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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NXH50C120L2C2ES1GonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 50A CI
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+210.21 EUR
12+180.01 EUR
30+175.3 EUR
54+174.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50C120L2C2ES1GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 50A 20MW 26-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.89 nF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50C120L2C2ESGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 50A 20MW 26-DIP
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.897 nF @ 20 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Supplier Device Package: 26-DIP
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50C120L2C2ESGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 50A CIB
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+194.97 EUR
12+191.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50C120L2C2ESGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH50C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+252.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50M65L4C2ESGonsemiDescription: 650V 50A CONVERTER-INVERTER-PFCS
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.608 nF @ 20 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Supplier Device Package: 27-DIP
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.858", 47.20mm)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50M65L4C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE 650V 50A 20MW 27-DIP
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.877 nF @ 20 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Supplier Device Package: 27-DIP
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.858", 47.20mm)
Packaging: Tube
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+143 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50M65L4C2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH50M65L4C2SG - IGBT-Modul, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+123.27 EUR
5+112.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50M65L4C2SGonsemiIGBT Modules 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+133.13 EUR
12+120.64 EUR
30+116.47 EUR
54+112.3 EUR
102+108.16 EUR
252+107.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50M65L4Q1PTGonsemiIGBT Modules 6KW H6.5 50A Q1PACK PRESS-FIT PIN WITH TCP7000
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50M65L4Q1PTGonsemiDescription: IGBT MODULE 650V 48A 86W 53-PIM
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.137 nF @ 20 V
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Power - Max: 86 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 50A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50M65L4Q1SGonsemiIGBT Modules Q1PACK 50A 650V
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+123.19 EUR
10+109.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50M65L4Q1SGonsemiDescription: IGBT MODULE 650V 48A 86W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.137 nF @ 20 V
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+122.71 EUR
21+93.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50VB100M8X11.5SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 50VDC; Pitch: 3.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 74mΩ
Dimensions: Ø8x11.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 100µF
Height: 11.5mm
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 8mm
Terminal pitch: 3.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 8000h
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50VB220M10X16SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 220uF; 50VDC; Pitch: 5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 42mΩ
Dimensions: Ø10x16mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 220µF
Height: 16mm
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50VB470M10X20SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 470uF; 50VDC; Pitch: 5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 30mΩ
Dimensions: Ø10x20mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 470µF
Height: 20mm
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH50VB47M6.3X11SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 47uF; 50VDC; Pitch: 2.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 0.14Ω
Dimensions: Ø6.3x11mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 47µF
Height: 11mm
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 6.3mm
Terminal pitch: 2.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 6000h
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH5104ADBULNXP SemiconductorsEEPROM 4MB EEPROM demo board, SO8-footprint compatible
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+360.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH5104UK/A1ZNXPDescription: NXP - NXH5104UK/A1Z - EEPROM, 4 Mbit, Seriell SPI, 5 MHz, WLCSP, 13 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -20
Versorgungsspannung, min.: 1
Taktfrequenz: 5
Speicherkonfiguration EEPROM: -
Speichergröße: 4
Anzahl der Pins: 13
Produktpalette: 4Mbit SPI Serial EEPROM
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 2
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.84 EUR
28+8.43 EUR
29+7.63 EUR
50+7.58 EUR
100+6.9 EUR
250+6.85 EUR
500+6.64 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH5104UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC EEPROM 4MBIT SPI 13WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1V ~ 2.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 13-WLCSP (2.8x2.74)
Part Status: Active
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH5104UK/A1ZNXP SemiconductorsEEPROM 4 Mbit Serial EEPROM
auf Bestellung 1274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.9 EUR
10+17.58 EUR
25+17.05 EUR
50+16.62 EUR
100+16.23 EUR
250+15.68 EUR
500+13.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH5104UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC EEPROM 4MBIT SPI 13WLCSP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 8
Memory Interface: SPI
Part Status: Active
Supplier Device Package: 13-WLCSP (2.8x2.74)
Memory Format: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Technology: EEPROM
Voltage - Supply: 1V ~ 2.6V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 13-XFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.85 EUR
10+17.52 EUR
25+16.98 EUR
50+16.58 EUR
100+16.17 EUR
250+15.65 EUR
500+15.26 EUR
1000+14.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600A100H4F5SNGonsemiDescription: F5 1500V 600A ANPC IGBT SOLDER P
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600A100H4F5SNGonsemiIGBT Modules F5 1500V 600A ANPC IGBT SOLDER PIN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules MASS MARKET GEN3 Q2BOOST WITH PRESS-FIT PIN
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+488.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600B100H4Q2F2PGonsemiDescription: MASS MARKET GEN3 Q2BOOST WITH PR
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 192 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1 kV
Power - Max: 511 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13256 pF @ 20 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+365.62 EUR
10+306.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600B100H4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH IN-HOUSE DIE
