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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MSC060SMA070SMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 700V 37A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.85 EUR
25+10.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070SMicrosemiMSC060SMA070S
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070SMicrochip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.1 EUR
11+16.3 EUR
30+13.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070SMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-268
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.89 EUR
10+10.06 EUR
120+9.72 EUR
270+9.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070SMicrochip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.1 EUR
11+16.66 EUR
30+14.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070SAMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-263-7
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070SAMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM TO-263-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-268
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070SCT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM PSMT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070SCT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm PSMT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070SCT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM PSMT
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.12 EUR
25+8.4 EUR
100+8.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070SCT/RMMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm PSMT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070SCT/RMMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM PSMT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070SDT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM TO-263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 700 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070SDT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM TO-263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 700 V
auf Bestellung 651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.75 EUR
25+10.84 EUR
100+10.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070SDT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-263-7 XL
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.79 EUR
25+10.86 EUR
100+10.81 EUR
800+9.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070SDT/RMMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM TO-263-
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070SDT/RMMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-263-7L-XL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070SDT/RMMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM TO-263-
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.12 EUR
25+8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMB120B4NMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC060SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMB120SDT/RMMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 60 MOHM TO-263
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.46 EUR
25+10.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMB120SDT/RMMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 60 MOHM TO-263
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+9.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC075-10Maudlin ProductsDescription: SLOTTED SHIM,4X4 INX0.075IN,PK10
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120BMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC080SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120BMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.06 EUR
30+21.25 EUR
120+18.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.42 EUR
25+19.47 EUR
100+16.8 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120BMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.79 EUR
25+21 EUR
100+17.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.42 EUR
25+19.9 EUR
100+17.45 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+33.81 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120B
Produktcode: 191923
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 13020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.51 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+21.07 EUR
10+19.22 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.53 EUR
10+20.82 EUR
30+17.99 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+21.07 EUR
10+19.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+27.02 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.53 EUR
10+20.37 EUR
30+17.33 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120B4MICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC080SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120B4Microchip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.39 EUR
30+16.95 EUR
120+14.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120B4Microchip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.41 EUR
25+16.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+23.22 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+29.87 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120JMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.86 EUR
10+44.97 EUR
30+42.6 EUR
100+40.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120JMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1.2KV 35A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.51 EUR
25+53.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120JS15Microchip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SBD 15 A Combi SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120JS15Microchip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200V 80 MOHM 15A SOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+86.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120SMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC080SMA120S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-268 (D3PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120SMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-268
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.75 EUR
10+24.66 EUR
120+21.44 EUR
510+20.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120SMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1200V 35A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.56 EUR
25+24.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120SDT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-263-7 XL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA120SDT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.12 EUR
25+20.4 EUR
100+17.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA330B4Microchip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 3300 V 80 mOhm TO-247-4
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+274.7 EUR
30+253.32 EUR
120+220.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA330B4Microchip TechnologyDescription: MOSFET SIC 3300 V 80 MOHM TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 381W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462 pF @ 2400 V
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+276.79 EUR
25+255.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA330B4MICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC080SMA330B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 3.3 kV, 0.084 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 381W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA330B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+113.67 EUR
30+104.83 EUR
120+91.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA330B4NMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 3300V 80 MOHM TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 381W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462 pF @ 2400 V
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+113.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA330B4NMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC080SMA330B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 3.3 kV, 0.106 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 439W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMA330D/TMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 3300 V 80 mOhm DIE TAPE & REEL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMB120B4NMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC080SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC080SMB120SDT/RMMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-263-7 XL Mini Reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SDA330B2Microchip TechnologySiC Schottky Diodes SIC SBD 3300 V 90 A TO-247 MAX
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+689.91 EUR
10+626.44 EUR
30+626.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SDA330B2MICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC090SDA330B2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 3.3 kV, 184 A, 927 nC, T-MAX
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kapazitive Gesamtladung: 927nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 184A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SDA330B2Microchip TechnologyDescription: SIC SBD 3300 V 90 A TO-247 MAX
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Current - Average Rectified (Io): 184A
Capacitance @ Vr, F: 6326pF @ 1V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 90 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+759.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070B
Produktcode: 182114
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+17.97 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070BMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC090SMA070B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 700 V, 0.086 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.45 EUR
30+8.21 EUR
270+7.83 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070BMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 700V TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.83 EUR
25+7.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.45 EUR
30+8.39 EUR
270+8.13 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070BMicrosemiTrans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+13.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070BMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+14.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070B4NMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-247-
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.07 EUR
25+7.43 EUR
100+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247-4 Notch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070D/TMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM DIE TAP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070D/TMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm DIE TAPE & REEL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070SMicrosemiMSC090SMA070S
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070SMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 700V D3PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D3Pak
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.63 EUR
25+7.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070SMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-268
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.68 EUR
10+8 EUR
30+7.41 EUR
120+7.19 EUR
1020+7.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070SAMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-263-7
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070SAMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 34A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+18.29 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070SAMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-268
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 700 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070SCT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM PSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.98 EUR
25+7.35 EUR
100+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070SCT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM PSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070SCT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm PSMT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070SCT/RMMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm PSMT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070SCT/RMMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM PSMT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070SDT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 806 pF @ 700 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070SDT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-263-7 XL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070SDT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 806 pF @ 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 15A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.98 EUR
25+7.35 EUR
100+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070SDT/RMMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.34 EUR
25+12.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070SDT/RMMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-263-7L XL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC090SMA070SDT/RMMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-
auf Bestellung 200 Stücke:
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100+10.7 EUR
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MSC1MICROCHITSSOP-16
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MSC1-100/1CROMPTON / TE CONNECTIVITYCategory: Current Transformers
Description: Transformer: current; Iin: 100A; Iout: 1A; screw; 1@max0.2VA; Len: 3m
Operating temperature: -20...70°C
Manufacturer series: MSC1
Mounting: screw
Internal diameter: 18mm
Dimensions (a x b x c): 57.3x31.53x18mm
Output current: 1A
Accuracy class: 1 @max 0.2VA
Cable length: 3m
Operating frequency: 50...60Hz
Input current: 100A
Type of Transformer: current
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MSC1-50BB1C
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MSC1-50BB2CMMCBGA
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MSC1007BGA
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MSC1008F-150K
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