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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NGTB40N65IHRTGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB40N65IHRTG - IGBT, 80 A, 1.55 V, 405 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 74703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
270+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 270 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB40N65IHRWGON SemiconductorIGBT Transistors 40A 650V MONOLITHIC RC IG
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB40N65IHRWGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247
Power - Max: 405 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 190 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 420µJ (off)
IGBT Type: Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB45N60S1WGON SemiconductorIGBT Transistors FSII 45A 600V Welding
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB45N60S1WGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 90A TO-247-3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 125 nC
Test Condition: 400V, 45A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.25mJ (on), 530µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB45N60S1WGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 90A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 45A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
auf Bestellung 11017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
185+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB45N60S2onsemionsemi FSII 45A 600V WELDING
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB45N60S2WGonsemiIGBT Transistors FSII 45A 600V Welding
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB45N60S2WGonsemiDescription: IGBT 45A 600V TO-247
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 6960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
140+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB45N60SWGonsemiIGBT Transistors 600V/45A IGBT FS1 TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB45N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 90A TO-247-3
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Gate Charge: 134 nC
Test Condition: 400V, 45A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 550µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
Reverse Recovery Time (trr): 376 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB45N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 90A TO-247-3
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Gate Charge: 134 nC
Test Condition: 400V, 45A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 550µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
Reverse Recovery Time (trr): 376 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
96+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB45N60SWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB45N60SWG - NGTB45N60S - 600V-45A IGBT
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+8.82 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N120FL2WAGonsemiDescription: NGTB50N120 - IGBT, 1200 V FIELD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N120FL2WAGOn SemiconductorIGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N120FL2WAGonsemiIGBTs IGBT, 1200 V Field Stop II, 50 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N120FL2WGONN
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N120FL2WGonsemiIGBTs 1200V/50A FAST IGBT FSII
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N120FL2WG - IGBT, 100 A, 2.2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 535
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N120FL2WGOn SemiconductorIGBT 1200V 100A 535W TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Gate Charge: 311 nC
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 118ns/282ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 256 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 535 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60FL2WGonsemiIGBTs 600V/50A FAST IGBT FSII T
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.24 EUR
10+9.56 EUR
120+7.66 EUR
600+6.81 EUR
1050+6.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60FLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 223 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 310 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/292ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60FLWGonsemiIGBTs IGBT, 600 V, 50 A, FS1 Solar/UPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+6.78 EUR
102+6.34 EUR
500+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60FWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N60FWG - IGBT, 600V, 50A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+9.12 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60FWGonsemiDescription: IGBT 600V 100A 223W TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+6.78 EUR
102+6.34 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60FWGonsemiDescription: IGBT 600V 100A 223W TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 10950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
76+7.21 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+6.78 EUR
102+6.34 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 10020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+6.78 EUR
102+6.34 EUR
500+5.89 EUR
1000+5.43 EUR
10000+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60L2WGON Semiconductor
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60L2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+8.39 EUR
100+7.87 EUR
500+7.27 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60L2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N60L2WG - IGBT, 600V, 100A, 175°C, 500W, TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60L2WGOn SemiconductorIGBT N-CH 600V 100A TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60L2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Power - Max: 500 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Gate Charge: 310 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 800µJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60S1WGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
81+6.77 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60S1WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N60S1WG - IGBT, SINGLE, 600V, 100A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+8.97 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60S1WGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60S1WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+6.07 EUR
500+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60S1WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+6.07 EUR
500+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60SWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+5.7 EUR
500+5.32 EUR
1000+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 376 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
91+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 376 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N65FL2WAGON SemiconductorIGBT Transistors 650V/50 FAST IGBT FSII TO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N65FL2WAGonsemiDescription: IGBT FS 650V 160A TO-247-4L
Power - Max: 417 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Gate Charge: 215 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 420µJ (on), 550µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/123ns
IGBT Type: Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
104+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N65FL2WAG
Produktcode: 154577
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N65FL2WAGonsemiDescription: IGBT FS 650V 160A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/123ns
Switching Energy: 420µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 417 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N65FL2WAGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N65FL2WAG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+8.57 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N65FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 417 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
Gate Charge: 220 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N65FL2WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 208W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N65FL2WGON Semiconductor
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N65FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N65FL2WG - IGBT, 650V 50A FS2 SOLAR/UPS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N65FL2WGonsemiIGBTs 600V/50A FAST IGBT FSII T
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 101-105 Tag (e)
1+14.27 EUR
10+8.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N65S1WGonsemiIGBTs IGBT, FSII, 650V, 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N65S1WGonsemiDescription: IGBT TRENCH 650V 140A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 75ns/128ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB60N60SWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB60N60SWG - 600V-60A IGBT LPT TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+9.2 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB60N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 298 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB60N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 298 W
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
76+7.25 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB60N65FL2WGON Semiconductor
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB60N65FL2WGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 117ns/265ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 318 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 595 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB60N65FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB60N65FL2WG - IGBT, SINGLE, N-CH, 650V, 100A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+18.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB60N65FL2WGonsemiIGBT Transistors 650V/60A FAST IGBT FSII
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.78 EUR
10+21.49 EUR
120+17.78 EUR
600+17.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB60N65FL2WG.ONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB60N65FL2WG. - IGBT, 100 A, 1.64 V, 595 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 595
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.64
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB75N60FL2onsemionsemi 600V/75A FAST FSII TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB75N60FL2WGonsemiIGBT Transistors IGBT, 600V 75A FS2 Solar/UPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB75N60FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB75N60Sonsemionsemi FSII 75A 600V WELDING
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB75N60SWG
Produktcode: 184223
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB75N60SWGonsemiIGBT Transistors FSII 75A 600V Welding
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.04 EUR
10+11.21 EUR
30+10.42 EUR
120+9.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB75N60SWGonsemiDescription: IGBT 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
70+7.64 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB75N60SWGonsemiDescription: IGBT 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB75N60SWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB75N60SWG - IGBT, SINGLE, 600V, 100A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+9.84 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB75N65FL2WAGON SemiconductorIGBT Transistors 650V/75 FAST IGBT FSII TO
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB75N65FL2WAGonsemiDescription: IGBT FS 650V 200A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/157ns
Switching Energy: 610µJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 536 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB75N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB75N65FL2WGOn SemiconductorIGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB75N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB75N65FL2WGonsemiIGBTs 650V/75A FAST FSII TO-247
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.83 EUR
10+10.53 EUR
90+9.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB75N65FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.18 EUR
30+10.73 EUR
120+9.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB75N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB75N65FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB75N65FL2WG - IGBT, 100 A, 1.75 V, 595 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+21.21 EUR
12+19.36 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB75N65FL2WGON Semiconductor
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB75N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTD13R120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/25A CN34 FAST RECTI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTD13R120F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTD13R120F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/25A CN34 FAST REC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTD13R120F2WPON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 465 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTD13T65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650V 30A FS2 bare die
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTD13T65F2SWKonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTD13T65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650V 30A FS2 bare die
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 380 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTD13T65F2WPonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTD14T65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650V 35A FS2 bare die
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 Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTD14T65F2SWKonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTD14T65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650V 35A FS2 bare die
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 Mindestbestellmenge: 380 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTD14T65F2WPonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
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