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ISC037N12NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 111µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 60 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	3.07 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC037N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 172A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 68 V

auf Bestellung 5869 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.73 EUR
10+	6.47 EUR
100+	4.62 EUR
500+	4.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC037N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 172A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 68 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC037N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 5578 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.27 EUR
10+	7.38 EUR
100+	5.43 EUR
500+	4.82 EUR
1000+	4.3 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC040N10NM7ATMA1

Infineon Technologies

Description: ISC040N10NM7ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC040N10NM7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V

auf Bestellung 417 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.57 EUR
10+	3.58 EUR
100+	2.45 EUR
500+	2 EUR
1000+	1.86 EUR
2500+	1.8 EUR
5000+	1.75 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC040N10NM7ATMA1

Infineon Technologies

Description: ISC040N10NM7ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

auf Bestellung 9890 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.55 EUR
10+	3.58 EUR
100+	2.48 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC040N10NM8ATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS 8 power MOSFET 100 V Normal Level in SuperSO8 package

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC040N10NM8ATMA1

Infineon Technologies

Description: ISC040N10NM8ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC040N10NM8ATMA1

Infineon Technologies

Description: ISC040N10NM8ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC044N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 75 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 75 V

auf Bestellung 4680 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.35 EUR
10+	9.64 EUR
100+	6.97 EUR
500+	5.84 EUR
1000+	5.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC044N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 75 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC044N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 962 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.77 EUR
10+	8.25 EUR
100+	6.68 EUR
500+	5.95 EUR
1000+	5.74 EUR
5000+	5.26 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC045N03L5SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 5431 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.62 EUR
21+	1 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.44 EUR
2000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC045N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC045N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

144+	1.74 EUR
221+	1.06 EUR
336+	0.64 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 144 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC045N03L5SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 3755 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.65 EUR
10+	1.04 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.42 EUR
5000+	0.4 EUR
10000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC045N03L5SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC045N03L5SATMA1

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC045N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC045N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

144+	1.74 EUR
221+	1.06 EUR
336+	0.64 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 144 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC046N04NM5

Infineon Technologies

Infineon

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC046N04NM5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC046N04NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC046N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC046N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 3500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2977 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.3 EUR
122+	1.92 EUR
184+	1.17 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC046N04NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 40V

auf Bestellung 4990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.59 EUR
10+	1.44 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.7 EUR
5000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC046N04NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC046N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC046N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 3500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2977 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	3.3 EUR
122+	1.92 EUR
184+	1.17 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 76 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC046N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC046N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 142 A, 4300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 211W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm

auf Bestellung 850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	7.33 EUR
250+	4.82 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC046N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 4463 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.39 EUR
10+	7.46 EUR
100+	5.46 EUR
500+	4.88 EUR
1000+	4.32 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC046N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 68 V

auf Bestellung 14780 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.7 EUR
10+	7.13 EUR
100+	5.11 EUR
500+	4.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC046N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC046N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 142 A, 4300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 211W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm

auf Bestellung 850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	11.84 EUR
50+	7.33 EUR
250+	4.82 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC046N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 68 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	3.77 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC052N03LF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: ISC052N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC052N03LF2SATMA1

Infineon Technologies

TRENCH <= 40V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.42 EUR
10+	1 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.49 EUR
2500+	0.44 EUR
5000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC052N03LF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: ISC052N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC055N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 934 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.65 EUR
10+	7.46 EUR
25+	6.64 EUR
100+	5.81 EUR
250+	5.34 EUR
500+	5.05 EUR
1000+	4.69 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC055N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC055N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 234 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	10.41 EUR
10+	6.97 EUR
100+	5.01 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC056N08NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V

auf Bestellung 4985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.36 EUR
10+	2.8 EUR
100+	1.9 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.39 EUR
2000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC056N08NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC056N08NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET > 60-80V

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.21 EUR
10+	2.7 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.36 EUR
2500+	1.3 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC058N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2201 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

70+	3.59 EUR
112+	2.08 EUR
170+	1.26 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 70 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC058N04NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V

auf Bestellung 43368 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.2 EUR
16+	1.38 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR
2000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC058N04NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 5932 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.75 EUR
10+	1.36 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.74 EUR
2500+	0.69 EUR
5000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC058N04NM5ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 63A; 42W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 63A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: 20V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC058N04NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.52 EUR
10000+	0.49 EUR
15000+	0.46 EUR
25000+	0.45 EUR
35000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC058N04NM5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC058N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2201 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.59 EUR
112+	2.08 EUR
170+	1.26 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC0602NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5112 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	5.32 EUR
72+	3.22 EUR
250+	2 EUR
1000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 47 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC0602NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

auf Bestellung 10539 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.45 EUR
10+	2.33 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.25 EUR
2000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC0602NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC0602NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.0071 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1932 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.03 EUR
250+	1.95 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC0602NLSATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET > 60-80V

auf Bestellung 4014 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.25 EUR
10+	2.84 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.34 EUR
2500+	1.33 EUR
5000+	1.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC0603NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 24µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.3A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC0603NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0603NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 56 A, 0.0085 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 6082 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.81 EUR
1000+	1.57 EUR
5000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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ISC0603NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0603NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 56 A, 0.0085 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 6082 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	3.5 EUR
92+	2.53 EUR
108+	1.99 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.57 EUR
5000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 72 Stücke

