 EUR
50+81.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT6N170IXYSDescription: IGBT 1700V 12A TO-268AA
Power - Max: 75 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Gate Charge: 17 nC
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.15 EUR
30+18.66 EUR
120+16.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT6N170IXYSIGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.24 EUR
10+21.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX25N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX25N250IXYSIGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+74.38 EUR
10+72.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX25N250IXYSDescription: IGBT 2500V 55A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Gate Charge: 103 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+88.26 EUR
30+62.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX25N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX50N360HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBX50N360HV - IGBT, 125 A, 2.4 V, 660 W, 3.6 kV, TO-247PLUS-HV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
Verlustleistung: 660W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247PLUS-HV
Dauerkollektorstrom: 125A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.6kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+164.64 EUR
5+146.82 EUR
10+124.4 EUR
50+118.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX50N360HVIXYSDescription: IGBT 3600V 125A TO-247PLUS-HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/205ns
Test Condition: 960V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 660 W
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+127.43 EUR
30+97.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX50N360HVIXYSIGBTs 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+245.13 EUR
10+218.57 EUR
120+200.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX55N300IXYSIGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX55N300IXYSDescription: IGBT 3000V 130A 625W PLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX64N250IXYSGate Drivers 2500V 64A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX64N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 156A 735W 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX64N250IXYSDescription: IGBT 2500V 156A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/232ns
Test Condition: 1250V, 128A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 400 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 156 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 735 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX75N170IXYSDescription: IGBT 1700V 200A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Gate Charge: 350 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 580 A
Power - Max: 1040 W
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+120.73 EUR
30+92.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX75N170IXYSIGBTs BIMOSFETS 1700V 200A
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+140.19 EUR
10+111.53 EUR
120+110.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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