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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7113ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
6000+0.36 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7113ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.09 EUR
190+0.89 EUR
268+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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SI7113ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7113ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10.8 A, 0.11 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 46959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7113ADN-T1-GE3SiliconixTrans MOSFET P-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7113adn
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI7113ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+1.04 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
6000+0.37 EUR
9000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7113ADN-TI-GE3VishaySI7113ADN-TI-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7113DN
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
auf Bestellung 10036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
10+4.72 EUR
100+3.3 EUR
500+2.69 EUR
1000+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 13.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 94769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.07 EUR
10+4.4 EUR
100+3.14 EUR
250+3.01 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.49 EUR
3000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.5A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 33W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 13.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-E3VISHAY09+ SOP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 13.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7113DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.2 A, 0.134 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.41 EUR
10+2.83 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 13.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.25 EUR
6000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 13.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.46 EUR
94+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 4928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.96 EUR
10+2.32 EUR
100+1.73 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
3000+1.24 EUR
9000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114ADN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 60A; 39W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+1.08 EUR
186+0.94 EUR
200+0.88 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.7 EUR
3000+0.68 EUR
6000+0.65 EUR
12000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 11085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
auf Bestellung 24903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
13+1.74 EUR
100+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114DNVISHAY
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V
auf Bestellung 9821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.27 EUR
10+2.73 EUR
100+2.18 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114DN-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114DN-T1-E3VISHAY08+
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 2088 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.99 EUR
10+3.2 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.78 EUR
52+3.34 EUR
54+3.14 EUR
100+2.52 EUR
250+2.43 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.78 EUR
52+3.27 EUR
54+3.02 EUR
100+2.39 EUR
250+2.24 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 8832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.89 EUR
10+3.22 EUR
100+2.57 EUR
250+2.37 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.84 EUR
3000+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
auf Bestellung 8975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.5 EUR
10+3.06 EUR
100+2.19 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-GE3
Produktcode: 102378
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7115DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.9 A, 0.295 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.11 EUR
88+1.98 EUR
100+1.73 EUR
200+1.63 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
2000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -15A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -8.9A
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 0.295Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.64 EUR
37+2.34 EUR
100+1.65 EUR
250+1.45 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.37 EUR
10+3.46 EUR
100+2.38 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 3238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+3.52 EUR
100+2.4 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.86 EUR
3000+1.78 EUR
6000+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116BDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 18.4A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116BDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7116BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 6000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 11184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116BDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 25204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.27 EUR
10+2.07 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116BDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7116BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 6000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 11184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116BDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 18.4A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116DNVISHAY
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V
auf Bestellung 13558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+3.47 EUR
100+2.76 EUR
250+2.67 EUR
500+2.34 EUR
1000+1.99 EUR
3000+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 3985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
10+3.65 EUR
100+2.52 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116DN-T1-E3
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116DN-T1-GE3
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 5043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.18 EUR
10+4.02 EUR
100+2.78 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V
auf Bestellung 6449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.55 EUR
10+3.61 EUR
100+2.51 EUR
500+2.12 EUR
3000+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7117
auf Bestellung 47 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7117DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7117DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 80277 Stücke:
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1+3.58 EUR
10+2.28 EUR
100+1.54 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7117DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 157 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7117DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
auf Bestellung 5745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.28 EUR
11+2.09 EUR
100+1.4 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7117DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7117DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 11926 Stücke:
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2+3 EUR
10+2.12 EUR
100+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.13 EUR
3000+1.04 EUR
6000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7117DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1461 Stücke:
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6+3.62 EUR
10+2.31 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7117DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 2097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7119DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 50 V
auf Bestellung 33256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
12+1.86 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7119DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 15245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.71 EUR
100+1.21 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7119DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 50 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.77 EUR
6000+0.73 EUR
9000+0.69 EUR
15000+0.67 EUR
21000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7119DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 50 V
auf Bestellung 15412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
12+1.86 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7119DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7119DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.8 A, 1.05 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7119DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 50 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.77 EUR
6000+0.73 EUR
9000+0.69 EUR
15000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7119DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 90259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+1.87 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
3000+0.77 EUR
6000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7119DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7119DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.8 A, 1.05 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
auf Bestellung 4622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7120ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7120ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0175 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7120ADN-T1-GE3
auf Bestellung 25500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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