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ISC0603NLSATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 3351 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.86 EUR
10+	3.47 EUR
100+	2.73 EUR
500+	2.24 EUR

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ISC0603NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 24µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.3A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 6987 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.39 EUR
10+	3.03 EUR
100+	2.37 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.55 EUR
2000+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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ISC0604NLSATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

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ISC0604NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

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ISC0605NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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ISC060N06NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V

auf Bestellung 4727 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.7 EUR
18+	1.21 EUR
25+	1.09 EUR
100+	0.95 EUR
250+	0.89 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.82 EUR
2500+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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ISC060N06NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V

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ISC060N06NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

auf Bestellung 3871 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.58 EUR
10+	2.23 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.99 EUR
2500+	0.89 EUR
5000+	0.8 EUR

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ISC060N06NM6ATMA1 транзистр
Produktcode: 221986

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Transistoren > MOSFET N-CH

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ISC060N10NM6

Infineon Technologies

IFX FET >80 - 100V

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ISC060N10NM6

Infineon Technologies

ISC060N10NM6

auf Bestellung 4970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	4.13 EUR
50+	3.92 EUR
100+	3.69 EUR
250+	3.5 EUR
500+	3.36 EUR
1000+	3.22 EUR
2500+	3.08 EUR

Mindestbestellmenge: 43 Stücke

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ISC060N10NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 4384 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.69 EUR
54+	3.11 EUR
100+	2.19 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.62 EUR
2000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

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ISC060N10NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

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ISC060N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm

auf Bestellung 2418 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.98 EUR
500+	2.46 EUR
1000+	2.36 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC060N10NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 305000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	5.12 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC060N10NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC060N10NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC060N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm

auf Bestellung 2418 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	7.59 EUR
51+	4.57 EUR
100+	2.98 EUR
500+	2.46 EUR
1000+	2.36 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC060N10NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC060N10NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 4384 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.69 EUR
54+	3.18 EUR
100+	2.27 EUR
500+	1.87 EUR
1000+	1.76 EUR
2000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC0702NLSATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 135A; 100W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 135A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC0702NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

auf Bestellung 599 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.25 EUR
11+	2.06 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC0702NLSATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 60V

auf Bestellung 10629 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.24 EUR
10+	2.73 EUR
100+	1.86 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.38 EUR
2500+	1.36 EUR
5000+	1.3 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC0702NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2785 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.95 EUR
114+	1.89 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC0702NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC0702NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm

auf Bestellung 6720 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	4.97 EUR
70+	3.34 EUR
250+	2.17 EUR
1000+	1.56 EUR
3000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 51 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC0703NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

auf Bestellung 30448 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.15 EUR
16+	1.34 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.62 EUR
2000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC0703NLSATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 7998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.73 EUR
10+	1.71 EUR
25+	1.67 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.81 EUR
2500+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC0703NLSATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC0703NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 6900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 44W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm

auf Bestellung 3103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	3.3 EUR
116+	2.01 EUR
250+	1.24 EUR
1000+	0.86 EUR
3000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 76 Stücke

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ISC0703NLSATMA1

Infineon Technologies

N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 13, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: TDSON-8 Очікується: 1100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

verfügbar 10 Stücke:

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ISC0703NLSATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 1578 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

177+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 177 Stücke

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ISC0703NLSATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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ISC0703NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.5 EUR
10000+	0.46 EUR
15000+	0.45 EUR
25000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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ISC0703NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.0058 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 44W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3269 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.45 EUR
115+	2.02 EUR
250+	1.31 EUR
1000+	0.92 EUR
3000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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ISC0703NLSATMA1

MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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ISC0703NLSATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 1965 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

75+	2.4 EUR
111+	1.55 EUR
200+	1.49 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 75 Stücke

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ISC073N12LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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ISC073N12LM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC073N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 4284 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.68 EUR
500+	2.23 EUR
1000+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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ISC073N12LM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 6306 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.84 EUR
10+	3.8 EUR
100+	2.64 EUR
500+	2.26 EUR
1000+	2.24 EUR
2500+	2.14 EUR
5000+	2.12 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC073N12LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V

auf Bestellung 2889 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.7 EUR
10+	4.02 EUR
100+	2.8 EUR
500+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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ISC073N12LM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC073N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 4284 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	7.09 EUR
58+	4.01 EUR
100+	2.68 EUR
500+	2.23 EUR
1000+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

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ISC078N12NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 49.6µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V

auf Bestellung 4885 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.93 EUR
10+	3.86 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.15 EUR
1000+	2 EUR
2000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC078N12NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC078N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 85 A, 7800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 4480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	6.79 EUR
57+	4.08 EUR
100+	2.63 EUR
500+	2.03 EUR
1000+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC078N12NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 1963 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.9 EUR
10+	3.88 EUR
100+	2.7 EUR
500+	2.24 EUR
1000+	2.15 EUR
5000+	1.94 EUR

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