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+389.64 EUR
10+342.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600B100H4Q2F2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 173A 422W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 173 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 422 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+318.71 EUR
10+293.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600B100H4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 192A 511W 44-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 192 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 511 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.256 nF @ 20 V
auf Bestellung 2551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+315.92 EUR
36+290.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules MASS MARKET GEN3 Q2BOOST
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+385.87 EUR
10+338.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600N100L4F5PGonsemiIGBT Modules 15709 F5 INVENTER WITH BASEPLATE
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+462.2 EUR
10+416.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600N100L4F5PGonsemiDescription: IGBT MOD 1KV 339A 745W 52-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 52-PIM (112x62)
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 339 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 745 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38976.2 pF @ 20 V
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+348.28 EUR
24+325.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600N105H7F5P1HGonsemiIGBT Modules F5+BP-PIM 250KW SOLAR 1500VDC INPC INVERTER WITH HPS DBC - AGILE#N07L0
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+599.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600N105H7F5S1HGonsemiIGBT Modules F5+BP-PIM 250KW SOLAR 1500VDC INPC INVERTER WITH HPS DBC - AGILE#N07L0
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+679.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600N105H7F5S1HGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH600N105H7F5S1HG - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 429 A, 1.6 V, 1.08 kW, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
IGBT-Anschluss: Lötstift
Verlustleistung: 1.08kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PIM
Dauerkollektorstrom: 429A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.05kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+754.7 EUR
5+686.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600N105L7F5P1HGonsemiIGBT Modules F5+BP-PIM 250KW ESS 1500VDC INPC INVERTER WITH HPS DBC- AGILE#N07L0
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+441.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600N105L7F5P2HGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH600N105L7F5P2HG - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 429 A, 1.6 V, 1.08 kW, 175 °C, PIM
tariffCode: 85414900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
IGBT-Anschluss: Lötstift
Verlustleistung: 1.08kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PIM
Dauerkollektorstrom: 429A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.05kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+473.93 EUR
5+431.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600N105L7F5P2HGonsemiIGBT Modules 320KW SOLAR F5BP-INPC WITH 15709 PIN-OUT & 1050V FS7 IGBT & HPS DBC- AGILE#N07L0
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+402.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600N105L7F5S1HGonsemiIGBT Modules F5+BP-PIM 250KW ESS 1500VDC INPC INVERTER WITH HPS DBC- AGILE#N07L0
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+392.95 EUR
10+353.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600N105L7F5S1HGonsemiDescription: IGBT MODULE 1.05KV 429A 1.08KW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 429 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1050 V
Power - Max: 1080 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48597 pF @ 20 V
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+328.13 EUR
24+303.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600N105L7F5S1HGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH600N105L7F5S1HG - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 429 A, 1.6 V, 1.08 kW, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
IGBT-Anschluss: Lötstift
Verlustleistung: 1.08kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PIM
Dauerkollektorstrom: 429A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.05kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+425.45 EUR
5+387.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600N65L4Q2F2SGONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 600A; PIM41; SiC
Technology: SiC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Case: PIM41
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600N65L4Q2F2SGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), I-Type NPC 650 V, 600 A IGBT, 650 V, 300 A Diode Solder pins
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH600N65L4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 650V 483A 931W 41-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 41-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 483 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 931 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37.1 nF @ 20 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+248.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH75M65L4Q1PTGonsemiIGBT Modules 6KW H6.5 75A Q1PACK PRESS-FIT PIN WITH TCP7000
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH75M65L4Q1PTGonsemiDescription: IGBT MODULE 650V 59A 86W 53-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V
auf Bestellung 1533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+116.43 EUR
21+88.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH75M65L4Q1PTGONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 59A; PIM27; SiC
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 59A
Case: PIM27
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 176A
Mechanical mounting: screw
Technology: SiC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH75M65L4Q1SGonsemiIGBT Modules Q1PACK 75A 650V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH75M65L4Q1SGonsemiDescription: IGBT MODULE 650V 59A 86W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+120.38 EUR
21+91.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH800A100L4Q2F2P1GonsemiIGBT Modules MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE WITH PRESS-FIT PIN
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+345.89 EUR
10+292.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH800A100L4Q2F2P2GonsemiIGBT Modules MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE WITH PRESS-FIT PIN
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+326.89 EUR
10+276.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH800A100L4Q2F2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 309A 714W 51-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 51-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 309 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 714 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.7 nF @ 20 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+253.23 EUR
