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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
GP377Gold PeakGold Peak
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GP377-OC5Gold PeakGold Peak
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GP379Gold PeakGold Peak
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GP379-OC5Gold PeakGold Peak
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GP390-50Handles UnlimitedGP390-50
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GP392F-7C1GPSilver coin battery; SR41/SR41W 1.55V 42mAh 7.9x3.6mm   392 1pcs/card packing BATSR41-392-gp
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GP395Gold PeakGold Peak
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GP3A200SHARP04+
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GP3A224RCKOFSHARP06+
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GP3A232RCK1FSharp MicroelectronicsDescription: OPTOELECTRONIC COMPONENT
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GP3A233RBK0FSharp MicroelectronicsDescription: ROTARY ENCODER OPTICAL
Detent: No
Encoder Type: Optical
Voltage - Supply: 6V
Output Type: Quadrature (Incremental)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Built in Switch: No
Actuator Type: Codewheel Not Included
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GP3A236RCK0FSharp MicroelectronicsDescription: OPTOELECTRONIC COMPONENT
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GP3A239RCK0FSharp MicroelectronicsDescription: OPTOELECTRONIC COMPONENT
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GP3A240C2K0FSharp MicroelectronicsDescription: OPTOELECTRONIC COMPONENT
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GP3A241C2K0FSharp MicroelectronicsDescription: OPTOELECTRONIC COMPONENT
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GP3A242RCK0FSharp MicroelectronicsDescription: OPTOELECTRONIC COMPONENT
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GP3A28WSHARP04+
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GP3A300SHARP06+
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GP3A53RSHARP04+
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GP3A93R
Produktcode: 143602
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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GP3A93RJJ00FSharp MicroelectronicsDescription: OPTOELECTRONIC COMPONENT
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GP3D005A120CSemiQDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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GP3D005A170BSemiQDescription: DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 347pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1700
auf Bestellung 2439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.55 EUR
30+8.39 EUR
120+7.04 EUR
510+6.05 EUR
1020+5.69 EUR
2010+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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GP3D005A170B---DIODE SIL CARB 1.7KV 21A TO247-2 Діоди та діодні збірки
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GP3D005A170BSemiQSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 5A 1700V TO-247-2
auf Bestellung 10320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.77 EUR
10+4.33 EUR
120+3.53 EUR
510+3.12 EUR
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GP3D006A065ASemiQSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 6A 650V
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+2.45 EUR
100+2.26 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.51 EUR
5000+1.38 EUR
10000+1.37 EUR
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GP3D006A065ASemiQDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 229pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 650 V
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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GP3D008A065ASemiQSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 8A 650V TO-220
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.22 EUR
10+4.05 EUR
100+2.83 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.2 EUR
2500+2.07 EUR
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GP3D008A065DSemiQDescription: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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GP3D010A065ASemiQSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-220
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GP3D010A065ASemiQDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065BSemiQDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065BSemiQSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-247-2
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.78 EUR
10+4.44 EUR
120+3.8 EUR
510+3.33 EUR
1020+2.84 EUR
2520+2.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065CSemiQDescription: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065DSemiQDescription: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065DSemiQDescription: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A120ASemiQSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-220
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+9.04 EUR
100+5.4 EUR
500+4.46 EUR
1000+4.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A120ASemiQDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A120BSemiQSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-247-2
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+6.59 EUR
120+5.37 EUR
510+5.09 EUR
1020+4.77 EUR
2520+4.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A120BSemiQDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A120SSemiQSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V SMC DO-214AB
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.31 EUR
10+7.79 EUR
100+6.31 EUR
500+5.59 EUR
1000+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A170BSemiQDescription: DIODE SIL CARB 1700V 39A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 39A
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.28 EUR
30+9.47 EUR
120+7.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A170BSemiQSiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.82 EUR
10+6.72 EUR
120+5.57 EUR
510+4.76 EUR
1020+4.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A170BSemiQSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 103nC 10A Діоди та діодні збірки
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D012A065ASemiQDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.44 EUR
10+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D012A065ASemiQSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D012A065BSemiQDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D012A065BSemiQSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D015A120ASemiQSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-220
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.21 EUR
10+13.04 EUR
100+10.85 EUR
250+10.61 EUR
500+9.59 EUR
1000+8.08 EUR
5000+7.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D015A120ASemiQDescription: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D015A120BSemiQDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.8 EUR
10+16.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D015A120BSemiQSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065ASemiQDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065ASemiQSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-220
