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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK7A80W,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.5 A, 0.795 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.795ohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.45 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7A90E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7A90E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 900V 7A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
10+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7A90E,S4XToshibaMOSFETs PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.36 EUR
100+2.31 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.74 EUR
2500+1.68 EUR
5000+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7A90E,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 21A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7A90E,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7A90E,S4X(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7A90E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7A90ES4X(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7B423ICI
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7B5637C1N11
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7B9028A
auf Bestellung 2506 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7E0731
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7E80WToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7E80W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.03 EUR
10+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7E80W,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 800V 700pF 13nC 6.5A 110W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7E80W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7E80W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7E80W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.5 A, 0.795 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.795ohm
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.38 EUR
47+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7E80WS1X(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7F5768
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7H9805P001
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7H9820V01
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7J6150
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7J90EToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7J90E,S1EToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7J90E,S1EToshibaMOSFETs PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7J90E,S1EToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7J90E,S1E(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7J90E,S1E(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7J90E,S1E(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 21A; 200W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 200W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7J90E,S1E(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7J90ES1E(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7K8418LF
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7L7730
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7L7730P920
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7L9773-D
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7M1804P25
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7M6284P23
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7N5498P82
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P50DToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P50D(T6RDVQSToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P50D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.49 EUR
10+2.87 EUR
100+1.95 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P50D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 7A 500V 100W 600pF 1.22
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P50D(T6RSS-Q)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.58 EUR
163+1.43 EUR
167+1.29 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P50D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P50D(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P50D(T6RSS-Q)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.58 EUR
163+1.43 EUR
167+1.29 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60V,RQ(SToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60V,RVQ(S
Produktcode: 94372
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TK7P60VRVQ(SToshibaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60WToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.32 EUR
10+2.44 EUR
100+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60W,RVQToshibaMOSFETs N-Ch 7A 60W FET 600V 490pF 15nC
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.19 EUR
10+2.03 EUR
100+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.48 EUR
147+1.17 EUR
200+1.01 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4 EUR
104+2.24 EUR
137+1.57 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4 EUR
104+2.24 EUR
137+1.57 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60W5,RVQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 600mOhm DPKw/Hgh Speed Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60W5,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.98 EUR
130+1.78 EUR
134+1.61 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60W5,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.98 EUR
130+1.78 EUR
134+1.61 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60W5,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.82 EUR
127+1.36 EUR
200+1.21 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60W5RVQ(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P60WRVQ(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
10+2.44 EUR
100+1.94 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.18 EUR
151+1.12 EUR
154+1.06 EUR
156+1 EUR
250+0.94 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P65W,RQToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.66 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.59 EUR
85+2.74 EUR
112+1.92 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7P65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.66 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
112+1.92 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7Q60W,S1VQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 60W 490pF 15nC 7A
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.47 EUR
10+3.06 EUR
75+3.01 EUR
525+2.28 EUR
1050+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7R0E08QM,S1XToshibaMOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.7 EUR
10+2.23 EUR
100+1.73 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.12 EUR
5000+1.07 EUR
10000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7R0E08QM,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220AB 80V 7MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
50+2.14 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7R0E08QM,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7R0E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 5500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 87W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7R2E10PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7R2E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 94 A, 6100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 123W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.62 EUR
51+4.59 EUR
100+2.42 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7R2E15Q5,S1XToshibaMOSFETs 150V UMOS10-HSD TO-220 7.2mohm
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.45 EUR
10+4.58 EUR
25+4.32 EUR
50+4.27 EUR
100+3.5 EUR
250+3.28 EUR
500+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7R4A10PL,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.18 EUR
10+3.01 EUR
100+2.28 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.55 EUR
5000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7R4A10PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7R4A10PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7R4A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 6300 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.55 EUR
70+3.32 EUR
113+1.9 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7R4A15Q5,S4XToshibaMOSFETs TO220 150V 1.4A N-CH
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.5 EUR
50+6.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7R7P10PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7R7P10PL,RQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=93W F=1MHZ
auf Bestellung 3831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+2.24 EUR
100+1.49 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
2500+1 EUR
5000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7R7P10PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.67 EUR
10+2.34 EUR
100+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7R7P10PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7R7P10PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 93W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 1780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.78 EUR
127+1.69 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7R7P10PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7R7P10PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 93W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 1780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.75 EUR
84+2.78 EUR
127+1.69 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7R7P10PLRQ(S2Toshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7S10N1Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
10+2.2 EUR
100+1.55 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7S10N1Z,LQToshibaMOSFETs 60W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 4660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.7 EUR
10+2.09 EUR
25+2.01 EUR
100+1.48 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7S10N1Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.09 EUR
4000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7S10N1Z,LXHQToshibaMOSFET PD=50W F=1MHZ AEC-Q101
auf Bestellung 2045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1.33 EUR
100+1.04 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.67 EUR
4000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7S10N1Z,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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