36+223.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH800A100L4Q2F2S1Gonsemionsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH800A100L4Q2F2S2GonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 309A 714W 51-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 51-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 309 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 714 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.7 nF @ 20 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+253.23 EUR
36+223.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH800A100L4Q2F2S2Gonsemionsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH800H120L7QDSGonsemiIGBT Modules 1200V 800A QDUAL3
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+435.39 EUR
10+394.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH800H120L7QDSGonsemiDescription: 1200V 800A QDUAL3
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 94300 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: 11-PIM (152x62.15)
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 800A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+372.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80B120H2Q0SGonsemiDescription: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Bulk
auf Bestellung 28543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+156.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80B120H2Q0SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80B120H2Q0SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 40 A, 2.2 V, 103 W, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Dauer-Kollektorstrom: 40
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2
Verlustleistung Pd: 103
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 22
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+114.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80B120H2Q0SGonsemiDescription: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+140.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80B120H2Q0SGON SemiconductorIGBT Modules PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80B120H2Q0SGonsemiDescription: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80B120H2Q0SNGonsemiDescription: PIM POWER MODULE
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.7 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Power - Max: 103 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Dual Boost Chopper
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80B120MNQ0SNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+162.59 EUR
5+141.36 EUR
10+121.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80B120MNQ0SNGonsemiDescription: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 69 W
auf Bestellung 1968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+135.67 EUR
24+103.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0P2GonsemiIGBT Modules PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V PRESS-FIT PINS
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+142 EUR
10+123.36 EUR
120+102.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0P2GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 67A 158W 20-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19.4 nF @ 20 V
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+79.43 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0P2TGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 80A TNPC PIM20
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0PGON SemiconductorIGBT Modules 1200V 80AT-TYPE IGBT PWR INTEG MODULE
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0S1GON SemiconductorIGBT Modules PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0S2GonsemiIGBT Modules PIM 1200V 80A TNPC STANDARD PINOUT
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+132.39 EUR
10+119.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0S2GonsemiDescription: PIM 1200V 80A TNPC STAND
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19400 pF @ 25 V
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+108.55 EUR
24+103.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0S2GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80T120L2Q0S2G - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
Dauer-Kollektorstrom: 67A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35V
Verlustleistung Pd: 158mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158mW
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 67A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+147.89 EUR
5+119.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0S2GON Semiconductor
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiDescription: MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiIGBT Modules PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V SOLDER PINS TIM
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+140.96 EUR
10+122.46 EUR
120+101.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiDescription: MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+139.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0SGON SemiconductorIGBT Modules 80A 1200V PIM Q0PACK
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80T120L2Q0SGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 65A 146W PIM20
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: T-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 146 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.99 nF @ 20 V
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NXH80T120L3Q0P3GonsemiIGBT Modules PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (PRESS-FIT PIN)
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NXH80T120L3Q0P3GonsemiDescription: PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 188 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18150 pF @ 20 V
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 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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NXH80T120L3Q0S3GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80T120L3Q0S3G - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 75 A, 1.7 V, 188 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötstift
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 188W
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NXH80T120L3Q0S3GonsemiIGBT Modules PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (SOLDER PIN)
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 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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NXH80T120L3Q0S3GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 75A 188W 20-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 188 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.15 nF @ 20 V
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1+110.71 EUR
24+83.05 EUR
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NXH80T120L3Q0S3TGonsemiIGBT Modules PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (SOLDER PIN TIM)
auf Bestellung 23 Stücke:
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1+144.54 EUR
10+119.43 EUR
120+108.3 EUR
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NXHP270C5C520
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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