Produkte > IPW
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R299CP | INFINEON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IPW60R299CPFKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R299CPFKSA1 - IPW60R299 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 54 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R299CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R299CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R299CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R330P6 | Infineon Technologies | Description: IPW60R330 - 600V COOLMOS N-CHANN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R330P6 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R330P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3 | auf Bestellung 36480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 314 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65F6048A | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65F6048A | Infineon Technologies | IPW65F6048A | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: 650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V | auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R018CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor | auf Bestellung 1317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R018CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 116A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R018CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPW65R018CM8XKSA1 | auf Bestellung 506 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R018CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 116A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R019C7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R019C7 | Infineon Technologies | Description: 75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R019C7 | Infineon | auf Bestellung 2320 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IPW65R019C7 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7 | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon | N-Channel MOSFET Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R019C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.019 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 446W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7 | auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V | auf Bestellung 2315 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R022CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R022CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 58.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) FET Type: N-Channel | auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R022CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R025CM8 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R025CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor | auf Bestellung 674 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R025CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R025CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R025CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R025CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 431W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R025CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA Power Dissipation (Max): 305W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 154 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies. | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R029CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 391 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies. | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies. | auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies. | auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA Power Dissipation (Max): 305W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R035CFD7AXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R035CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.029 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R037C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 Produktcode: 180225
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 33.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.3mA Power Dissipation (Max): 500W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R037C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 83.2 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | Infineon | MOSFET N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R040CM8 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R040CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R040CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V Verlustleistung: 329W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm | auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R040CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R040CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 5040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R040CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R040CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R040CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R040CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPW65R040CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3796 pF @ 400 V | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2 | auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFD7 | Infineon Technologies | IPW65R041CFD7 | auf Bestellung 191 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: 650V FET COOLMOS TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V | auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R041CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 84720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 436 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon | N-Channel MOSFET Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm | auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon | N-Channel MOSFET 650V 68.5A TO247-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
