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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXYH80N90C3IXYSIGBTs TO268 900V 80A XPT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.94 EUR
10+19.08 EUR
120+18.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH80N90C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830W 3-Pin(3+Tab) TO-247
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH80N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 165A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/90ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 450V, 80A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 145 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 165 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 830 W
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.52 EUR
30+19.43 EUR
120+16.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH80N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 80A; 830W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 80A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 201ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH82N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 200A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/192ns
Switching Energy: 4.95mJ (on), 2.78mJ (off)
Test Condition: 600V, 80A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 380 A
Power - Max: 1250 W
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.94 EUR
30+21.93 EUR
120+19.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH82N120C3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH82N120C3 - IGBT, 82 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+43.28 EUR
7+36.37 EUR
10+30.04 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH82N120C3IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/160A
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.9 EUR
10+27.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH82N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 200A 1250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH85N120A4
Produktcode: 197385
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH85N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 300A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 85A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/400ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 8.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 520 A
Power - Max: 1150 W
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.31 EUR
30+21.47 EUR
120+19.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH85N120A4IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH85N120A4 - IGBT, 300 A, 1.5 V, 1.15 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 300
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 1.15
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH85N120A4IXYSIGBTs TO247 1200V 85A XPT
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.73 EUR
10+25.76 EUR
120+25.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH85N120A4LittelfuseUltra Low-Vsat IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH85N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 240A TO-247
Switching Energy: 4.3mJ (on), 2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/280ns
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 85A
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Part Status: Active
Gate Charge: 192 nC
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.42 EUR
30+17.48 EUR
120+15.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH85N120C4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH85N120C4 - IGBT, 240 A, 2 V, 1.15 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Verlustleistung: 1.15kW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 240A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.49 EUR
9+27.17 EUR
10+21.44 EUR
50+17.83 EUR
100+17.46 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH85N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.96 EUR
10+20.78 EUR
120+19.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH8N250CIXYSDescription: IGBT 2500V 29A TO247AD
Power - Max: 280 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Part Status: Active
Gate Charge: 45 nC
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH8N250CHVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH8N250CHVIXYSIGBTs TO263 2500V 8A XPT
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.53 EUR
10+26.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH8N250CHVIXYSDescription: IGBT 2500V 29A TO-247HV
Power - Max: 280 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Part Status: Active
Gate Charge: 45 nC
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Supplier Device Package: TO-247HV
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.95 EUR
30+21.92 EUR
120+19.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH8N250CV1HVIXYSIGBT Transistors IGBT XPT-HI VOLTAGE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH8N250CV1HVIXYSDescription: IGBT 2500V 29A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 280 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH90N65A5LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH90N65A5 - IGBT, 220 A, 1.22 V, 650 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.22
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.22
Verlustleistung Pd: 650
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT GenX5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
DC-Kollektorstrom: 220
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 220
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH90N65A5IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.68 EUR
10+15.68 EUR
120+11.04 EUR
510+11.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH90N65A5IXYSDescription: IGBT PT 650V 220A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/420ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 650 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYJ20N120C3D1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX7 XPT IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYJ20N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 90ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYJ20N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 21A ISO247
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Supplier Device Package: ISO247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 105 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Part Status: Active
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK100N120B3IXYSLittelfuse
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK100N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 188A TO-264
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 490 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 188 A
Part Status: Active
Gate Charge: 270 nC
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/123ns
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.07 EUR
25+35.87 EUR
100+34.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK100N120C3IXYSIGBT Transistors 1200V 188A XPT IGBT
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.5 EUR
10+47.5 EUR
25+45.34 EUR
100+40.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK100N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 188A 1150mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK100N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-264(3)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK100N65B3D1IXYSDescription: IGBT 650V 225A TO264
Power - Max: 830 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Gate Charge: 168 nC
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.27mJ (on), 2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/150ns
Supplier Device Package: TO-264
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK110N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 375A TO-264
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 110A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Power - Max: 1360 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 375 A
Part Status: Active
Gate Charge: 305 nC
Test Condition: 600V, 50A, 1.5Ohm, 15V
Switching Energy: 2.5mJ (on), 8.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/550ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK110N120A4IXYSIGBTs TO264 1200V 110A GENX4
