Produkte > APT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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| APT60DS04HJ | Microsemi Corporation | Description: BRIDGE RECT 1P 45V 60A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Schottky Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 45 V Current - Average Rectified (Io): 60 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 mA @ 45 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60DS10HJ | Microsemi Corporation | Description: BRIDGE RECT 1P 100V 60A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Schottky Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 60 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 910 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60DS20HJ | Microsemi Corporation | Description: BRIDGE RECT 1P 200V 90A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Schottky Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 90 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60GA60JD60 | Microchip Technology | Trans IGBT Module N-CH 600V 112A 356000mW | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| APT60GA60JD60 | Microchip / Microsemi | IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60GA60JD60 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 600V 112A 356W ISOTOP Current - Collector Cutoff (Max): 275 µA Power - Max: 356 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 112 A IGBT Type: PT Supplier Device Package: ISOTOP® NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.01 nF @ 25 V | auf Bestellung 1233 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT60GA60JD60 | Microchip Technology | IGBT Modules IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 60 A SOT-227 | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT60GF120JPD | APT | MODULE | auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60GF120JRD | Microchip Technology | Description: IGBT NPT COMBI 1200V 60A ISOTOP | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60GF120JRD | Microchip Technology | IGBTs IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 60 A SOT-227 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60GF120JRDQ3 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 149A 625W ISOTOP Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.08 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA Power - Max: 625 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 149 A Part Status: Active IGBT Type: NPT Supplier Device Package: ISOTOP® NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: ISOTOP Packaging: Tube | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT60GF120JRDQ3 | Microchip Technology | IGBT Modules FG, IGBT-COMBI,1200V, 60A, SOT-227 | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT60GF60JU2 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 600V 93A 378W SOT-227 Packaging: Bulk Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 93 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 378 W Current - Collector Cutoff (Max): 80 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.59 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60GF60JU3 | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60GF60JU3 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 600V 93A 378W SOT-227 Packaging: Bulk Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 93 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 378 W Current - Collector Cutoff (Max): 80 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.59 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60GR120JRDX | APT | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| APT60GT120JRDX | APT | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| APT60GT60BRG | Microchip Technology | IGBT Transistors FG, IGBT, 600V, 60A, TO-247, RoHS | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT60GT60BRG Produktcode: 53841
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| APT60GT60BRG | Microchip Technology | Description: IGBT NPT 600V 100A TO247 Power - Max: 500 W Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Part Status: Active Gate Charge: 275 nC Switching Energy: 3.4mJ Td (on/off) @ 25°C: 26ns/395ns IGBT Type: NPT Supplier Device Package: TO-247 [B] Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 1966 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT60GT60BRG | MICROSEMI | TO247/Thunderbolt IGBT APT60GT60 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60GT60JR | Microchip Technology / Atmel | IGBT Modules FG, IGBT, 600V, 60A, SOT-227 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60GT60JR | Microchip Technology | Description: IGBT MODULE 600V 93A 378W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 93 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 378 W Current - Collector Cutoff (Max): 80 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.6 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60GT60JRD | Microchip Technology | IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V, 60A, SOT-227 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60GT60JRD | APT | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| APT60GT60JRD Produktcode: 42011
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| APT60GT60JRDQ2 | APT | 48A/600V/IGBT/1U | auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60GT60JRDQ3 | Microchip Technology | Description: IGBT 600V 105A 379W SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 105 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 379 W Current - Collector Cutoff (Max): 330 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60GT60JRDQ3 | Microchip Technology / Atmel | IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V, 60A, SOT-227 | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 407-411 Tag (e) |
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| APT60GT60JRDX | APT | MODULE | auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60M25JVR | APT | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| APT60M60JFLL | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 694W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12630 pF @ 25 V | auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT60M60JFLL | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 600V, 0.060_OHM, SOT-227 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60M60JFLL | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 4-Pin SOT-227 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60M60JLL | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power MOSFET - MOS7 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60M60JLL | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12630 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ISOTOP® Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Power Dissipation (Max): 694W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT60M75 | APT | MODULE | auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60M75JFLL | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 58A ISOTOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60M75JFLL | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 600V, 0.075_OHM, SOT-227 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60M75JLL | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 600V, 0.075_OHM, SOT-227 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60M75JLL | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 58A ISOTOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60M75JVFR | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 62A ISOTOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60M75JVR | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 62A ISOTOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60M75JVR | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 600V 62A 4-Pin SOT-227 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60M75JVR | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET MOS 5 600 V 75 mOhm SOT-227 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60M75L2FLL | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT60M75L2FLLG | Microchip / Microsemi | MOSFET FG, FREDFET, 600V, TO-264 MAX, RoHS | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60M75L2FLLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8930 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 264 MAX™ [L2] Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Power Dissipation (Max): 893W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 36.