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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMNH6021SPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 32A(Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6021SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6021SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 55A PWRDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1016 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6021SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
159+1.46 EUR
234+0.92 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6021SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.39 EUR
157+1.49 EUR
235+0.92 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6021SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 55A PWRDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1016 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.84 EUR
16+1.33 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6021SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.29 EUR
100+0.88 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6021SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6021SPSWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.2 EUR
125+1.87 EUR
188+1.14 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6021SPSWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.2 EUR
125+1.87 EUR
188+1.14 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6022SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, 22.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6022SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6022SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, 22.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
14+1.56 EUR
100+1.21 EUR
500+1 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6022SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 95000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6022SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6022SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6022SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6022SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, 22.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 30V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.83 EUR
5000+0.8 EUR
12500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6022SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 4779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.65 EUR
100+1.18 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6022SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6022SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, 22.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 30V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 22559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.01 EUR
13+1.64 EUR
100+1.27 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6035SPDWDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6035SPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
auf Bestellung 7335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.64 EUR
10+2.32 EUR
100+1.57 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6035SPDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6035SPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.02 EUR
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6035SPDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
auf Bestellung 3368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+2.03 EUR
100+1.7 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6035SPDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6035SPDWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 33A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6035SPDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6035SPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 2459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.25 EUR
100+0.84 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.15 EUR
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.53 EUR
14+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6042SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.84 EUR
140+1.67 EUR
211+1.02 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 8212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.34 EUR
100+0.93 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.68 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6042SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.84 EUR
140+1.67 EUR
211+1.02 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SPD-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET NCH 60V 5.7A POWERDI
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.26 EUR
14+1.54 EUR
100+1.13 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SPDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 2611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.58 EUR
100+1.17 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.77 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET NCH 60V 5.7A POWERDI
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.73 EUR
5000+0.68 EUR
7500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.38 EUR
165+1.42 EUR
253+0.84 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+1.14 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.5 EUR
10000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 76005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
19+1.15 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.38 EUR
165+1.42 EUR
253+0.84 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.45 EUR
5000+0.42 EUR
7500+0.4 EUR
12500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs Enhanced FET 41V 60V SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 2755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.55 EUR
100+1.2 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 16.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.73 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 16.7A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
auf Bestellung 8061 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
14+1.57 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6065SPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 466pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6065SPDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 27A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6065SPDW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6065SPDWQDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6065SPDWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 27A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6065SPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 466pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.82 EUR
5000+0.76 EUR
7500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMNH6065SPDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6065SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.5W (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6065SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60 V SO-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMNH6065SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMNH6065SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMNH6069SFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8 T&R 2K
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+1.08 EUR
100+0.81 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.44 EUR
10000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNIAD01SLVBTIntelDescription: INTEL QUARK MICROCONTROLLER D100
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 204000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+7.53 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNIAD01SLVBT SLKMJIntel32-bit Microcontrollers - MCU Quark D1000 32-Bit MCU 33MHz
auf Bestellung 3661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNISS01BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Nissan; impregnated; 2pcs.
Application - car brand: Nissan
Application - car model: Nissan Almera 1995->2000
Quantity in set/package: 2pcs.
Material: MDF
Loudspeaker size: 165mm
Thickness: 8mm
Car Audio features: impregnated
Application - loudspeaker localisation: Nissan Almera front doors
Type of car audio accessories: spacer ring
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNISS02BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Nissan; impregnated; 2pcs.
Car Audio features: impregnated
Application - car brand: Nissan
Application - car model: Nissan Navara 2 1997->2005; Nissan Patrol V 1997->2013
Application - loudspeaker localisation: Nissan Navara front doors; Nissan Patrol front doors
Type of car audio accessories: spacer ring
Thickness: 32mm
Loudspeaker size: 165mm
Quantity in set/package: 2pcs.
Material: MDF
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNISS03BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Nissan; impregnated; 2pcs.
Type of car audio accessories: spacer ring
Material: MDF
Loudspeaker size: 165mm
Application - car brand: Nissan
Application - car model: Nissan NV300 2014->; Nissan NV400 09/2010->; Nissan Primera (P12) 2001->2007
Application - loudspeaker localisation: Nissan NV300 front doors; Nissan NV400 front doors; Nissan Primastar front doors
Thickness: 26mm
Car Audio features: impregnated
Quantity in set/package: 2pcs.
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