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.51 EUR
10+46.12 EUR
100+39.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK110N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYK110N120A4 - IGBT, 375 A, 1.45 V, 1.36 kW, 1.2 kV, TO-264, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 375A
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+64.25 EUR
5+47.73 EUR
10+42.71 EUR
50+41.36 EUR
100+40.01 EUR
200+38.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK110N120B4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO264
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.08 EUR
10+28.06 EUR
100+26.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK110N120B4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYK110N120B4 - IGBT, 340 A, 1.66 V, 1.36 kW, 1.2 kV, TO-264, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 340A
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+40.13 EUR
10+33.57 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK110N120B4IXYSDescription: IGBT 1200V 340A TO-264
Power - Max: 1360 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Part Status: Active
Gate Charge: 340 nC
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 3.6mJ (on), 3.85mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/390ns
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.04 EUR
25+28.02 EUR
100+25.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK110N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 310A PLUS264
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Power - Max: 1360 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 740 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Part Status: Active
Gate Charge: 330 nC
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 3.6mJ (on), 1.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Supplier Device Package: PLUS264™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK110N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO264
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.61 EUR
10+34.22 EUR
100+27.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK120N120B3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 320A TO-264
Power - Max: 1500 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Part Status: Active
Gate Charge: 400 nC
Test Condition: 960V, 100A, 1Ohm, 15V
Switching Energy: 9.7mJ (on), 21.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/340ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK120N120B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 320A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 320A
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK120N120B3IXYSIGBTs TO264 1200V 120A GENX3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK120N120C3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYK120N120C3 - TRANSISTOR, IGBT, 1.2KV, 240A, TO-264
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 240A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK120N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 240A 1500W 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK120N120C3TO-264-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK120N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 240A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/176ns
Switching Energy: 6.75mJ (on), 5.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 412 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A
Power - Max: 1500 W
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.56 EUR
25+44.76 EUR
100+41.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK120N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 1.5kW
Gate charge: 412nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 700A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 105ns
Kind of package: tube
Case: TO264
Turn-off time: 346ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Mounting: THT
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+38.51 EUR
5+36.49 EUR
10+36.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK120N120C3IXYSIGBTs 1200V 220A XPT IGBT
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.77 EUR
10+57.76 EUR
100+51.02 EUR
500+48.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK140N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 480A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/590ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 12mJ (off)
Test Condition: 600V, 70A, 1.5Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1200 A
Power - Max: 1500 W
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+95.84 EUR
25+66.24 EUR
100+64.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK140N120A4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 1.5kW; TO264
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 1.5kW
Pulsed collector current: 1.2kA
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK140N120A4IXYSIGBTs Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+94.03 EUR
10+73.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK140N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYK140N120A4 - IGBT, 480 A, 1.34 V, 1.5 kW, 1.2 kV, TO-264, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.34V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 480A
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+109.5 EUR
5+93.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK140N90C3IXYSIGBTs TO264 900V 140A GENX3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK140N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 310A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/145ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 4mJ (off)
Test Condition: 450V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 840 A
Power - Max: 1630 W
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.98 EUR
25+38.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK140N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 140A; 1.63kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.63kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 0.3µs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK180N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 400A TO-264
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/500ns
Switching Energy: 420µJ (on), 4.1mJ (off)
Test Condition: 300V, 100A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 654 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1.03 kA
Power - Max: 1150 W
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.54 EUR
25+30.3 EUR
100+26.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK180N65A5IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 180A; 1.15kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 1kA
Turn-off time: 0.5µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 650V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK180N65A5IXYSIGBTs 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-264
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.66 EUR
10+29.74 EUR
100+29.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK220N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 510A TO-264
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/540ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 7.95mJ (off)
Test Condition: 300V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 750 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 510 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1.18 kA
Power - Max: 1.16 kW
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.81 EUR
25+38.32 EUR
100+34.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK220N65A5IXYSIGBTs 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-264
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.72 EUR
10+38.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK300N65A3LittelfuseIGBT Transistors IGBT DISC XPT
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.71 EUR
10+66.12 EUR
25+58.94 EUR
100+56.17 EUR
250+56.11 EUR
500+53.98 EUR
1000+53.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK300N65A3IXYSIGBTs TO264 650V 300A IGBT
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.74 EUR
10+46.33 EUR
25+39.35 EUR
50+39.32 EUR
100+38.64 EUR
250+35.47 EUR