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.7 EUR
100+7.08 EUR
250+6.87 EUR
500+6.7 EUR
1000+6.26 EUR
2500+6.12 EUR
5000+6.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065BSemiQDIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2 Діоди та діодні збірки
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065BSemiQDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.26 EUR
30+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065BSemiQSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-2
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.22 EUR
10+8.1 EUR
120+6.94 EUR
510+6.15 EUR
1020+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065USemiQDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.12 EUR
30+6.4 EUR
120+6.05 EUR
510+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065USemiQSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-3
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.9 EUR
10+6.26 EUR
120+5.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A120BSemiQSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-2
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.42 EUR
10+10.22 EUR
120+8.76 EUR
510+8.29 EUR
1020+7.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A120BSemiQDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 1131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.19 EUR
10+21.85 EUR
100+18.09 EUR
500+15.76 EUR
1000+13.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A120USemiQSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.3 EUR
120+13.76 EUR
270+13.48 EUR
510+13.01 EUR
1020+12.44 EUR
2520+12.13 EUR
5010+12.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A170BSemiQSiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 203nC 20A
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.47 EUR
10+10.45 EUR
120+10.12 EUR
510+7.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A170BSemiQDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 67A
Capacitance @ Vr, F: 1403pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.54 EUR
10+23.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D024A065USemiQSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D024A065USemiQDescription: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A060BSemiQDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247
Part Status: Active
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A065BSemiQDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 30A
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.98 EUR
30+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A065BSemiQSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 650V TO-247-2
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.82 EUR
10+8.4 EUR
120+6.18 EUR
510+5.49 EUR
1020+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120BSemiQSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120BSemiQDescription: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 30A
Capacitance @ Vr, F: 1762pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120USemiQDescription: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120USemiQSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D040A065USemiQSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 40A 650V TO-247-3
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.34 EUR
10+11.19 EUR
120+9.26 EUR
510+8.33 EUR
1020+7.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D040A065USemiQDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-3
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.2 EUR
10+15.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D040A120USemiQSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 40A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.46 EUR
10+26.16 EUR
30+25.09 EUR
60+24.25 EUR
120+22.07 EUR
270+21 EUR
510+19.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A065BSemiQDIODE SIL CARB 650V 135A TO247-2 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A065BSemiQDescription: SIC SCHOTTKY RECTIFIER
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A120BSemiQDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51 EUR
10+47.04 EUR
100+40.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A120BSemiQSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 50A TO-247-2
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.46 EUR
10+34.83 EUR
30+29.54 EUR
120+27.77 EUR
270+27.29 EUR
510+25.18 EUR
1020+24.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050B170BSemiQSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.14 EUR
10+25.18 EUR
120+21.77 EUR
510+20.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050B170BSemiQ1700V, 50A SIC DIODE, TO-247-2L Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050B170BSemiQDescription: 1700V, 50A SIC DIODE, TO-247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3511pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 151A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1.7 kV
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.18 EUR
30+20.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120BSemiQDescription: DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120USemiQSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 60A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.94 EUR
10+54.37 EUR
120+54.35 EUR
510+50.46 EUR
1020+47.95 EUR
2520+47.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120USemiQDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3JB360R-TLSEI Stackpole ElectronicsRes 360 Ohm 5% 3W ±30ppm/°C Conformal Coated AXL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3JB68R0-TLSEI Stackpole ElectronicsRes Power Film 18 Ohm 5% 3W ±30ppm/°C Conformal Coated AXL T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2399+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 2399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3JB68R0-TLSEI Stackpole ElectronicsRes Power Film 18 Ohm 5% 3W ±30ppm/°C Conformal Coated AXL T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2399+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 2399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3JB82R0-TLSEI Stackpole ElectronicsRes 82 Ohm 5% 3W ±30ppm/°C Conformal Coated AXL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3JB82R0-TLSEI Stackpole ElectronicsRes 82 Ohm 5% 3W ±30ppm/°C Conformal Coated AXL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3R221AA6000Coto TechnologyGP3R221AA6000
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+288.54 EUR
25+78.05 EUR
50+72.36 EUR
100+66.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3R231AD1000Coto TechnologyGP3R231AD1000
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+312.3 EUR
25+88.82 EUR
50+82.37 EUR
100+76.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3R231AD2000Coto TechnologyGP3R231AD2000
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+159.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3S102SHARP04+
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3S105SHARP04+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3S128SHARP06+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T014A120HSemiQDescription: GEN3 1200V 14M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6242 pF @ 1000 V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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