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Packaging: Tube | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT60M75L2FLLG | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 600V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60M75L2LL | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT60M75L2LLG | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS7 600 V 75 mOhm TO-264 MAX | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60M75L2LLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8930 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 264 MAX™ [L2] Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Power Dissipation (Max): 893W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 36.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Packaging: Tube | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT60M75L2LLG | Microsemi | Trans MOSFET N-CH 600V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| APT60M75PVR | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT60M80JVR | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT60M80JVR | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 55A ISOTOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 870 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ISOTOP® Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Power Dissipation (Max): 568W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60M80L2VR | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT60M80L2VRG | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60M90JN | APT | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| APT60N60BCSG | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60N60BCSG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V | auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT60N60BCSG | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET Superjunction 600 V 60 A TO-247 | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT60N60BCSG | MICROSEMI | TO247/POWER MOSFET - COOLMOS APT60N60 Anzahl je Verpackung: 30 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60N60SCSG | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET Superjunction Combi 600 V 60 A TO-268 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60N60SCSG | MICROSEMI | D3PAK 3/60 A, 600 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT60N60 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60N60SCSG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60N60SCSG/TR | MICROSEMI | D3PAK/Super Junction MOSFET APT60N60 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60N60SCSG/TR | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60N60SCSG/TR | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET Superjunction Combi 600 V 60 A TO-268, TAPE & REEL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60S20B | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT60S20B2CT | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT60S20B2CTG | Microchip Technology | Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY Center Tap Rectifier 200 V 60 A TO-247 MAX | auf Bestellung 1091 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT60S20B2CTG | Microsemi | Schottky, 75A, 200V, Vf=0.9V Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60S20B2CTG | MICROSEMI | TMAX/60 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE APT60S20 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60S20B2CTG | Microchip Technology | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V 75A TMAX Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Variant Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT60S20BG | Microchip | DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60S20BG | Microchip Technology | Diode Schottky 200V 75A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 140 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60S20BG | Microchip Technology | Description: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 75A Supplier Device Package: TO-247 [B] Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V | auf Bestellung 878 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT60S20BG | Microchip Technology | Diode Schottky 200V 75A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 140 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60S20BG | Microchip Technology | Rectifiers SCHOTTKY Discrete Rectifier 200 V 60 A TO-247 | auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT60S20S | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT60S20SG | Microchip Technology | Description: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Supplier Device Package: D3Pak Current - Average Rectified (Io): 75A Technology: Schottky Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Packaging: Tube Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60S20SG | Microchip Technology | Rectifiers SCHOTTKY Discrete Rectifier 200 V 60 A TO-268 | auf Bestellung 1442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT60S20SG/TR | Microchip Technology | Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY Discrete Rectifier 200 V 60 A TO-268 - Tape & Reel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT60S20SG/TR | Microchip Technology | Description: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: D3Pak Current - Average Rectified (Io): 75A Technology: Schottky Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT64GA90B | Microchip Technology | Description: IGBT PT 900V 117A TO247 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 70 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT64GA90B | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 8 Single 900 V 64 A TO-247 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT64GA90B2D30 | MICROSEMI | TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 8 - COMBI APT64GA90B2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT64GA90B2D30 | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 64 A TO-247 MAX | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT64GA90B2D30 | Microchip Technology | Description: IGBT PT 900V 117A TO247 Power - Max: 500 W Current - Collector Pulsed (Icm): 193 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector (Ic) (Max): 117 A Part Status: Active Gate Charge: 162 nC Test Condition: 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V Switching Energy: 1192µJ (on), 1088µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 18ns/131ns IGBT Type: PT Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Variant Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT64GA90B2SC30 | Microchip Technology | Description: IGBT PT MOS 8 COMBI 900 V 64 A T Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT64GA90B2SC30 | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 64 A TO-247 MAX | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT64GA90LD30 | Microchip Technology | Description: IGBT PT 900V 117A TO264 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT64GA90LD30 | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 64 A TO-264 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT64GA90LD30 | Microchip / Microsemi | IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT65GP60B2 | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT65GP60B2G | Microchip Technology | Description: IGBT PT 600V 100A Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Part Status: Active Gate Charge: 210 nC Test Condition: 400V, 65A, 5Ohm, 15V Switching Energy: 605µJ (on), 896µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 30ns/91ns IGBT Type: PT Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Variant Packaging: Tube Power - Max: 833 W | auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT65GP60B2G | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 600 V 65 A TO-247 MAX | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT65GP60J | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 431 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 130 A Part Status: Active IGBT Type: PT Supplier Device Package: ISOTOP® NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| APT65GP60J | Microchip Technology | IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 65 A SOT-227 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