500+35.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK30N170CV1IXYSDescription: IGBT PT 1700V 100A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/143ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 937 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK85N120C4H1IXYSIGBTs IXYK85N120C4H1
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.99 EUR
10+35.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK85N120C4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 220A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 265 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 85A
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/280ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 1150 W
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.36 EUR
25+28.96 EUR
100+26.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYL40N250CV1IXYSIGBTs ISOPLUS 2500V 40A DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYL40N250CV1IXYSDescription: IGBT 2500V 70A ISOPLUSI5
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns
Switching Energy: 11.7mJ (on), 6.9mJ (off)
Test Condition: 1250V, 40A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 577 W
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+166.12 EUR
10+151.67 EUR
100+137.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYL50N170CV1LittelfuseIGBTs Disc IGBT XPT-Hi Voltage ISOPLUS264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYL60N450LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYL60N450 - TRANS, IGBT, 4.5KV, 90A, ISOPLUS I5-PAK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 417
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90
Bauform - Transistor: ISOPLUS i5-PAK
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.64
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: XPT Series
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+327.27 EUR
5+297.26 EUR
10+268.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYL60N450IXYSDescription: IGBT 4500V 90A ISOPLUSI5-PAK
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Packaging: Tube
Power - Max: 417 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 680 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Part Status: Active
Gate Charge: 366 nC
Test Condition: 960V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/450ns
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+222.58 EUR
25+190.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYL60N450IXYSIGBTs ISOPLUS 4500V 38A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N120B3H1IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 165A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 165 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 690 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.79 EUR
10+56.57 EUR
100+48.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N120B3H1IGBT XPT 1200V 152A SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N120B3H1IXYSIGBT Transistors IGBT XPT-GENX3 SOT-227UI(
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N120B3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 165A 690W 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N120C3IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.15 EUR
10+49.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 152A 830000mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N120C3IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 152A 830W SOT227B
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Power - Max: 830 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 152 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+95.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N120C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 140A 690W 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N120C3H1IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 134A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 690 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+85.39 EUR
10+64.06 EUR
100+55.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N120C3H1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+73.77 EUR
10+67.48 EUR
100+66.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N120C3H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYN100N120C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 134 A, 3.5 V, 690 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5V
Verlustleistung Pd: 690W
Verlustleistung: 690W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 134A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 134A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+88.31 EUR
5+77.9 EUR
10+53.6 EUR
50+52.32 EUR
100+51.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N65A3LittelfuseIGBT Module, 650V IGBT Gen X3TM
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+61.48 EUR
5+58.31 EUR
10+55.47 EUR
20+53.31 EUR
50+51.37 EUR
100+49.21 EUR
250+48.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N65A3IXYSIGBTs SOT227 650V 100A GENX3
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.3 EUR
10+41.53 EUR
100+36.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N65A3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN100N65A3 - IGBT-Modul, Einfach, 170 A, 1.44 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.44V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-227B
Dauerkollektorstrom: 170A
Produktpalette: XPT GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+70.04 EUR
5+56.43 EUR
10+44.13 EUR
50+40.06 EUR
100+35.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N65A3LittelfuseIGBT Module, 650V IGBT Gen X3TM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N65A3IXYSDescription: IGBT MOD 650V 170A 600W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N65B3D1IXYSDescription: IGBT MOD 650V 185A 600W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 185 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.74 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N65C3H1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN100N65C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 600W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 160A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+63.38 EUR
5+55.01 EUR
10+47.28 EUR
50+43.74 EUR
100+40.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N65C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 650V 166A 600W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 166 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.98 nF @ 25 V
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.97 EUR
10+49.54 EUR
100+41.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N65C3H1IXYSIGBTs 650V/166A XPT Copacked SOT-227B
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.8 EUR
10+45.09 EUR
100+41.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 600W 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN110N120A4IXYSIGBTs SOT227 1200V 110A GENX4
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.33 EUR
10+46.1 EUR
100+42.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN110N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN110N120A4 - IGBT-Modul, Einfach, 275 A, 1.7 V, 830 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 275A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 830W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 275A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 275A
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+91.78 EUR
5+80.52 EUR
10+69.98 EUR
50+65.63 EUR
100+61.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN110N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 275A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/550ns
Switching Energy: 2.5mJ (on), 8.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 950 A
Power - Max: 830 W
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.18 EUR
10+45.26 EUR
100+39.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN110N120B4H1IXYSDescription: 1200V,110A, XPT GEN4 B4 CO-PACK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5460 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Power - Max: 830 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 218 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: SOT-227B
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.06 EUR
10+56.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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